芯耀
与非AI
国际微波研讨会(IMS)是RF、微波和毫米波(mmWave)行业内规模最大、最重要的活动之一，将所有关心RF的人与最新话题、技术、趋势和新产品联系起来。今年的IMS上，Qorvo以琳琅满目的新品展示，领先世界的RF技术“C位出道”！不信就一起随着Qorvo基础设施和国防部战略营销经理Katie Caballero的记录来看看吧。
关于 GaN 最令人激动的地方是它不再是新兴技术，它已经问世并且在国防和商业领域有了广泛应用。最值得注意的是 5G 和下一代基站部署，因为业界已开始推广 5G 基础设施，以在 2020 年支持首批 5G 手机。
Qorvo 已进入稳速位置并掌握数十个客户的现场测试，同时宣布 5G FEM (39 GHz) 且拥有最丰富的产品组合。
2 面向 6 GHz 以下频段的大规模 MIMO 和 5G 无线基础设施解决方案
适合 6 GHz 以下 5G 应用的：QPA4501、QPA3506
Doherty 放大器：QPA4501、QPA3506、QPB9329、QPB9319
适合 6 GHz 以下 5G 应用的开关 LNA 模块：QPA9120
适合 6 GHz 以下 5G 应用的宽带驱动放大器：QPA9120
Doherty 放大器：QPA4501、QPA3506、QPB9329、QPB9319
适合 6 GHz 以下 5G 应用的开关 LNA 模块：QPA9120
适合 6 GHz 以下 5G 应用的宽带驱动放大器：QPA9120
3 适合 AESA 雷达系统的 GaN X 频段 FEM
高功率国防解决方案始终是 IMS 展会的亮点，且我们的二次产品发布重点介绍了适合高级有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达系统的新产品。
Qorvo的两款新型超紧凑 GaN X 频段前端模块 (FEM) QPM2637 和 QPM1002 符合 EAR99 出口要求，在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的 GaAs LNA 在不到 100 mW 的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM 有了很大改善，接收端可承受高达 4 W 的输入功率，且不会造成永久损坏。
4 聚焦 QPD1025L，L 频段 1800 W GaN 晶体管
2018 年 IMS 展会上备受关注的另一款 Qorvo 产品是 QPD1025L 1800 W、双通道分立式 GaN-on-SiC HEMT。在《微波杂志》钻石周年纪念 (60) 版中采用的 QPD1025L 提供出色的信号完整度和更大的范围，这对 L 频段航空电子和敌我识别应用来说至关重要。它还采用无耳式 NI-1230 封装，如同 QPD1025。
Qorvo 的 QPD1025L 输入匹配 GaN 晶体管出现在全球渠道合作伙伴 Mouser Electronics 的展位上。
5 与 Keysight Technologies 和 National Instruments 合作演示 5G
由于设备制造商正在构建用于支持 5G 的无线基础设施，他们需要测试设备，以确保其设计能够满足商用部署要求。我们与两大测试/测量公司 Keysight Technologies 和 National Instruments 合作，演示使用 5G FEM 实现手机和基站的优势。
与 Keysight Technologies 合作演示使用 Qorvo QPF4006 的 5G 波束形成测试，业界首款适合 39 GHz 相控阵 5G 基站的 GaN FEM。
National Instruments 使用 Qorvo QM19000 - 适合移动设备的 5G RF FEM 演示移动 5G PA 测试。
经过多年针对 5G 的探讨和规划，2017年12月发布了非独立 (NSA) 5G 规范，今年6月又发布了独立 (SA) 5G 规范，虽然开发 5G 的工作还没有完成，但现在是基础设施制造商和运营商实现这一愿景的时候。Qorvo已迫不及待为微波行业做准备，期待在2019年的IMS展会上呈现更多创造性的RF技术了！
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