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瑞斯特RST30N02 RevA N沟道增强型功率MOS

  • 型号:RST30N02 RevA
  • 制造商:瑞斯特
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介绍

RST30N02 RevA 是瑞斯特推出 SOT-89 三引脚小型化 N 沟道增强型功率 MOS,采用沟槽管芯工艺,核心规格为 20V 漏源耐压、25℃环境 30A 连续额定电流,适配 2.5V/4.5V 低压逻辑驱动,4.5V 栅压下典型导通电阻 7.5mΩ,2.5V 低电平驱动典型值 9mΩ,相比同封装竞品导通损耗更低。器件出厂完成 UIS 雪崩、内置栅电阻 100% 全检,单脉冲雪崩能量可达 162mJ,具备较强感性负载浪涌耐受能力;静态电气特性稳定,零栅压漏电流最高 1μA,85℃高温上限 5μA,栅极漏电流控制在 100nA 以内;动态开关参数均衡,内置低栅电阻,体二极管反向恢复区间 13~20ns,栅电荷数值适中,兼顾高频转换效率与 EMI 控制。热性能指标标准化,25℃额定耗散功率 3.1W,短时脉冲热阻 31℃/W,稳态连续热阻 75℃/W,工作、存储温域覆盖 - 55℃~150℃,配套输出特性、导通电阻温变、栅电荷、安全工作区、瞬态热阻抗全套仿真曲线,是小体积、大电流低压 DC-DC、电池保护、小型电机驱动标准化功率器件方案。

瑞斯特 (RST) RST30N02 RevA 采用行业通用 SOT-89-3 无铅塑封结构,封装遵循标准化毫米尺寸规范,顶部俯视引脚排布依次为 D 漏极、G 栅极、S 源极,单端宽大散热引脚优化热量导出路径,适配小型 PCB 高密度布线,兼容常规全自动 SMT 贴片与回流焊产线,无需定制工装。封装胶体符合 RoHS 环保要求,管芯表面钝化工艺降低高压表面漏电与静电击穿风险;分层热阻参数清晰区分短时脉冲与稳态工况,结至引脚稳态热阻 90℃/W,器件完整提供静态参数、开关时序、雪崩测试、电容栅电荷全套特性图谱,动态指标由设计保证无需批量抽检,1MHz 测试频率下输入电容 3860pF、反向传输电容 580pF,开通延迟 7ns、关断延迟 70ns,开关时序标准化标定。PCB 布局阶段可将源、漏引脚大面积铺铜,搭配少量热过孔提升散热能力,抑制大电流长时间工作下导通电阻随温度抬升的现象。

瑞斯特 (RST) RST30N02 RevA 为低压低边功率开关器件,栅源阈值电压区间 0.5V~1.6V,当 VGS 高于阈值即可形成导电沟道,零栅压状态可靠关断,关断状态可耐受 20V 直流漏源电压,主流标准化应用电路分为低压同步 Buck 同步下管、大电流负载低边开关、多串锂电池放电保护、微型直流电机低边驱动四类拓扑。同步降压电源回路中依托超低导通内阻降低导通发热,内置体二极管承担轻载续流,提升整体转换效率;负载开关场景可直接由 3.3V/5V MCU IO 驱动,无需额外电平转换芯片,串联至负载地端控制 30A 以内电流通断;电池保护回路串联放电通路,短路、过流工况快速切断电流,依靠高雪崩能量吸收电感释放高压尖峰;电机驱动场景搭配 P 沟道高边管组成简易 H 桥,实现小型马达正反转控制。电路设计需对照安全工作区曲线限定连续、脉冲电流上限,长期稳态工况建议将实际耗散功率控制在额定 70% 以内,栅极回路串联标准 3~10Ω 电阻抑制高频栅极振荡,感性负载回路增设 RC 吸收网络,预留雪崩能量防护余量避免管芯击穿。

瑞斯特 (RST) RST30N02 RevA 作为 SOT-89 小型化 20V/30A N 沟道 MOS,兼具小占位体积、超低导通内阻、宽低压驱动兼容、高雪崩抗浪涌四大核心特性,适配小型化大电流低压电源与负载控制硬件开发。核心应用场景首先覆盖迷你工业 DC-DC 转换器、便携快充电源、移动电源同步整流回路,依托 SOT89 紧凑封装缩小电源板面积,同时降低大电流发热;其次广泛用于多串锂电池充放电保护板、大功率便携设备负载开关,30A 通流能力适配快充、储能类大电流通路;各类小型工控模块、24V 转低压驱动板大量选用该型号,用于电磁阀、微型继电器低边驱动;除此之外在小型小家电驱动板、车载低压负载控制、手持检测仪器电源回路中,可实现同步降压续流、电池过流保护、直流电机换向功能,针对 20V 以内大电流低边开关需求提供标准化分立器件方案,同时能够与瑞斯特同电压 P 沟道、同系列 SOP 封装 MOS 配套选型,统一整机功率器件 BOM,减少贴片物料种类与仓储管控成本。

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