助力“小型化”和“节能化”，揭秘罗姆的宽禁带半导体战略

作为全球领先的功率半导体供应商，罗姆近年来加速了在全球电动汽车市场的扩展步伐。在2024年8月28日，深圳国际会展中心举办的PCIM Asia展会上，罗姆展示了其最新的8英寸碳化硅MOSFET晶圆、EcoSiC™系列碳化硅产品及EcoGaN™系列氮化镓元器件，尤其是以小型化和高效率著称的TRCDRIVE pack™二合一碳化硅封装模块。这一产品的推出，不仅标志着电动汽车逆变器的小型化迈上新台阶。

自2000年起，罗姆就开始研究碳化硅器件，并于2010年在日本率先推出了碳化硅肖特基二极管（SBD），随后于2012年推出了全碳化硅功率模块。在过去的十多年中，罗姆不断推动碳化硅技术的创新与量产，逐渐建立了从晶圆制造到封装的一体化生产体系。罗姆市场宣传高级经理张嘉煜对与非网记者表示，罗姆始终以“小型化”和“节能化”作为企业愿景，通过宽禁带半导体技术应对社会发展带来的能源挑战，罗姆将持续以小型化和节能化增加在新能源领域的技术投入。

罗姆如何实现2025年30%的SiC市场目标？

SiC功率器件由于其卓越的高温、高频和高压性能，正逐渐成为电动汽车领域的明星技术。近年来，罗姆在全球SiC市场的份额不断扩大，是全球范围内为数不多能够量产沟槽型SiC MOSFET的企业之一。罗姆在SiC产品线的市场现状与未来目标方面有着明确的规划。罗姆的目标是在2025年实现SiC业务销售额超过1100亿日元（约合53亿人民币），并计划到2027年进一步增长至超过2200亿日元（约合106亿人民币）。此外，罗姆还设定了到2025年在全球市场占据约30%市场份额的目标，以进一步巩固其在行业中的领先地位。为了应对这个需求，罗姆正在积极扩展其碳化硅技术布局，并计划于2025年实现8英寸碳化硅晶圆的商业化供应。自2009年罗姆通过收购德国SiCrystal公司的晶圆厂以来，进一步巩固了其在碳化硅晶圆生产领域的优势，使其在未来的市场竞争中占据主动。

罗姆在日本拥有多个SiC功率半导体生产基地，包括福冈县阿波罗筑后工厂以及新厂房、宫崎第一工厂和第二工厂，其中宫崎工厂是其在日本规模最大的SiC功率半导体生产基地。罗姆还在不断的扩充SiC产能，例如，2019年罗姆在日本福冈县筑后工厂新建了一座6英寸SiC晶圆生产大楼，提升了其SiC功率元器件的生产能力。今年，罗姆还积极开发新型的SiC封装模块，如六合一SiC封装模块，该模块的功率密度相比传统的SiC模块提升了1.3倍，有助于电动汽车牵引逆变器的小型化。

罗姆的碳化硅MOSFET产品目前已更新至第四代。相较于前几代产品，采用改进的沟槽结构，与第三代产品相比，导通电阻降低了40%。其导通电阻显著降低，开关损耗更是达到了业内领先水平。第四代SiC MOSFET的低栅极驱动电压设计（15V和18V）还能够兼容现有的硅基MOSFET电路设计，降低了开发成本，并简化了设计流程。此外，该技术在电容特性上进行了优化，降低了寄生电容Coss和Crss，从而减少了自导通的风险，提高了器件的稳定性与可靠性。这一创新将助力xEV（电动汽车）实现更高的功率密度和更低的能源消耗，成为推动绿色能源发展的重要力量。罗姆计划在2025年推出第五代碳化硅MOSFET，进一步提升功率密度和性能。

TRCDRIVE pack™——助力电动汽车逆变器小型化的先锋

除了第四代SiC MOSFET芯片，罗姆还展示了其创新产品TRCDRIVE pack™二合一SiC封装模块。相比传统IGBT，SiC MOSFET在开关损耗方面减少了55%，这对于电动汽车牵引逆变器等高频、高功率密度应用尤为重要。

据介绍，TRCDRIVE pack™模块通过二合一封装设计，不仅减少了系统的整体体积，还降低了电力损耗，提升了逆变器的整体效率，完美契合了电动汽车对高功率密度、小型化和高效化的需求。罗姆半导体深圳技术中心高级经理苏勇锦对与非网记者表示，TRCDRIVE pack™不仅面向中高端电动汽车市场，还覆盖中低压平台，能够满足不同电动汽车对于高效能、高功率模块的需求。罗姆市场宣传高级经理张嘉煜则指出，罗姆通过优化沟槽技术和导通电阻，不仅降低了模块的功耗，还提高了开关速度和效率，适用于电动汽车、智能电网、数据中心等多个高功率应用场景。

据介绍，TRCDRIVE pack™模块的创新设计使功率端子和信号引脚集中在模块顶部，从而将整体尺寸缩小了28%，大大提高了安装的便利性和可靠性。同时，TRCDRIVE pack™还采用了Cu Clip布线结构，使电流流通能力进一步提升，帮助模块在保持小型化的同时实现高功率输出，适应了电动汽车市场日益增长的功率需求。在TRCDRIVE pack™的实际应用中，碳化硅模块的开关频率是传统硅基IGBT模块的5到10倍以上。

TRCDRIVE pack™的散热设计也颇具亮点。罗姆通过创新的封装技术和先进的材料选择，优化了散热路径，降低了内部热阻，使得模块即使在高功率运行时也能保持良好的散热性能。其Press fit pin水冷设计有效提升了散热效率，进一步增强了模块的高可靠性和长期稳定性。通过这种独特的设计，TRCDRIVE pack™能够在小型化的同时实现高功率输出，特别适用于电动汽车牵引逆变器等要求严格的应用场景。

EcoSiC™与EcoGaN™，罗姆的品牌战略

作为宽禁带半导体的领军企业，罗姆不仅在产品研发上持续创新，还通过旗下的两大品牌：EcoSiC™和EcoGaN™，以增强生态发展与创新。

EcoSiC™品牌采用性能卓越的碳化硅（SiC）材料，并具备从晶圆制造到封装的全链条自主研发能力，确保了产品在功率元器件领域的持续升级。罗姆的EcoSiC™品牌通过其低导通电阻和出色的高频性能，提供了适用于电动汽车、工业自动化和能源管理等领域的高效环保解决方案，特别是在提升能效与减小功率器件的体积上表现优异。

EcoSiC™不仅代表了罗姆在SiC技术上的领先地位，还通过其环保理念展现了对可持续发展的承诺。该品牌标志着罗姆致力于为社会和行业提供创新、环保的技术解决方案，并推动SiC技术在电动汽车和工业应用中的广泛应用。TRCDRIVE pack™系列产品就作为EcoSiC™品牌的重要组成部分，专为电动汽车牵引逆变器设计，具备小型化、高功率密度的特点，解决了牵引逆变器的多个技术挑战。

罗姆的EcoGaN™品牌系列则主攻高功率应用，尤其在能效管理和功率密度方面展现出领先优势，氮化镓（GaN）技术成为新兴市场的关键焦点。罗姆的EcoGaN™系列也在推动电力应用的小型化和高能效发展。作为新兴的宽禁带半导体技术之一，GaN器件通过其卓越的高功率密度和效率，在电动汽车、可再生能源等领域的应用前景广泛。罗姆致力于提升GaN技术的性能，助力社会问题的解决。

总结：扩大生态合作，罗姆的中国市场策略

张嘉煜对与非网记者强调，未来随着全球对绿色能源的需求不断增长，罗姆将继续以技术创新为核心，不断推出更具前瞻性的产品，并与合作伙伴携手，推动新能源行业的变革与发展。他指出，罗姆始终秉持“通过小型化和节能化为社会解决问题”的企业愿景，在推动全球可持续发展的过程中，罗姆的技术创新将持续发挥关键作用。

特别值得关注的是，罗姆高度重视中国市场，将其视为全球战略的重要组成部分。截至目前，罗姆在全球范围内已获得超过130家客户的Design-Wins。目前，罗姆已与多家国内领先的车企和工业企业建立了广泛的合作关系，通过提供一整套包括碳化硅功率器件、隔离栅极驱动IC、功率管理IC在内的解决方案，罗姆正推动中国新能源市场的快速发展。

随着中国新能源汽车市场的蓬勃发展，罗姆正在不断扩大其在本土的技术合作与市场份额。例如，今年罗姆与联合汽车电子签署了长期供货协议，这一合作将进一步推动罗姆在汽车行业，特别是电动汽车领域的市场布局。根据协议，罗姆将为联合汽车电子提供SiC芯片，支持其基于SiC的逆变器模块的生产需求。此外，罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片成功批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型，应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能。

展望未来，罗姆将进一步加强与中国本土企业的合作，助力中国在全球新能源革命中抢占先机，为全球可持续发展贡献力量。