近期,SK海力士在TSMC 2025北美技术研讨会上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi 2款产品是其首次公开展示了其HBM4技术,是全球唯一一家展示HBM4技术的公司。
SK Hynix是首家在HBM领域实现16层键合的内存企业。其展示HBM4目前支持16Hi 堆叠,单堆栈容量可达48GB,I/O速度为8.0Gbps,整体带宽为2.0TB/s,逻辑裸片部分采用台积电先进制程。12层堆叠的HBM4也已实现2TB/s的速度,能处理超过2TB的数据,该公司在3月已成为全球首家向主要客户提供 HBM4 样品的公司,并计划在 2025 年下半年完成量产准备,会正式用于商业应用。
HBM3E展示的是16层堆叠产品,带宽可达1.2TB/s,采用 Advanced MR - MUF 键合技术,该标准预计将应用于NVIDIA 最新的GB300 “Blackwell Ultra” AI 集群产品。
这个特定的标准将用在英伟达的GB300“Blackwell Ultra”AI集群中,英伟达还计划在Vera Rubin中升级到HBM4。
在HBM4内存方面,SK海力士遥遥领先于三星、美光等,SK海力士已经准备量产,而竞争对手处于样品阶段。
数据来源:TrendForce
SK海力士还展示了其服务器内存模块产品线,包括RDIMM和MRDIMM产品,基于新的1c DRAM标准制造,速度可达12800MT/s。
RDIMM 通过寄存器(Register)缓冲地址和控制信号,支持更高的内存密度和稳定性,是企业级服务器的主流选择。SK Hynix展示的8000MT/s RDIMM采用1c nm制程工艺,容量覆盖64GB至 256GB,其中 256GB 型号通过3DS 键合堆叠技术实现了单条容量的突破。
MRDIMM 通过多路复用器(MUX)同时操作两个内存通道(Rank),实现带宽翻倍。SK 海力士展示的12800MT/s MRDIMM是目前行业最高速度的产品,相比传统RDIMM,其有效带宽提升39%,延迟降低40%。
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