聊聊新凯来的刻蚀设备&友商统计数据（更新版）

上次Semicon China结束后我立即发布一个关于新凯来的量检测设备和刻蚀设备的简介和行业数据统计。文章发布以后阅读量和读者反馈效果都非常不错但刻蚀设备的分类上有些技术性错误，很容易给读者产生误导。所以我今天再修改一下产品分类，同时也增加几家最新收集到的供应商信息，发布一个新版本

这次新凯来一共发布了三款干法刻蚀设备：

其中武夷山1号是CCP（电容耦合等离子体，Capacitively Coupled Plasma）刻蚀设备，适用于介质层的刻蚀。在这块领域国内的龙头是中微半导体

武夷山3号是ICP（电感耦合等离子体，Inductively Coupled Plasma）刻蚀设备，适用于硅和硅锗等材料的刻蚀。在这块领域国内华创和中微半导体等公司都有布局

武夷山5号是高选择比刻蚀设备。他是一种通过优化化学反应选择性，显著增强目标材料与掩膜或下层材料刻蚀速率差异的技术。其核心原理是通过高活性自由基与材料之间的选择性反应实现刻蚀，同时最大程度抑制离子轰击带来的物理损伤。通常有两种类型：CDE (化学干法刻蚀，Chemical Dry Etching)和RDE (自由基干法刻蚀，Radical Dry Etching)

这个领域全球被TEL、AMAT、LAM所垄断，国内屹唐应该是营收领先

新凯来没有公开说明他们家设备是哪类，我暂且估计为第二种RDE

接下来我还是按照规矩整理一下以上三类干法刻蚀设备的全球供应商数据供大家注）本表格中详细数据的原始文档，我放到了知识星球的云盘上供会员使用。如果您对此类数据有兴趣，欢迎扫码加入我的知识星球后获取（文章最后有知识星球数据内容的简单介绍） 

我收集了近十年的行业数据已经覆盖了八成以上半导体制造上游的供应链链，还有大量的原创行业景气度数据分析和研报。现在所有数据原始文档都贡献出来，给你个一锅端走的机会(云盘直接同步我电脑硬盘随时更新)另外还有大量的线上半导体知识讲座
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