芯耀
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上回书(英飞凌芯片简史)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。
IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。这几大系列之间，究竟有何区别？它们各自的适用领域又都在哪里？今天这篇文章就带大家一起来解析一下。
首先，在英飞凌已经商业化的IGBT7产品中，不同的IGBT7系列分布在不同的电压等级中：
■ 650V:T7,H7
■ 1200V:S7,H7,T7,E7,P7
■ 1700V:E7,P7
■ 2300V:E7
在同一电压级中，以1200V为例，我们可以按开关速度来进行排序，H7>S7>T7>E7>P7
■ H7是高速芯片，面向开关频率较高的光伏、充电桩等应用，Vcesat 1.7V；
■ S7是快速芯片，能够实现导通损耗与开关速度的最佳平衡，Vcesat 1.65V；
■ T7芯片小功率单管和模块，主要面向电机驱动应用，用在Easy,Econo等封装，Vcesat 1.55V；
■ E7是芯片是为中功率模块产品开发，导通压降1.5V，用于EconoDUAL™,62mm等封装中；
■ P7是芯片是为大功率模块产品开发，导通压降 1.27V，用于PrimPACK™模块中；
下面，我们按单管和模块两个系列，从实用的角度阐述一下各类产品的特性。
单管系列T7，PR7，S7，H7解析
按短路能力，IGBT7分为具有短路能力的650V T7和1200V S7，这两者适用于开关频率要求不太高，但可能有短路工况的应用，比如电机驱动。没有短路能力的IGBT7有650V H7和1200V H7，进一步降低了饱和压降和开关损耗，适用于光伏，ESS，EVC等对开关频率和效率要求比较高的场合。
650V T7单管和1200V S7单管产品目录如下，主要面向电机驱动类应用，导通损耗较低的同时，也能保持较快的开关速度，同时具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。
650V T7单管和1200V S7单管产品目录如下，主要面向电机驱动类应用，导通损耗较低的同时，也能保持较快的开关速度，同时具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。
单管H7系列产品目录：
H7芯片虽然不具备短路时间，但它可以说是把开关性能做到了极致。与广受好评的TRENCHSTOP™5芯片相比，H7的电压范围拓展到了1200V，而TRENCHSTOP™5只有650V的产品。H7的饱和导通电压Vcesat比H5降低达25%，比S5也低了3%。开关损耗方面，H7的Eon相对于H5降低了77%，相对于S5降低了54%；而H7的Eoff相对于H5降低了20%，相对于S5降低了27%。所以总体来说，H7整体的开关损耗（Eon+Eoff），还是要比H5和S5更低。
