三星年后将率先量产HBM4

三星电子（005930）将在农历新年假期后率先实现第六代高带宽内存“HBM4”的量产，成为全球首家实现量产的公司。HBM4是今年人工智能半导体内存的关键驱动力，而三星电子率先开始出货，占据了行业领先地位。

据业内人士2月8日透露，三星电子已决定在农历新年假期后的2月第三周开始为NVIDIA量产HBM4。这是HBM4出货日期首次得到确认。

三星电子的HBM4被认为是世界一流的，超越了JEDEC（联合电子器件工程委员会）标准。它同时采用了1c DRAM（第六代10nm级）和4nm工艺，实现了高达11.7Gbps的最大数据传输速率。

它的速度比 JEDEC 标准的 8Gbps 快 37%，比上一代 HBM3E (9.6Gbps) 快 22%。此外，单个堆叠的内存带宽高达 3TB/s，比上一代产品提升了 2.4 倍，其 12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。

通过应用 16 层堆叠技术，容量还可以进一步扩展至 48GB。

三星电子的 HBM4 还具有低功耗设计的优势，能够在显著降低服务器和数据中心功耗和散热成本的同时，最大限度地提升计算性能。

三星电子此前已提前通过 NVIDIA 的 QUAL 测试（质量评估），并获得了采购订单 (PO)。值得注意的是，据报道，三星电子还根据这份采购订单大幅增加了用于成品模块测试的 HBM4 样品数量。

三星电子交付的 HBM4 将集成到 NVIDIA 的下一代 AI 加速器 Vera Rubin 中。 NVIDIA 将于下月举行的 GTC 2026 技术大会上发布搭载三星 HBM4 显存的 Vera Rubin 芯片。该产品预计将于今年下半年上市。

三星电子计划以 HBM4 为起点，加速重夺 DRAM 霸主地位。该公司计划今年的 HBM 销量比去年增长三倍以上，并已开始扩建其位于平泽的第四园区 (P4)，该园区正是 HBM4 的生产基地。

据报道，三星电子近期已制定内部计划，在 P4 园区新建一条 DRAM 生产线，月产能可达 10 万至 12 万片晶圆。这条扩建后的生产线将用于生产 1C DRAM，即 HBM4 所使用的类型。

据报道，直到去年，三星电子的 1C DRAM 晶圆生产线月产能为 6 万至 7 万片晶圆。如果新增产能达到12万颗，HBM4 DRAM（约20万颗）的产能将占总产能（约78万颗）的25%。

一位业内人士表示：“三星电子和SK海力士有望主导第六代（HBM4）市场。”他补充道：“如果他们的技术实力得到验证，产能更大的厂商将扩大市场份额。”

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