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SK海力士拟在美国上市

03/24 21:52
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SK海力士正计划发行新股,并在美国股票市场发行美国存托凭证(ADR,一种在海外市场流通的另类证券)。由于上月注销库存股后,公司已无剩余库存股可供发行,因此决定发行新股。SK海力士计划利用此次发行募集的资金,扩大其尖端存储器(例如高带宽存储器(HBM))的产能,并巩固其在全球人工智能(AI)半导体市场的领先地位。

据业内人士3月23日透露,SK海力士已决定发行新股,以在美国上市ADR。据悉,此次发行规模约为总股本的2.4%,与注销的库存股数量相当。

SK海力士最初曾积极考虑利用其现有库存股(2.4%)发行ADR。然而,由于该公司被指责试图规避强制回购,上月9日,该公司突然注销了2.1%(12.24万亿韩元)的库存股。SK集团董事长崔泰源在3月16日举行的英伟达年度开发者大会“GTC 2026”上也表示,公司正在“考虑发行ADR”。

SK海力士预计将通过发行新股筹集10万亿至15万亿韩元的美元资金。这些资金计划用于人工智能基础设施建设,例如创建龙仁半导体集群。

半导体集群工厂的建设成本正呈指数级增长。2019年宣布该项目时,预计到2028年总成本将达到128万亿韩元,但由于去年工艺小型化和原材料价格上涨,预计成本将飙升至600万亿韩元。一位业内人士表示:“SK海力士正在讨论新股发行规模,同时也在考虑股东的反对和日益恶化的公众舆论。”他补充道:“未来发行规模也有可能扩大。”

“人工智能(AI)的需求增长速度惊人。解决这一供应瓶颈是SK的使命。”这是SK集团会长崔泰源去年10月在“SK AI峰会”上发表的讲话。业界将此解读为SK海力士宣布其将巩固高带宽存储器(HBM)市场全球领导者的地位,确保其拥有无可匹敌的供应能力。关键在于资金筹集。因为要确保压倒性的产能,需要数千亿韩元的资金。

事实上,SK海力士在京畿道龙仁市建设的第四座半导体集群工厂的投资额正在呈指数级增长。该项目在2019年宣布时预计到2028年总投资额为128万亿韩元,但由于工艺小型化和原材料价格上涨,去年预计成本将飙升至600万亿韩元。就连崔泰元会长本人也感叹道:“我越是参与其中,投资规模就越大。”然而,仅靠国内金融机构贷款或发行债券来管理如此庞大的资金存在局限性。因此,推动在美国发行美国存托凭证(ADR)被认为是崔董事长为捍卫其在HBM市场第一地位而进行的“金融豪赌”。

据业内人士和投资银行界人士23日透露,SK海力士计划尽快选定承销商并启动ADR上市流程。新发行的股票不会在韩国国内股市上市,而是会立即由受托人韩国证券存管处(KSD)持有,美国当地银行将基于这些股票发行ADR。

业内人士分析认为,此次ADR上市标志着企业价值的重估,而不仅仅是筹集资金。 SK海力士去年的全球HBM市场份额高达57%,是美国市场美光科技(21%)的两倍多。其营业利润也达到了47.2063万亿韩元,远超美光科技(24.2万亿韩元)。

然而,其市场估值仍然偏高。SK海力士的市盈率约为5.7倍,仅为美光科技(12.1倍)的一半左右。如果SK海力士通过在美国上市获得与美光科技相当的市盈率,简单的计算表明,其股价可能会飙升至190万韩元左右,是目前股价的两倍多。如果该公司通过发行美国存托凭证(ADR)被纳入费城半导体指数(SOX)等主要全球指数,预计还将吸引大量追踪这些指数的被动型基金流入。崔董事长在16日举行的英伟达年度开发者大会GTC 2026上也表示:“通过面向全球股东而非韩国股东,我们可以成为一家更具全球化视野的公司。”

一位业内人士预测:“如果新发行的ADR成功上市,SK海力士的融资能力将与台积电或英伟达匹敌。”

SK海力士梦想以此次IPO为跳板,重返全球领先的AI半导体公司行列。尽管该公司凭借其强大的合作伙伴英伟达在HBM市场占据主导地位,但近期的市场格局已不再稳固。这是因为该公司在下一代旗舰产品——第六代HBM4的领先地位被三星电子超越,危机感日益加剧。

为此,SK海力士正全力以赴扩大产能。该公司计划今年将资本投资规模提升至30万亿韩元左右,其中包括投资超过20万亿韩元将清州M15X工厂发展成为专用的HBM生产基地。此外,该公司还决定将龙仁集群首个洁净室的投产时间从原计划的2027年提前三个月,从5月提前至次年2月。为此,该公司决定优先完成龙仁一期工厂21.6万亿韩元的新建设施投资,目标是在2030年底前建成。

SK海力士希望借助此次上市,重振雄风,成为全球领先的人工智能半导体公司。然而,一些人士批评该公司通过发行新股进行ADR上市的做法,与企业价值提升的趋势背道而驰,这似乎难以避免。这是因为该公司在以股东回报为由突然取消现有库存股仅一个多月后,便进行了新股发行。预计SK海力士将积极强调,通过上市筹集的资金将有助于其在下一代人工智能半导体市场占据领先地位,从而创造更大的利润。

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