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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

17小时前
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。

近年来,在工业设备和车载市场,高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地,系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面,随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展,IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此,对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中,微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而,降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何兼顾通信质量和IC保护,成为亟待解决的课题。

对此,ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品,新产品不仅实现更低电容,还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口,需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时,与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比,其钳位电压*4降低了约40%,确保了优异的IC保护性能。

这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备,笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外,DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes*5通信的ADAS高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。

新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个,不含税),并已经开始网售,通过电商平台均可购买。

ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容,助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展,为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。

<产品阵容>

<应用示例>

适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDSMIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。

<网售信息>

开始销售时间:2026年3月起

新产品在电商平台将逐步发售。

销售商品 DSN0603-2J封装:RESD3V3BAED、RESD5V0BAED、RESD3V3UCED、RESD3V6UCED DFN1006-2W封装:RESD3V3BASAFH、RESD5V0BASAFH、RESD3V3UASAFH、RESD5V0UASAFH

<术语解说>

*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)

表示ESD保护二极管在保护IC时,其电压随电流变化的增量程度的指标,又称“交流电阻”。该值越小,表示即使流过相同的放电电流时,也能将引脚电压的上升幅度控制得越低,从而减轻IC承受的电气应力,提高保护性能。

*2) ESD保护二极管

用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌),来防止电路损坏和误动作。在车载环境中,对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。

*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)

电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大,高速通信时信号就会劣化,因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。

*4) 钳位电压

ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低,越可以有效地保护电路和设备,从而提高车载设备的可靠性。

*5) SerDes

成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出,信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据,而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

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