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铠侠KIOXIA THGBMTG5D1LBAIL e-MMC 嵌入式存储芯片方案介绍

6小时前
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一、产品介绍

THGBMTG5D1LBAIL 是铠侠(KIOXIA,原东芝存储器)基于成熟 15nm NAND 闪存制程推出的 4GB e-MMC 嵌入式存储芯片,符合 JEDEC e-MMC 5.0 标准规范。该器件采用「NAND 闪存阵列 + 集成控制器」多芯片封装(MCP)架构,将存储管理与主机接口高度整合于单一 BGA 封装内——内置 ECC 纠错、损耗均衡(Wear Leveling)、逻辑-物理地址转换及坏块管理等核心功能,无需主机处理器直接管理底层 NAND 操作,显著简化硬件设计流程并缩短固件开发周期。

THGBMTG5D1LBAIL 支持 1-bit、4-bit 及 8-bit 并行 I/O 模式,时钟频率最高可达 200 MHz(HS200 模式),顺序读取速率达到 400 MB/s。封装采用 153 球 WFBGA,尺寸仅 11.5mm × 13.0mm × 0.8mm,紧凑体型适配空间受限的嵌入式终端设计。工作温度覆盖 -25°C 至 +85°C 的商业级宽温范围,同时支持 RPMB(重放保护内存块)安全分区机制,为固件和敏感数据提供硬件级防篡改存储。

用户可以通过芯智云等现货服务商获取 THGBMTG5D1LBAIL 样品并查看最新的库存情况,以保障研发和批量生产的供应链稳定。

二、技术参数

存储容量:4GB(32Gb),单芯片 e-MMC 5.0

NAND 制程:15nm MLC,铠侠 BiCS FLASH 技术体系

顺序读取速率:最高 400 MB/s(HS200 模式,8-bit 并行接口

顺序写入速率:典型值 14 MB/s

时钟频率:最高 200 MHz

I/O 模式:1-bit / 4-bit / 8-bit 可选

NAND 工作电压 VCC:2.7V 至 3.6V

控制器 I/O 电压 VCCQ:1.70V 至 1.95V(兼容 2.7V 至 3.6V 双电压模式)

工作温度范围:-25°C 至 +85°C

封装形式:WFBGA-153(11.5mm × 13.0mm × 0.8mm,球间距 0.5mm)

安装方式:SMD/SMT,托盘包装(标准包装数量:152 pcs/tray)

可靠性功能:硬件复位、坏块管理、ECC 纠错、损耗均衡、RPMB 安全分区

湿度敏感等级:MSL 3

环保合规:RoHS 合规,无铅

三、应用场景

智能穿戴设备固件与数据存储

智能手表智能手环等穿戴设备中,THGBMTG5D1LBAIL 承担操作系统固件、传感器驱动、UI 交互程序及用户健康数据的存储任务。4GB 容量可容纳完整的 RTOS 或轻量级 Linux 系统镜像,并保留充足空间用于运动记录、心率数据和本地音频缓存。400 MB/s 的顺序读取性能确保设备冷启动和界面切换的流畅响应,其紧凑的 11.5mm × 13.0mm 封装可轻松嵌入厚度不足 10mm 的穿戴设备机身。

物联网及工业终端

面向智能计量表、智能照明控制器、工业数据采集终端等 IoT 节点设备,THGBMTG5D1LBAIL 提供兼顾容量与可靠性的嵌入式存储方案。-25°C 至 +85°C 的宽温区间适配户外挂壁式终端和工厂车间环境,内置坏块管理与 ECC 纠错机制确保 7×24 小时连续运行场景下的数据完整性。集成控制器设计使主控 SoC 不再需要原生 NAND 控制器接口,降低 IoT 网关处理器的选型门槛。

消费电子与智能家居

在智能音箱、机顶盒、家庭网关及便携式音频设备中,THGBMTG5D1LBAIL 作为系统固件和用户配置数据的存储载体。e-MMC 5.0 标准接口得到 Linux 内核及主流 RTOS 的广泛驱动支持,设计导入周期短。RPMB 安全分区可用于存储设备授权密钥和 DRM 凭证,满足流媒体内容保护需求。

四、供应链服务

作为 KIOXIA 现货服务商,芯智云为客户提供稳定的 THGBMTG5D1LBAIL 库存供应,更以深厚的行业经验和技术能力,助力客户选型及推荐替代方案,加速产品落地,在市场竞争中占据优势地位。

如需获取更多资料,可立即查看 KIOXIA 官网或者芯智云获取 THGBMTG5D1LBAIL 相关信息。

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