获超60万英镑融资！这一企业用金刚石涂层为GaN芯片散热

随着AI算力需求快速增长，数据中心的功耗与散热问题日益突出。国际能源署预计，到2030年全球数据中心用电量将达到约945 TWh。大量电能最终以热量形式耗散，如何提升芯片及电力转换设备的能效，成为AI基础设施持续扩张面临的重要挑战。

近日，英国先进材料初创公司HexSeed Technology宣布完成超过60万英镑的早期融资。相关资金还将进一步撬动Innovate UK此前原则上批准的Partnership Grant，用于推动公司技术从实验室阶段走向商业化验证。

值得关注的是，HexSeed并非单纯围绕金刚石散热成立的初创企业。2026年，公司入选英国Net Zero Technology Centre（NZTC）旗下TechX Accelerator，成为该年度8家入选企业之一，并获得资金、产业导师及行业网络支持。NZTC在3月公布名单时明确将HexSeed列为“利用捕集的CO₂生产工业金刚石，以解决先进电子器件热管理问题”的初创企业。

HexSeed瞄准的是GaN功率器件的热管理难题。氮化镓晶体管相比传统硅器件具有更高的功率转换效率和更快的开关能力，但随着功率密度提升，器件产生的局部热量也会快速增加，结温过高将进一步限制器件的性能、可靠性和使用寿命。

金刚石被认为是目前已知导热性能最优异的材料之一，因此近年来“GaN-on-Diamond”以及金刚石热扩散层成为宽禁带半导体散热的重要研究方向。不过，传统金刚石生长通常需要较高温度，而已经完成制造的GaN器件难以承受这样的热环境，这也成为金刚石直接集成到半导体器件上的关键障碍。

HexSeed正在与布里斯托大学研究人员合作，开发一种低温微波等离子体工艺，可直接在已经制造完成的GaN器件表面生长金刚石涂层。其核心思路并非单纯增加外部散热结构，而是将高导热金刚石材料直接引入器件热管理路径，从热点区域快速导出热量。

据公司介绍，金刚石涂层有望降低GaN器件工作温度，使器件在更高功率密度和更高开关速度下运行，同时减少热循环带来的器件老化。Carbon13此前也将HexSeed定位为利用实验室培育工业金刚石解决下一代半导体热管理问题的先进材料企业。

目前，HexSeed的技术仍处于早期开发阶段。公司官网显示，其正在推进实验室规模工艺开发，并计划逐步向商业规模生产以及半导体应用市场拓展；目标应用不仅包括GaN功率电子，还覆盖射频通信、数据中心、电动汽车、高功率激光以及航空航天等领域。

此次融资的一个重要目标，是在商业GaN功率器件上完成金刚石涂层工艺验证，并进一步推动与潜在客户开展试点合作。公司目前将数据中心电源转换硬件作为首个重点市场，试图从AI数据中心不断增长的功耗需求中寻找金刚石热管理技术的商业化切入口。

值得关注的是，HexSeed并非单纯押注“金刚石散热”。公司官网进一步提出，将捕集的CO₂转化为金刚石原料，构建从碳捕集、材料制备到半导体应用的低碳材料路线。

从产业发展角度看，随着AI服务器功率密度持续提升，传统散热方式正在逐渐从系统级冷却向芯片级、器件级热管理延伸。金刚石凭借极高的热导率，有望在GaN、先进功率器件以及高功率射频器件中获得更多应用机会，而如何实现低温沉积、界面可靠性控制和大面积工艺兼容，将成为这一路线走向产业化的关键。

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