总投资70亿！厦门8英寸碳化硅超级工厂验收

9月14日，福建环保网发布了《厦门士兰集宏半导体有限公司8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（一期）阶段性竣工环境保护验收监测报告表》，验收结果为合格。

根据验收报告，该项目从2024年6月开工，总投资为70亿元，实际投资概算为56亿元（部分设备尚未投建），总占地面积为13.63万m²。

一期项目设计产能为月产8英寸SiC功率器件3.5万片，年产42万片。本次验收期间，生产设备未全部投入，实际产能为月产8英寸SiC功率器件芯片2.33万片（年产28万片）。

据悉，士兰集宏项目分两期建设，总建筑面积达23.45万m²。项目以SiC MOSFET为核心产品，待二期投产后，总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。

士兰微电子表示，项目投产后，可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、AI服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

据“行家说三代半”此前报道，士兰微从2017年就开始进行碳化硅项目布局，投资金额和产能持续扩大，已经形成“士兰明镓-6英寸”与“士兰集宏-8英寸”两大 SiC 芯片生产线：

2017年，士兰微与厦门半导体投资集团在厦门签署投资合作协议，筹备在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，项目由双方参股公司士兰明镓负责，分为两期建设。

2021年8月，士兰微SiC功率器件中试线实现通线，并于2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发，计划向客户送样并开始量产。

2022年7月，士兰微发布公告称，士兰明镓将建设二期项目—“SiC 功率器件生产线项目”，总投资15亿元，项目达产后，将新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。

2024年6月，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工，并于2025年2月完成全面封顶，于同年6月提前搬入首台设备，并于2025年9月举行一期项目竣工仪式、实现初步通线。

士兰微在2026年半年报中披露：2026年上半年，公司营业总收入达72.62亿元，同比增长14.62%；营业利润4.27亿元，同比增长161.03%。其中，功率半导体和分立器件产品营业收入达34.44亿元，同比增长约15%；应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）营业收入达15.96亿元，同比增长约11%。

产能方面，士兰明镓已形成月产1万片6吋SiC-MOSFET芯片的生产能力，目前已接近满载。

在碳化硅业务拓展上，2026年上半年，士兰微用于光伏的SiC MOS器件等产品已实现批量出货；基于自主研发的Ⅱ代和Ⅳ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量及客户数量持续增加，预计下半年将大幅增长；此外，其Ⅱ代SiC-MOSFET已通过国内顶级大厂严苛认证，在AI算力中心电源上实现大批量出货。

未来，士兰微还将加快8英寸车规级GaN功率器件的研发与技术成熟，并适时推出相关产品。