前言
最近,我的半导体供应链数据库的建设又有了不小的进展。除了之前的半导体设备数据库,最近零部件和半导体材料的数据库也基本完成了(后续还有耗材和EDA的数据库在日程安排上了)半导体设备详细分类表(正式版)半导体设备零部件&模组分类表
由此,我终于可以站在更宏观和全面的角度上了解全球整个半导体半导体供应链的具体情况了。于是我也借助AI工具对手头的数据库进行详细的梳理和分析,得到了一些有趣的结论,拿出来和大家分享不过由于目前数据库还不够完善,很可能存在不少错漏,所以目前的分析结果还只是一个半成品,只能供读者做一些粗略的参考。麻烦大家理解
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注)以下文章由AI基于我的数据库生成
AI 浪潮之下,全球半导体设备市场正连续刷新纪录。据 SEMI(国际半导体产业协会)数据,2025 年全球半导体设备销售额达 1351 亿美元,同比增长 15%;2026 年预计再涨 23% 至 1659 亿美元。面对这个千亿美元级的赛道,中国大陆厂商到底覆盖了多少品类?还有哪些环节仍是空白、藏着一级市场的投资机会?本文基于自建的半导体设备产业链数据库(1150 家厂商、3577 条产品映射、334 个设备品类),做一次全景梳理。
一、全球市场:连续三年创新高
半导体设备的投资节奏,正在被 AI 对先进逻辑、HBM 存储和先进封装的旺盛需求彻底改写。据 SEMI 全球半导体设备市场统计(WWSEMS)与年中预测:
从结构上看,晶圆厂设备(WFE,即前道设备)是绝对主力,2025 年约 1169 亿美元;测试与封装设备(后道)同样爆发,2025 年测试设备激增 55%,2026 年测试设备市场预计达 153 亿美元。增长的核心动力来自 AI 芯片、HBM 高带宽内存,以及台积电、三星、英特尔在 2nm 及以下节点的资本开支竞赛。
二、五大类设备与全球格局
半导体设备可划分为五大类:前道(晶圆制造)、后道(封装测试)、衬底(硅片制造)、掩模(光罩制造)和厂务(辅助设施)。按厂商覆盖数看,前道设备 523 家、后道设备 598 家、衬底设备 152 家、掩模设备 56 家、厂务设备 94 家。
从全球厂商地域分布看,中国大陆以 529 家厂商居首,其后是日本 186 家、美国 145 家、韩国 63 家、德国 60 家、中国台湾 60 家。数量领先的背后,是近年来国内晶圆厂大规模扩产带来的本土设备生态繁荣——但数量并不等于覆盖深度,这一点我们后面会展开。
三、前道设备:五大核心环节
前道设备是半导体设备的"价值核心",按市场空间可拆为光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测检测五大环节,各环节的全球龙头与大陆上市公司如下:
一个直观的信号是:光刻机整机(EUV、ArF 浸没式)至今没有 A 股上市公司,上海微电子也尚未 IPO。刻蚀、沉积、清洗、量测等环节,大陆厂商虽已批量进入产线,但主要覆盖成熟制程,先进制程仍由海外巨头把持。
四、后道设备:封装与测试
后道设备(封装 + 测试)2026 年全球市场合计约 220 亿美元,其中封装设备 67 亿美元、测试设备 153 亿美元。
测试机是双寡头格局,爱德万与泰瑞达合计占据绝大部分份额,其中爱德万在存储测试机的市占率高达 61%。先进封装设备(混合键合、TCB、TSV)则被 EVG、BESI、ASMPT 等欧洲和新加坡厂商主导。
五、衬底设备与掩模设备:两个容易被忽略的板块
除了前道和后道,还有两个体量不大但同样关键的板块:衬底设备与掩模设备。
衬底设备(硅片制造设备,约 50 亿美元)涵盖单晶生长、切片、研磨、抛光、清洗等环节,是把多晶硅加工成抛光硅片的核心装备。全球龙头包括 PVA TePla(德国,晶体生长)、DISCO(日本,切片/研磨)、SpeedFam(日本,抛光)等;中国大陆厂商配套已较完整,晶盛机电、连城数控、晶升装备、高测股份等已批量进入硅片产线。
掩模设备(光罩制造设备,约 15 亿美元)涵盖直写、检测、刻蚀、清洗等环节。这个市场体量最小,但技术壁垒极高,是国产化最薄弱的板块。全球被 NuFlare、JEOL(日本,电子束直写)、Lasertec(日本,EUV 掩模检测)、Zeiss(德国,AIMS 检测)等垄断;中国大陆仅有芯碁微装等在直写环节有所布局。
六、国产化空白:76 个品类无中国大陆厂商
我们把数据库里 306 个最细分的设备品类逐一对照,统计"有没有中国大陆厂商在做的映射",结果如下:
最扎眼的数字是掩模制造:29 个品类里 23 个空白,空白率高达 79%。掩模(光罩)设备几乎全线被日本、德国、美国垄断,是国产化最薄弱、也最容易被忽视的板块。
前道设备有 30 个空白品类,集中在光刻机(EUV、ArF 浸没式)、高端量测(CD-SAXS、CD-AFM 等)、特殊薄膜沉积(钴 CVD、MVD 分子气相沉积等)。后道设备有 19 个空白,集中在 NAND 存储测试机、等离子切割、应力释放等环节。
七、除了光刻机,最值得关注的 8 个空白环节
光刻机是众所周知的"最大空白",这里不再赘述。我们把目光放到同样关键、但关注度相对更低的 8 个环节——每一个都有明确的海外垄断者和清晰的技术壁垒,是一级市场值得重点跟踪的方向。
1. 电子束多束直写
海外龙头:NuFlare、JEOL(日本)。难点在于多束并行电子光学与产能提升。这是 EUV 掩模和高端掩模制造的核心设备,直接卡住先进光罩的供给。
2. 掩模光化检测 AIMS
海外龙头:Zeiss(德国)、KLA(美国)。难点在于 EUV 光化光源与成像系统。EUV 掩模的缺陷检测必须用与曝光波长一致的光化检测,技术门槛极高。
3. CD-SAXS 量测
海外龙头:KLA、Bruker(美国)。难点在于 X 射线源与逆问题建模。它能对先进制程的纳米级三维结构做无损量测,是 3nm/2nm 节点的关键量测手段。
4. 钴 CVD
海外龙头:AMAT、Lam(美国)、东京电子(日本)。难点在于钴前驱体与无空隙填充。7nm 以下先进互连需要钴替代铜,这个环节目前国产空白。
5. 高压退火 HPHA
海外龙头:AMAT(美国)。难点在于超高压腔体与晶圆应力控制。3D NAND 堆叠层数不断提升,高压退火是应力释放的关键工序。
6. TSV 深度量测
海外龙头:KLA(美国)、Nova(以色列)。难点在于高深宽比量测。TSV 硅通孔和先进封装对深孔量测提出极高精度要求。
7. CD-AFM 量测
海外龙头:Bruker(美国)、Park(韩国)。难点在于原子力探针的三维成像能力。它是先进制程关键尺寸(CD)量测的补充手段。
8. MRAM 测试机
海外龙头:爱德万(日本)、泰瑞达(美国)。难点在于磁存储的高速测试。MRAM 作为新型非易失存储,测试设备需求将随量产启动而释放。
结语
半导体设备的国产化,已经从"有没有"进入"好不好、全不全"的阶段。刻蚀、沉积、清洗等环节的国产率正在快速攀升,但掩模制造、高端量测、特殊工艺设备仍是明显的短板。对于一级市场而言,这 76 个空白品类里,越是技术壁垒高、海外垄断度高的环节,越具备国产替代的想象空间。
(本文数据来源:SEMI、Yole、爱德万年报、东吴证券、自建半导体设备产业链数据库。)
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