惠海10N03换电柜N沟道MOS管HCP3400Y ：30V10A 、15N10、12N06 、40N06 NMOS管选型 低内阻

HCP3400Y 为一款采用沟槽工艺开发的 N 沟道增强型功率 MOS 管，面向低压 DC-DC 转换、开关驱动类电路设计，具备稳定的电气特性与较宽的工况适应能力，是低压开关方案中常用的器件。

惠海半导体原厂HCP3400Y N 沟道 MOS 管核心电气参数

- 耐压 VDS：30V

- 连续电流 ID：10A

- 导通电阻 Rds (on)：典型值 27mΩ @VGS=4.5V

- 最高结温：150℃

- 环保属性：无铅封装，满足 RoHS 要求

惠海半导体原厂HCP3400Y N 沟道 MOS 管器件特性说明

依托沟槽结构工艺，HCP3400Y 可以获得较低的导通电阻，同时支持较快的开关速率，有助于降低开关损耗，提升电路转换效率。低导通电阻特性有利于减少导通阶段发热，适配持续通断的开关场景；较快的开关速度，适合高频 DC-DC 回路使用。器件支持 150℃的工作温度范围，在温升相对偏高的应用场景下具备良好的工况适应性。

惠海半导体原厂HCP3400Y N 沟道 MOS 管适用场景参考

该器件可用于多类低压开关、电源转换与负载驱动电路，常见参考方向：换电柜控制、车灯驱动、雾化 / 加湿器、美容小家电、蓝牙音箱、电弧打火机、舞台灯、马达驱动、小型逆变器、无线充电、POE 供电、无刷电机、电动工具、PD 快充、太阳能小电源、防盗控制器、充电器、电动车转换器等。

惠海半导体原厂中低压 MOS 管矩阵参考

产品线覆盖 VDs ±20V～±250V 低压沟槽 MOS，区分 P 沟道、N 沟道，提供多种封装规格，方便方案选型匹配：

✅ P 管 SOT23-3L：3401、10P03、5P04、4P06、5P10

✅ N 管 SOT23-3L：3400、8N03、6N04、6N06、3N10、5N10、6N10、2N15、5N12、15N10、30N10、50N10、90N10、30N12、15N15、50N15、10N20

✅ N 管 PDFN5*6 / TO-252：30N03、60N03、90N03、120N03、100N04、90N04、30N06、50N06、90N06、120N06

✅ P 管 TO-252：100P02、60P06、30P10、50P10、20P15、20P20

✅ N 管 SOT89：15N10、12N06、40N06、20N03、15N15、10N20

✅ N 管 PDFN3×3：30N03、60N03、90N03、25N06、50N06、70N06、15N10、25N10、45N10、70N10、10N15

惠海原厂 30V MOS管型号选型：

HG3019D、HC009N03L、HCK008N03M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC020N03LD、HC013N03M、HC3600M、HC3400M、HCC3400M、HCP3400M、HC3600G、HC3400Y、HCC3400Z、HCM3400Z、HCP3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。