第三代半导体产业联盟诞生，咱们一起“变道超车”

小编语：小编也是惊呆了，这个“第三代半导体产业技术创新战略联盟”看上去好大的愿景--在国际上抢占产业发展制高点，重构全球半导体产业格局。曾几何时，国内也曾掀起一轮“IGBT”狂潮，而这一轮疯狂跃进的结果还不如LED、太阳能产业，几乎是雁过“无痕”，最后以南车收购加拿大IGBT企业获得相应产线收场。第三代半导体材料以各大科研机构为背景，拉起如此大旗，小编佩服其决心，但也担心其逃不开长久以来国内科研和商用脱节的魔咒，只能说“祝好运”……

9月9日下午，在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”（简称“联盟”）正式成立。

科技部副部长曹健林、高技术司赵玉海司长，工信部原材料司综合处常国武处长，科技部高技术研究发展中心秦勇主任，北京市科学技术委员会闫傲霜主任，中国科学学与科技政策研究会李新男副理事长等出席成立大会。

据介绍，联盟发起的目的主要是围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业群，形成全国一盘棋的发展合力，抓住换道超车的历史性机遇，实现创新驱动发展，在国际上抢占产业发展制高点，重构全球半导体产业格局。

会议同期召开了联盟第一届理事会第一次工作会，进行了理事长、秘书长的选举。理事会邀请科技部副部长曹健林出任顾问委员会主任，提名中国科学院半导体研究所、北京大学、南京大学、西安电子科技大学、三安光电股份有限公司、国网智能电网研究院、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司等创新链条上的重要机构作为副理事长单位。

据悉，所谓第三代半导体材料是指近年来迅速发展起来的以GaN、SiC和ZnO为代表的新型半导体材料，具有禁带宽度大，击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”。第三代半导体材料在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域应用前景广阔。

目前，美、日、韩以及欧洲等发达国家已部署国家计划抢占第三代半导体材料战略制高点，而我国也十分重视第三代半导体材料与器件的研发及产业化。

与会专家认为，我国材料研发的整体水平与国际上差距不大。比如，在第三代半导体材料第一个产业化的应用方面--半导体照明已经在关键技术上实现突破，创新应用国际领先；在第三代半导体电子器件应用方面，在移动通讯、光伏逆变、雷达领域已有少量示范应用。