联华电子为全球半导体晶圆专工业界的领导者,提供高质量的晶圆制造服务,专注于逻辑及特殊技术,为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的制程技术及制造解决方案,包括逻辑 / 射频、嵌入式高压解决方案、嵌入式快闪存储器、RFSOI/BCD,以及所有晶圆厂皆符合汽车业的 IATF-16949 制造认证。

 

联电现共有十二座晶圆厂,策略性地遍及亚洲各地,制程技术范围由 5 微米至 0.11 微米,提供客户多样应用的选择,并可提供客制化制程,以因应快速演进的市场,服务日益增加的半导体芯片需求。

 

联电拥有 4 座营运中的先进 12 英寸晶圆厂。位于台南的 Fab 12A 于 2002 年进入量产,目前已运用先进 14 及 28 纳米制程为生产客户产品,研发制造复合厂区由三个独立的晶圆厂,P1&2、P3&4 以及 P5&6 厂区组成,月产能目前超过 87000 片;位于新加坡白沙晶圆科技园区 Fab 12i 为联电特殊技术中心,于 12 英寸特殊制程的生产制造上,提供客户多样化的应用产品所需 IC,目前月产能达 50000 片;位于中国厦门的联芯 FAB12X,已于 2016 年第 4 季度开始量产,其总设计月产能为 50000 片,目前月产能接近 20000 片;位于日本三重县 USJC 月产能 33000 片,提供最小至 40 纳米的逻辑和特殊技术。除了 12 英寸厂外,联电还拥有的七座 8 英寸厂与一座 6 英寸厂,每月总产能超过 750000 片约当 8 英寸晶圆。

 

开疆拓土

1980 年 5 月 22 日,联电(联华电子;United Microelectronics Corporation;UMC)从台湾工研院分拆成立,杜俊元出任第一任总经理。作为台湾首家民营集成电路公司,成立之初的联电主要生产电子表、计算器与电视用集成电路(IC)。联电也是台湾第一家提供晶圆专业代工服务的公司。

 

1982 年 4 月,联电建成台湾首条 4 英寸晶圆生产线(工厂代号 UMC1)。

1982 年 11 月,联电达损益平衡,

1982 年,联电全年实现营收达新台币 1.9 亿,员工 380 人。

1983 年 6 月,联电月销售额首度突破新台币 1 亿元。

1983 年,联电全年实现营收增至 11 亿,员工 610 人。

1984 年,联电成立研发部门,自主进行产品和工艺的研发,走上良性成长阶段。

1985 年 7 月 16 日,联电股票在台湾证券交易所公开上市,代号:2303。

1989 年,联电 6 英寸晶圆生产线投产(工厂代号 UMC2,现 FAB 6)

1993 年 6 月 10 日,联电分拆知识产权(IP)和 NRE 部门成立智原科技(Faradry;1999 年 10 月 27 日上市,代号:3035)。

1994 年,联电完成 0.5 微米制程研发。

 

艰难转型

1995 年 7 月,联电转型为纯晶圆代工(Foundry)公司。

1995 年 7 月,联电和 Alliance、S3 合作成立联诚半导体(United Semiconductor Corp.,USC),是现在的 FAB 8B 厂。

1995 年 8 月,联电与 Trident、ATi、ISSI 等七家公司合作成立联瑞科技(United Integrated Circuits Corporation,UICC),是现在的 FAB 8D 厂。

1995 年 9 月,联电和两家 IC 设计公司合作成立联嘉积体电路(United Silicon Incorporated Corp.,USIC),是现在的 FAB 8C 厂。

1995 年 9 月,联电 8 英寸晶圆厂(原 UMC3,现在 FAB 8A)开始生产。

1996 年 1 月,联电 0.35 微米制程开始生产(联嘉二厂)。

1996 年 5 月 29 日,联电将计算机事业部门分拆成立联阳半导体(ITE;2002 年 10 月 24 日上市,代号:3014)。联阳早期专注于台式电脑(PC)及笔记型电脑(NB)控制芯片的开发设计,后并购联盛半导体、绘展科技、晶瀚科技,使得公司扩充了快闪存储器控制芯片、数字电视接收控制芯片、多媒体控制芯片以及模拟芯片等新的产品线。

1996 年 8 月 16 日,联电将通讯事业部门分拆成立联杰国际(DAVICOM Semiconductor;2007 年 8 月 6 日上市,代号:3094)。

1997 年 5 月 28 日,联电将多媒体事业部门分拆成立联发科技(MediaTek;2001 年 7 月 23 日上市,代号:2454),包括蔡明介在内的 20 多人的初始团队从 CD-ROM 芯片开始出发。

1997 年 5 月 28 日,联电将消费性部门分拆成立联咏科技(Novatek;2001 年 4 月 24 日上市,代号:3034)。

1997 年 7 月,联电将内存事业部门分拆成立联笙电子(AMIC)。

1997 年 10 月,联电 0.25 微米制程开始生产。

1998 年 4 月,联电收购合泰半导体(现盛群半导体,Holtek)的 8 英寸晶圆厂(现 FAB 8E)。

1998 年 5 月,联电 UMC5(现 FAB 8F)动工兴建。

1998 年 12 月,联电收购新日铁半导体(1999 年中文名称更名为联日半导体株式会社,2001 英文名称更名为 UMC Japan),成为日本唯一少量多样生产模式的晶圆代工厂。

1999 年 1 月,联电单月营收首度超过新台币 20 亿。

1999 年 3 月,联电 0.18 微米制程开始生产。

1999 年 11 月,联电南科 12 英寸晶圆厂正式建厂。

 

世纪曙光

2000 年 1 月 3 日,联电、联诚、联瑞、联嘉、合泰等合并成立联电集团;张崇德、温清章就任总经理。

 

 

2000 年 1 月,联电集团单月营收首度超过新台币 60 亿。

2000 年 3 月 27 日,联电宣布产出业界首批铜制程芯片,首个芯片是赛灵思(Xilinx)的 FPGA 产品。

2000 年 5 月 12 日,联电宣布产出第一颗 0.13 微米制程芯片,产品是 2M SRAM。

2000 年 9 月 19 日,联电在纽约证券交易所发行 9000 万单位存托凭证(代码:UMC),成为第一家在纽交所上市的台湾半导体公司。共募集 13 亿美元,创下台湾公司在纽约证券交易所首度上市的交易金额纪录。

2000 年 10 月 27 日,联电 FAB 12A 厂举行上梁典礼,预定 2001 年 Q3 投产。

2000 年 12 月 1 日,联电和日立合资的 Trecenti 的 12 英寸晶圆厂成功产出全球第一批 12 英寸代工晶圆。首批产品是 0.18 微米制程的 4M 和 8M SRAM。

2000 年 12 月 15 日,联电宣布投资 36 亿美元和英飞凌于新加坡合资筹建 12 英寸晶圆制造厂(UMCi)。

2000 年,联电全年营收首度超过新台币 1000 亿。

2001 年 4 月 12 日,联电旗下新加坡 12 英寸晶圆厂动工。

2002 年 4 月 1 日,联电宣布宣明智接替曹兴诚担任首席执行官。

2002 年 2 月,联电退出和日立合资的 Trecenti。

2003 年 1 月,联电新加坡 12 英寸晶圆厂进行装机。

2003 年 3 月,联电产出第一颗 90 纳米制程 IC。

2003 年 7 月 15 日,联电宣布胡国强博士接替宣明智先生担任首席执行官。

2004 年 3 月,联电旗下新加坡 12 英寸晶圆厂迈入量产阶段。

2004 年 5 月,联电 90 纳米制程完全通过验证并迈入量产。

2004 年 6 月,联电单月营收首度超过新台币 100 亿。

2004 年 7 月,联电并购硅统半导体的 8 英寸晶圆制造厂,是现在的 FAB 8S 厂。

2004 年 12 月,联电正式收购旗下子公司 UMCi,并改名为 Fab 12i。

2005 年 6 月,联电产出业界第一颗 65 纳米芯片。

2005 年 8 月,联电 90 纳米晶圆出货量逾 10 万片。

2006 年 6 月,联电成为全球第一家全公司所有厂区均完成 QC-080000 IECQ HSPM 认证之半导体制造商。

2006 年 11 月,联电产出第一颗 45 纳米制程测试芯片。

2007 年 1 月,联电扩大位于台南科学园区的生产研发基地。

2007 年 5 月 22 日,联电位于台南的新研发大楼建成。

2007 年 8 月 17 日,联电设立首设 COO 陪伴,由孙世伟副总裁兼任。负责 12 英寸晶圆厂的营运。

2008 年 7 月 16 日,联电宣布洪嘉聪为新任董事长,任命孙世伟为执行长。

2008 年 10 月,联电产出晶圆代工业界第一个 28 纳米制程 SRAM 芯片。

2009 年 4 月,联电产出 40 纳米芯片。

2009 年 12 月,联电正式收购日本子公司 UMCJ。

2010 年 12 月,联电南科 12A 厂第三期进入量产。

2011 年 10 月,联电 28 纳米制程进入试产。

2012 年 5 月 24 日,联电南科 12A 厂第五第六期厂房动土典礼。

2012 年 11 月,联电宣布颜博文接替孙世伟担任首席执行长。

2013 年 3 月,联电完成收购和舰科技,是现在的 FAB 8N 厂。

2013 年 5 月,联电打造 Fab12i 厂为特殊技术中心(Specialty Technology Center of Excellence)。

2014 年 8 月,联电入股富士通旗下新晶圆代工子公司三重富士通半导体

2014 年 10 月 9 日,联电与厦门市政府及福建省电子信息集团成立合资公司联芯集成,运营 12 英寸晶圆代工业务,项目总投资预计达 62 亿美元,设计规划最大月产能为 12 英寸晶圆 5 万片。

2015 年 3 月 26 日,联电旗下厦门联芯集成 12 英寸生产厂房动土典礼。

2016 年 11 月 16 日,联电旗下厦门联芯集成 FAB 12X 厂进入量产。

2017 年 2 月 23 日,联电 14 纳米工艺进入量产。

2017 年 5 月 22 日,联电旗下厦门联芯 28 纳米正式量产出货。

2017 年 6 月 14 日,颜博文辞任首席执行长职位,由王石、简山杰担任共同总经理,王石主外掌管市场,简山杰对内掌控技术、研发。

2018 年 6 月,联电董事会通过购买与富士通合资公司的全部股权。

2018 年 7 月,联电单月营收创历史最高,营收高达新台币 143 亿。

2019 年 7 月 21 日,联电撤销子公司和舰芯片原订赴中国大陆科创板上市计划。

2019 年 10 月,联电完成收购富士通旗下三重富士通半导体,成为 100%完全独资的子公司,更名为 United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。

2020 年 7 月,联电 7 月营收再创历史新高,营收高达新台币 154.95 亿元。