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近日，半导体领域多个项目迎来最新进展，涉及晶圆制造、芯片封装及测试、半导体设备、功率器件、第三代半导体材料等多个领域。
总投资近17亿元，晶旭半导体二期项目预计8月主体落成
近日，据上杭融媒消息，福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称“晶旭半导体”）二期项目已完成三通一平工程量的90%，现正进行地基施工中。
据晶旭半导体负责人消息，该项目总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建成全球首条氧化镓基超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线，首批产线应该会实现400kk的年产能。是2023年12月份开建，目前已完成整个桩基地下工程部分，正在做桩基测试部分。预计在今年4月底5月初完成主体生产厂房封顶，8月份项目主体工程会落成。
2月2日，深圳市睿悦投资控股集团有限公司与晶旭半导体的战略投资签署仪式举行。此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人，对晶旭半导体战略投资亿元人民币，助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。
光安伦拟投建高端芯片产品测试及验证项目
据武汉左岭新城开发投资有限公司消息显示，光芯片企业武汉光安伦光电技术有限公司（以下简称“光安伦”）与高科左岭产业园签订协议，项目入驻武汉新城。光安伦拟在武汉高科左岭产业园内投资建设高端芯片产品测试及验证项目，项目总投资约5000万元，主要开展光芯片Bar条以后的解理、测试、分选、老化及验证等。
中国光谷消息显示，该项目可满足2.5G-100G速率高端芯片产品的解理、测试、老化、验证全工序批量作业。线体具有高自动化、高良率和高精度水平，可实现月产150-200万出货量，具备年产3000万只芯片的产品交付能力，可实现年产值近3亿元。
公开资料显示，光安伦公司成立于2015年，是国内光通信行业从芯片设计、外延生长、芯片制程、工艺开发以及测试、封装全流程的IDM（垂直整合制造）生产厂家。
广州增芯370亿项目搬入光刻机
3月11日，广州增芯科技有限公司12英寸先进智能传感器及特色工艺晶圆制造量产线项目（以下简称“增芯项目”）迎来工厂最核心设备--光刻机搬入，标志着增芯项目迎来项目建设的关键性节点，顺利进入调试投产准备阶段。
据悉，增芯项目一期计划投资370亿元，预计项目一期一阶段建成后，将具备年产24万片12英寸晶圆的生产能力，产品将主要应用于新能源智能汽车、超高清视频显示、高端装备、5G、人工智能、工业互联网等领域。
据增芯科技总经理张亮介绍，增芯此次引进的光刻机产能输出速率可达到260片/小时，其资金投入占整个工厂建设投资的约25%。
泓浒半导体泓桥基地项目开工建设
据泓浒半导体官方消息，3月11日，泓浒半导体泓桥基地项目开工建设。据悉，开设泓桥基地项目目的在于继续扩大企业研发规模，加速核心技术迭代，赋能半导体晶圆传输设备及核心零部件全国产化。
官方资料显示，泓浒半导体2016年成立于苏州，专注于半导体晶圆传输自动化设备研发和制造，该公司晶圆传输设备（SORTER/EFEM）在半导体设备前、中、后道工艺均有产品使用，其中8/12英寸晶圆分选设备进入国产主流大硅片生产线及先进封装线。
科阳半导体二期项目在苏相合作区开工奠基
3月8日，苏州科阳半导体有限公司二期工程项目在苏相合作区开工奠基。
苏州工业园区苏相合作区发布消息称，苏州科阳半导体有限公司从事晶圆级封装测试服务业，于2013年筹建，2014年量产，已成为年产30亿颗的晶圆级先进封装企业。科阳半导体专注先进封测技术的研发量产，4英寸、6英寸、8英寸和12英寸全尺寸晶圆级封装产品线，具有TSV、WLCSP、Bumping等多种封装能力。目前，科阳半导体一期1.7万方厂房的主要产线处于满产状态。
裕太微电子总部基地项目在苏州高新区开工
据苏州高新区发布消息，3月8日，裕太微电子总部基地项目在苏州高新区开工建设，将打造核心技术研发中心，为推动光子及集成电路产业发展，加快发展新质生产力再添强劲动能。
据悉，此次开工的裕太微电子总部基地项目坐落于太湖科学城功能片区，主要用于完善和扩大裕太微电子核心技术研发中心。项目强化车规级芯片与汽车产业链协同，构建更加融合的网状供应链生态。
裕太微电子股份有限公司落户苏州高新区以来，已实现了高速有线通信核心领域的全面国产化替代，是国内极少数拥有自主知识产权并实现多速率、多端口以太网物理层芯片大规模销售的供应商。去年在上交所科创板成功上市，成为“以太网物理层芯片第一股”。
北京顺义泰科天润项目一期投资4亿元，预计2028年达产
3月4日，北京顺义消息显示，顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。目前，项目正在进行打桩收尾和结构施工建设准备。
该项目将建设办公研发总部基地及应用于新能源汽车、国家电网等领域6-8英寸碳化硅功率器件生产基地，一期投资4亿元，年产SiC SBD和MOSFET等类型晶圆2万片，预计实现产值8亿元，2028年达产。
2023年3月27日，泰科天润总部项目在北京中关村顺义园举行开工奠基仪式。当时，中关村顺义园消息显示，泰科天润总部项目位于中关村顺义园第三代半导体产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园第三代半导体产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发生产用于新能源汽车、国家电网等领域的功率器件。
值得一提的是，在北京市2023年重点工程计划中，泰科天润总部及生产厂房项目在列。
渭南圆益半导体存储芯片材料配套项目开工
3月1日，渭南圆益半导体存储芯片材料配套项目开工仪式在陕西渭南经开区举行。项目总占地面积约11亩，总投资约1.26亿元。
渭南发布消息显示，渭南圆益半导体存储项目是渭南圆益的二期投资项目。据了解，渭南圆益半导体新材料有限公司是渭南经开区引进的韩国独资企业，也是渭南经开区引进外资投资的重大突破。
该项目主要建设半导体行业在芯片生产过程中使用的高纯度电子特气存储配套设施，项目计划建设期为1年，从2024年3月至2025年2月，项目建成运营后，将为三星半导体等行业龙头客户供应8种电子级特殊气体，主要用于半导体存储芯片生产过程中的吹扫、刻蚀、光刻等工艺环节。
沛塬电子研发中心落地临港新片区工
据上海临港消息，2月27日，上海沛塬电子有限公司（以下简称“沛塬电子”）临港研发中心正式入驻临港新片区海洋创新园·海立方园三期。
官方资料显示，沛塬电子2021年成立于上海临港，是一家专注于电源模块技术的公司，开展的高端功率半导体模组和高频算力芯片供电模组等高端电源变换器组件产品的国产化工作取得了快速突破。
据悉，沛塬电子计划在2024年将实现多款主流型号产品量产交付，并针对光储充、车载电机控制器等新能源领域应用场景的智能 功率模组IPM需求，开发相应技术和产品方案。
总投资20亿，嘉兴斯达SiC芯片项目计划3月投产
3月4日，南湖发布消息显示，近日，浙江省发改委公布了2024年浙江省扩大有效投资“千项万亿”工程，南湖区14个重大项目入选，其中嘉兴斯达微电子有限公司（以下简称“嘉兴斯达”）高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目等3个项目将于今年投产。
据悉，嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目建设地点位于嘉兴南湖区，总投资20亿元，总用地面积279亩，新增建筑面积20.6万平方米，新建生产厂房、动力楼、危化仓库等建构筑物，购置包括光刻机、涂胶显影机等工艺设备。建设单位为嘉兴斯达微电子有限公司，建设工期为2022-2024年，项目于2022年1月3日开工，计划2024年3月投入使用。项目投产后可实现年产36万片功率芯片生产能力。
强华股份集成电路核心装备新材料生产基地项目封顶
近日，上海强华实业股份有限公司（以下简称“强华股份”）“集成电路核心装备新材料生产基地项目”封顶仪式在上海临港产业区举行。
据悉，强华股份临港项目主要生产8英寸-12英寸高纯、高精度石英器件及其它相关硅基器件。该项目于2023年3月拿地，同年7月开工建设。
公开资料显示，强华股份是一家拥有20多年石英加工经验，主要从事高纯、高精度石英材料制品研发、生产及销售的企业，目前强华股份现已成为中芯国际、北方华创等国内一线集成电路制造商石英器件的核心供应商。
总投资约11亿，拓荆科技拟投建高端半导体设备产业化基地
3月1日，拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）发布公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”。
据公告披露，该项目由拓荆科技及其子公司拓荆创益共同实施，拟在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括千级生产洁净间、立体库房、测试实验室等。该产业化基地建成后，将进一步提高其的产能，以支撑PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。
具体来看，拓荆科技以公司及全资子公司拓荆创益为实施主体，项目总投资额约为11亿元，其中公司投资金额约为3.8亿元，拓荆创益投资金额约为7.2亿元。公司拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额2亿元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额5000万元，并将上述调减的募集资金合计2.5亿元投入“高端半导体设备产业化基地建设项目”，其余项目资金8.5亿元由公司及拓荆创益自筹。
总投资32.7亿，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用
据滨海宝安消息，近日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司建设运营，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”，助力广东打造国家集成电路产业发展“第三极”。
滨海宝安消息显示，该项目2021年11月开工建设，2022年11月关键生产区域厂房结构封顶，2023年6月衬底产线正式进入试运行阶段。
第三代半导体碳化硅材料生产基地总投资32.7亿元，是广东省和深圳市重点项目，深圳全球招商大会重点签约项目。其中，围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料，该项目重点布局了6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片，将有效解决下游客户在轨道交通、新能源汽车、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈，为深圳及广东本地龙头企业长期提供稳定可靠足量的衬底及外延材料，以加快推动全产业链核心技术自主可控和量产原材料保障。
未来，重投天科还将设立大尺寸晶体生长和外延研发中心，并与本地重点实验室在仪器设备共享及材料领域开展合作，与重点装备制造企业加强晶体加工领域的技术创新合作，联动下游龙头企业在车规器件、模组研发等工作上联合创新，并助力深圳提升8英寸衬底平台领域研发及产业化制造技术水平。
总投资30亿，上海新微半导体有限公司二期项目落地临港
据上海市建设工程交易服务中心消息，近日，位于临港新片区的上海新微半导体有限公司二期项目已开启资格预审，并在2月27日进行公开招标。
据悉，上海新微半导体有限公司二期项目建设内容为电子通信广电-微电子产品项目工程，拟新建多层厂房和仓库层数3层，工程总投资30亿元。
资料显示，上海新微半导体有限公司2020年1月成立于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，专注于为射频、功率和光电三大应用领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务，生产的芯片可广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等终端应用领域。不仅拥有完备的工艺制程和全套的解决方案，还为客户提供设计支持、MPW晶圆服务、光罩服务、测试与分析服务等增值服务。
新微半导体在国内外化合物半导体技术基础上，通过先进异质外延技术、新型键合技术和衬底技术，实现与硅工艺的深度融合，获得性能和成本的双重竞争力。为加速射频与光电相关化合物半导体领域技术产业化，加速完善上海集成电路产业生态、升级产业链相关环节，成立了上海市化合物半导体技术创新中心，目标是促进国内卓越的化合物半导体材料、器件、集成创新策源地的形成。
希尔电子功率半导体新项目厂房预计下半年投用
近日，3月5日，据“乐山发布”消息，位于四川乐山高新区的希尔电子功率半导体新项目厂房预计在今年下半年逐步投用，届时该公司将新增4个品类的生产线。
据悉，自2000年5月成立以来，希尔电子专注于功率半导体器件的研发、制造及销售，拥有从芯片设计、制造到器件研发、封测和销售的IDM完整产业链，具有年产300万片4英寸高端GPP/FRD芯片生产能力。公司主要产品为IGBT、FRD及整流器件三大系列，产品主要应用于消费电子、新能源、工业电源、工业控制和汽车电子等领域。
据报道，希尔电子从2015年开始研究IGBT芯片，经过多年努力，公司自主研发的IGBT产品在功率半导体器件行业位居前5，多项技术属于行业首创，已实现进口替代。
目前，在完成FRD、IGBT产品系列化开发的基础上，希尔电子加快了IPM、PIM集成模块和第三代半导体SiC、GaN等功率器件的研发步伐。在第三代半导体领域，希尔电子的SiC功率器件已逐步量产，GaN功率器件已经进入样品试制阶段。
业务方面，美的、格力、海尔等品牌均为希尔电子长期合作伙伴。近年来，希尔电子正在从家电电源向光伏、储能、新能源汽车等领域拓展，并已经与新能源汽车行业头部客户达成合作。
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