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适用于5G基础设施的 RapidRF Smart LDMOS前端设计

2023/04/25
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恩智浦的RapidRF Smart LDMOS前端设计进一步集成了高效射频功率放大器、线性预驱动器、带T/R开关的Rx LNA和环形器，整合在紧凑的封装中，同时功率放大器封装中包含偏置控制器和温度传感器。设计包含用于DPD反馈的耦合器，并将与数字预失真一起使用。

对于要求天线平均发射功率为2.5至8瓦(34-39 dBm)的5G射频单元，RapidRF参考板是上佳选择。通用PCB布局用于多个频段，简化了设计和制造，加快了产品面市速度。

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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