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扫码加入适用于5G基础设施的 RapidRF Smart LDMOS前端设计
恩智浦的RapidRF Smart LDMOS前端设计进一步集成了高效射频功率放大器、线性预驱动器、带T/R开关的Rx LNA和环形器，整合在紧凑的封装中，同时功率放大器封装中包含偏置控制器和温度传感器。设计包含用于DPD反馈的耦合器，并将与数字预失真一起使用。
对于要求天线平均发射功率为2.5至8瓦(34-39 dBm)的5G射频单元，RapidRF参考板是上佳选择。通用PCB布局用于多个频段，简化了设计和制造，加快了产品面市速度。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002-T1-E3 | 1 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal |
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$0.37 | 查看 | |
| SMP100LC-400 | 1 | STMicroelectronics | Trisil™ for telecom equipment protection |
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$1.58 | 查看 | |
| 640456-3 | 1 | TE Connectivity | (640456-3) 03P MTA100 HDR ASSY F/L SQ STR |
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$0.23 | 查看 |
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