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扫码加入适用于5G基础设施的 RapidRF Smart LDMOS前端设计
恩智浦的RapidRF Smart LDMOS前端设计进一步集成了高效射频功率放大器、线性预驱动器、带T/R开关的Rx LNA和环形器，整合在紧凑的封装中，同时功率放大器封装中包含偏置控制器和温度传感器。设计包含用于DPD反馈的耦合器，并将与数字预失真一起使用。
对于要求天线平均发射功率为2.5至8瓦(34-39 dBm)的5G射频单元，RapidRF参考板是上佳选择。通用PCB布局用于多个频段，简化了设计和制造，加快了产品面市速度。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT3904WT1G | 1 | onsemi | NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.16 | 查看 | |
| AEQ05246 | 1 | Knowles Corporation | RC Network, Isolated, Surface Mount, 2 Pins, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 | |
| C0603C472K5RACTU | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 4700pF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked |
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$0.1 | 查看 |
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