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扫码加入适用于5G基础设施的 RapidRF Smart LDMOS前端设计
恩智浦的RapidRF Smart LDMOS前端设计进一步集成了高效射频功率放大器、线性预驱动器、带T/R开关的Rx LNA和环形器，整合在紧凑的封装中，同时功率放大器封装中包含偏置控制器和温度传感器。设计包含用于DPD反馈的耦合器，并将与数字预失真一起使用。
对于要求天线平均发射功率为2.5至8瓦(34-39 dBm)的5G射频单元，RapidRF参考板是上佳选择。通用PCB布局用于多个频段，简化了设计和制造，加快了产品面市速度。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 828905-1 | 1 | TE Connectivity | SINGLE-WIRE-SEAL(5MM HOLE) |
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$0.11 | 查看 | |
| B82464G4104M000 | 1 | TDK Corporation | 1 ELEMENT, 100uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, ROHS COMPLIANT |
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$2.54 | 查看 | |
| SMBJ30A-E3/52 | 1 | Vishay Intertechnologies | DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppressor |
|
|
$0.26 | 查看 |
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