ARCHIVED - MMRF1018NR1, MMR1018NBR1 470-860 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MMRF1018NR1, MMR1018NBR1 470-860 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

The MMRF1018NR1 and MMRF1018NBR1 are 90 W RF power LDMOS transistors and are designed for wideband RF power amplifiers covering the frequency range of 470 to 860 MHz.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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