MRF6P18190HR6 1805-1880 MHz, 44 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

MRF6P18190HR6 1805-1880 MHz, 44 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF6P18190HR6 1805-1880 MHz, 44 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

相关推荐