MRF6S9125NR1, MRF6S9125NBR1 865-960 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S9125NR1, MRF6S9125NBR1 865-960 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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