MRFG35003M6T1 3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FETs GaAs PHEMT - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFG35003M6T1 3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FETs GaAs PHEMT - Archived

The MRFG35003M6T1 is designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from 0.5 to 5.0 GHz. Devices are unmatched and are characterized for use in Class AB Customer Premise

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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