MRF186 1.0 GHz, 120 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF186 1.0 GHz, 120 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET - Archived

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 800 MHz-1 GHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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