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三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。 收起 展开全部

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  • 晶圆级封装Bump制作中锡膏和助焊剂的应用解析
    在晶圆级封装(WLCSP)的Bump(凸点)制作中,锡膏与助焊剂并非所有工艺都必需——电镀法通过金属沉积形成凸点主体,仅在回流环节需微量助焊剂辅助;但(中低密度Bump主流工艺)和(大尺寸Bump工艺)中,二者是决定凸点成型质量、可靠性的核心材料。以下针对这两类核心工艺,详细拆解锡膏与助焊剂的应用环节、操作细节及技术要求。 一、焊料印刷法:锡膏为“骨”,助焊剂为“脉”的凸点成型工艺 焊料印刷法通过
  • 世界芯片产业地图——厦门
    近年来,厦门市精心打造集成电路产业,已形成涵盖设计、制造、封测、装备及材料等环节的完整产业链。根据世界集成电路协会发布的报告,厦门在全球集成电路产业综合竞争力百强城市中位列第49位,在中国大陆城市中排名第14位。 2023年总产值突破500亿元,2024年集成电路产量同比增长近30%,增速显著高于电子信息产业平均水平。厦门在通信芯片、图像芯片等集成电路设计环节,特色工艺、化合物半导体等制造环节,以
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    09/30 08:27
    世界芯片产业地图——厦门
  • 锡膏是如何在Mini LED固晶扮演 微米级连接基石
    Mini LED固晶面临精度(±5微米)、散热(功率密度100W/cm²)、均匀性(间隙5-50微米)三大挑战,固晶锡膏通过超细颗粒(5-15μm)、高导热合金(60-70W/m・K)、环境适配配方,成为破解难题的核心材料。COB、COG、MiP等封装工艺对锡膏的黏度、强度、耐温性提出差异化需求,推动锡膏在颗粒度、合金体系、助焊剂上持续创新。行业趋势显示,设备精度提升、材料配方优化、晶圆级工艺(如COW)的协同进化,正加速Mini LED从技术验证走向规模化应用,而固晶锡膏作为“微米级连接基石”,将持续支
  • 元器件交易动态周报-本土汽车、消费电子的强劲表现带动功率器件需求上升
    核心观点: 2025年4月,中国汽车产销增长强劲,推动功率器件需求提升,尤其车规级半导体国产化空间大。二季度消费电子旺季,且国补政策影响下,需求稳定。交货周期方面,主流厂商的低压与高压Mosfets、IGBTs交货周期多呈上升态势,行业供应偏紧。价格上,二极管价格微增,Mosfets价格下降,但整体行业呈现量增价稳趋势。 三大维度解读功率器件最新供需动态: 市场需求分析 图 | 二极管四方维商品动
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    05/19 10:00
    元器件交易动态周报-本土汽车、消费电子的强劲表现带动功率器件需求上升
  • 8英寸碳化硅衬底/外延,全球量产大比拼
    过去几年,随着碳化硅(SiC)器件在电动汽车和光伏等领域的广泛应用,市场需求迎来爆发式增长。在此背景下,全球6英寸碳化硅衬底/外延生产能力快速扩张。 然而,由于前期过度投资,碳化硅材料开始出现供过于求的现象,且下游电动汽车率先进入竞争性降价,国产碳化硅相关的产品从衬底、外延、器件、模组等产品纷纷大幅降价。据行业人士透露:两年前,全球领先的碳化硅材料企业Wolfspeed,其主流的6英寸碳化硅晶圆售
    8英寸碳化硅衬底/外延,全球量产大比拼
  • 重庆三安8英寸碳化硅衬底厂点亮通线!
    车用碳化硅市场,近日再次传出利好消息。三安光电相关负责人近日透露,重庆三安项目(系8英寸碳化硅衬底配套工厂)已实现衬底厂的点亮通线。
    重庆三安8英寸碳化硅衬底厂点亮通线!
  • SiC器件,中外现况
    近年来,以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体材料备受关注,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 碳化硅器件按照电阻性能的不同,可以分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。 ①导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖
    SiC器件,中外现况
  • 三安光电宣布整合射频、光芯片两大业务!
    三安光电发布了全资子公司与全资孙公司之间业务整合与股权转让的公告,涉及射频、光芯片两大业务的整合,以及两家公司股权的内部转让,目的是提升三安光电整体业务发展,增强业务协同与融合。
    三安光电宣布整合射频、光芯片两大业务!
  • 三安半年报:SiC业务增长178.86%,900V GaN器件完成开发
    8月4日晚间,三安光电公布了2023年半年报,报告期内整体营收约64.69亿元,同比下降4.33%;归属于上市公司股东的净利润1.7亿元,同比下降 81.76%;归属于上市公司股东的扣非净利润为-5.55亿元,总体情况大致与7月份公布的业绩预告相符。
    三安半年报:SiC业务增长178.86%,900V GaN器件完成开发
  •    DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
    在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下特别火热的发展领域之一。终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强,与此同时,各国能效标准也不断演进,在此背景下,SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性,正在不同的应用领域发光发热。
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    2023/07/07
       DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
  • 向8英寸进击,拿下SiC的天王山!
    6月7日,平地一声惊雷,一则合资建厂的消息震动整个SiC市场,三安光电和意法半导体两位主角宣布,将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂,根据意法半导体的估算,到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收,作为对比,2022财年,Wolfspeed的营收为7.462亿美元,同比增长42%。
    向8英寸进击,拿下SiC的天王山!
  • 228亿,意法半导体 x 三安光电,他们在谋划什么?
    6月7日,国际半导体大厂意法半导体和国内化合物半导体知名厂商三安光电宣布,双方已签署协议,将在重庆建立一个新的8吋碳化硅器件合资制造厂。
    228亿,意法半导体 x 三安光电,他们在谋划什么?

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