• 正文
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

BGA植球中助焊剂的应用工序及核心要求

12/17 10:40
313
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

BGA植球是实现芯片基板互连的关键工艺,助焊剂的应用直接决定焊球定位精度、焊接可靠性与焊点质量,其工序适配性、性能要求均与其他封装焊接存在显著差异。

一、BGA植球中助焊剂的核心应用工序

助焊剂仅在焊球放置前的涂覆工序集中使用,是植球工艺的“桥梁”。

助焊剂在BGA植球中的工序大概为:焊盘预处理(清洗除氧化)后、焊球放置前,通过针转移、钢网印刷或喷雾方式,在BGA焊盘表面均匀涂覆一层助焊剂。

核心作用包括:

1、粘结固定——利用助焊剂常温下的粘性,将预成型焊球精准吸附在对应焊盘上,避免运输至回流炉过程中移位。

2、活化润湿——回流时助焊剂清除焊盘(如Ni/Au、CuOSP)与焊球表面氧化层,降低焊料表面张力,促进焊球与焊盘冶金结合。

3、防氧化保护——挥发产生的气体隔绝空气,避免焊接过程中焊球二次氧化。

二、BGA植球对助焊剂的专属要求

基于植球工艺“定位精准、细间距适配、低缺陷” 的核心需求,助焊剂需满足以下6点关键要求:

1、粘度适配。常温粘度需控制在5000-15000cP(25℃),既要保证焊球吸附后30分钟内无移位,又要避免粘度过高导致焊球无法与焊盘充分贴合。细间距 BGA(≤0.5mm)需选用更高粘度(10000-15000cP),防止回流时焊球漂移桥连。

2、活性适中。选用中等活性(RMA级),有机酸含量3%-5%——既能有效清除轻度氧化层(如NiO、SnO₂),又不会腐蚀焊盘镀层(尤其Au/Ni 镀层),避免焊后出现黑盘现象。

3、残留特性。免清洗配方,残留量≤0.3mg/cm²,且残留膜需具备高绝缘性(绝缘电阻≥10¹²Ω)、无腐蚀性,避免细间距焊点间漏电或长期使用后氧化失效。

4、温度窗口匹配。活性温度区间需覆盖焊料熔点(如SAC305焊球对应180-245℃),回流时助焊剂挥发速率与焊球熔化节奏同步,无爆沸现象(防止产生焊点空洞)。

5、铺展控制:铺展率≤120%,避免助焊剂过度流动导致相邻焊球粘连(桥连),尤其适配0.3mm以下超细间距植球。

6、环保合规:无卤素(Cl⁻+Br⁻<0.1%)、无铅,符合RoHS 2.0、AEC-Q101标准,适配消费电子汽车电子等场景。

三、与其他封装焊接助焊剂的核心差异

BGA植球助焊剂的设计逻辑聚焦“定位 + 润湿”双重需求,与SMT回流焊功率器件钎焊、WLCSP Bump制作的助焊剂差异显著。其差异如下表格:

封装类型 核心差异点 助焊剂关键特性对比
BGA植球 侧重焊球定位与防漂移 高粘度、中等活性、低铺展率、低残留
SMT回流焊

(锡膏)

侧重印刷适配与润湿 低粘度(2000-8000cP)、活性可调、触变性强(预混于锡膏)
功率器件钎焊

SiC/晶闸管

侧重高温稳定性 高温活性(200-300℃)、高绝缘性、低挥发物
WLCSP Bump制作 侧重细间距印刷精度 超细粉适配(7/8 号粉)、高触变性、极低空洞率

具体差异解析:

SMT助焊剂多预混于锡膏,粘度更低以适配钢网印刷,触变性强(防坍塌)。而 BGA 植球助焊剂需独立涂覆,粘度更高以实现焊球固定,铺展率更严格(防桥连)。

功率器件钎焊温度高(250℃以上),助焊剂需具备高温活性与低挥发特性。BGA植球回流温度较低(245℃以下),更侧重粘度控制与定位精度,无需耐受极端高温。

WLCSP Bump间距更小(≤50μm),助焊剂需适配超细焊粉印刷,侧重空洞抑制。BGA植球间距较大(≥0.3mm),核心痛点是焊球漂移与桥连,对粘度和铺展率的要求更突出。

简言之,BGA植球助焊剂的核心竞争力在于“粘性与活性的平衡、铺展与残留的控制”,这是区别于其他封装焊接助焊剂的关键,也是保障植球良率的核心。

三安光电

三安光电

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。收起

查看更多

相关推荐

登录即可解锁
  • 海量技术文章
  • 设计资源下载
  • 产业链客户资源
  • 写文章/发需求
立即登录