瑞斯特半导体RST

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  瑞斯特(RST) MBR2060F 肖特基势垒整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR2060F是一款20A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-220F全塑封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为60V，平均整流输出电流IO（总计）为20A，每臂10A，正向电压降VF在IF=10A时典型值为0.7V、最大值为0.74V，反向漏电流IR在VR=60V、TJ=25°C时最大为0.05mA（

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  瑞斯特(RST) MBR4060F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR4060A 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060A是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的双共阴极肖特基势垒整流器，额定参数为40A平均整流电流、60V峰值重复反向电压，内部集成两个独立的肖特基二极管管芯，共用中间引脚作为公共阴极，两侧引脚分别为两个阳极，形成对称的双二极管结构。平面肖特基工艺通过在硅外延层表面形成金属-半导体势垒接触，相比传统台面（Mesa）结构具有更优的表面钝化效果和更高的长期

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  瑞斯特(RST) MBR4060E 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极

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  瑞斯特(RST) MBR4045F 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4045F是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的双共阴极肖特基势垒整流器，额定参数为40A平均整流电流、45V峰值重复反向电压，内部集成两个独立的肖特基二极管管芯，共用中间引脚作为公共阴极，两侧引脚分别为两个阳极，形成对称的双二极管结构。平面肖特基工艺通过在硅外延层表面形成金属-半导体势垒接触，相比传统台面（Mesa）结构具有更优的表面钝化效果和更高的长期

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  瑞斯特(RST) MBR4045E 肖特基势垒整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR4045E是一款40A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-263表面贴装封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为45V，平均整流输出电流IO（总计）为40A，每臂20A，正向电压降VF在IF=20A时典型值为0.58V、最大值为0.62V，反向漏电流IR在VR=45V、TJ=25°C时最大为0.05m

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  瑞斯特(RST) MBR4060W 采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6045A 采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220A封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管

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  瑞斯特(RST) MBR6045E 采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极

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  瑞斯特(RST) MBR6045F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6045W平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6060F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6060A 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6060A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220A封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管

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  瑞斯特(RST) MBR6060W 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6060W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR10100E 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR10100E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于10A/100V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立

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  MBR10100A 一款10A/100V平面肖特基势垒整流器

  MBR10100A是瑞斯特(RST)推出的一款10A/100V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流5A，总平均整流输出电流10A，峰值重复反向电压(VRRM)达100V，在25℃结温、5A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.77

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  瑞斯特(RST)MBR10150E 10A/150V平面肖特基势垒整流器

  MBR10150E是瑞斯特(RST)推出的一款10A/150V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流5A，总平均整流输出电流10A，峰值重复反向电压(VRRM)达150V，在25℃结温、5A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.83

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  瑞斯特(RST) MBR10100F是 10A/100V肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR10100F是一款采用平面肖特基势垒结构的10A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220F全塑封装，相比传统TO-220金属背板封装，TO-220F在引脚与散热片之间提供了电气隔离，可直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化了电源系统的热管理设计。封装外

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  瑞斯特(RST) MBR10150F 10A/150V肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR10150F是一款采用平面肖特基势垒结构的10A/150V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220F全塑封装，在引脚与散热片之间提供了电气隔离，可直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化了电源系统的热管理设计。封装外形尺寸约为15.09mm×10.20mm×6.1

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  瑞斯特(RST)MBR10200A 10A/200V平面肖特基势垒整流器

  MBR10200A是瑞斯特(RST)推出的一款10A/200V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流5A，总平均整流输出电流10A，峰值重复反向电压(VRRM)达200V，在25℃结温、5A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.85

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