瑞斯特半导体RST

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  RST20N02YD RevA 瑞斯特 SOP-8 封装单 N 沟道增强型功率MOS

  RST20N02YD RevA 是瑞斯特推出 SOP-8 封装单 N 沟道增强型功率 MOS，采用沟槽芯片工艺，核心规格为 20V 漏源耐压、20A 连续额定电流，主打低压大电流低导通损耗场景。器件低压驱动表现优异，4.5V 栅压下典型导通电阻仅 4.6mΩ，2.5V 低逻辑驱动时典型值 5.8mΩ，适配 3.3V/5V 通用 MCU 直接驱动；器件全产完成 UIS 雪崩与内置栅电阻检测，单脉冲雪

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  瑞斯特RST100D85 RevA 集成双独立 N 沟道增强型 MOS 器件

  RST100D85 RevA 为 SOP-8 标准封装集成双独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单管额定耐压 100V、连续电流 3.5A，单颗封装集成两路完全隔离 N 管，可同步实现两路独立功率控制。器件驱动兼容性良好，10V 栅压下典型导通电阻 78mΩ，4.5V 逻辑驱动工况典型值 83mΩ，出厂完成 UIS 雪崩与栅电阻全项检测，单脉冲雪崩能量 12mJ，具备基础感性浪涌防护能力。静态电气

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  瑞斯特RST2012 集成双路独立 N 沟道增强型 MOS 器件

  RST2012 是采用 TSSOP8 超薄封装的集成双路独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单管额定 20V 耐压、25℃环境 7.5A 连续导通电流，核心优势为超低压导通内阻与宽范围低逻辑驱动适配能力，2.5V、3.1V、4V、4.5V 多档栅压下导通内阻分别仅 14.5mΩ、13mΩ、12mΩ、10mΩ，适配笔记本、便携设备通用低电压 MCU 直接驱动。器件出厂完成 100% UIS 雪崩测试

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  RST2098SM REVA 双通道独立 N 沟道增强型 MOS 器件

  RST2098SM REVA 是采用 DFN2×3 小型底部散热封装的双通道独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单管额定 20V 耐压、25℃环境下 9.7A 连续导通电流，核心优势为多档位低压驱动搭配极低导通内阻，4.5V 栅压典型 Rds (on) 仅 6mΩ，2.5V 低逻辑驱动工况也仅 7.3mΩ，适配单节锂电、3.3V/5V MCU 直接驱动。器件全产完成 UIS 雪崩检测并集成栅极 E

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  瑞斯特 (RST) RST40N13S RevA为SOP-8封装沟槽工艺单N沟道增强型MOSFET

  瑞斯特 (RST) RST40N13S RevA 为 SOP-8 封装沟槽工艺单 N 沟道增强型 MOSFET，额定 40V 耐压、25℃连续漏极电流 10A，引脚采用多漏极、多源极并联布局降低引线阻抗，全批次完成单脉冲 UIS 雪崩与栅电阻可靠性检测，无铅塑封符合 RoHS 标准；对标 NCE4012S、AO4884 等同规格 SOP8 单 N 沟 MOS，该器件高低栅压下导通内阻更低、雪崩耐受

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  瑞斯特 (RST) RST10C04 REVA N+P互补增强MOS管

  瑞斯特 (RST) RST10C04 REVA 为 SOP8 标准 JEDEC 封装集成对称 40V N+P 互补增强 MOS 管，采用沟槽芯片工艺，N 沟道、P 沟道额定连续电流均达 10A，是同封装同类产品中电流规格更高的型号，全批次完成 UIS 雪崩与栅电阻可靠性全检，无铅塑封符合 RoHS 标准；对比 AO4614、LC4614、CX4608 等国内外竞品，该器件 N/P 沟道导通内阻整体

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  瑞斯特RST30N02 RevA N沟道增强型功率MOS

  RST30N02 RevA 是瑞斯特推出 SOT-89 三引脚小型化 N 沟道增强型功率 MOS，采用沟槽管芯工艺，核心规格为 20V 漏源耐压、25℃环境 30A 连续额定电流，适配 2.5V/4.5V 低压逻辑驱动，4.5V 栅压下典型导通电阻 7.5mΩ，2.5V 低电平驱动典型值 9mΩ，相比同封装竞品导通损耗更低。器件出厂完成 UIS 雪崩、内置栅电阻 100% 全检，单脉冲雪崩能量可达

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  瑞斯特 (RST) RST10C06 REVA 60V沟槽型互补增强MOS器件

  瑞斯特 (RST) RST10C06 REVA 为 SOP8 标准封装 60V 沟槽型互补增强 MOS 器件，单颗芯片集成一路 60V N 沟道、一路 - 60V P 沟道，单通道 25℃连续电流均达 8A，对标 FS4559、NCE4688 等同规格 60V 双 MOS 竞品，具备更高持续电流与雪崩耐受能力，全产线完成单脉冲 UIS 雪崩与栅电阻可靠性检测，无铅塑封符合 RoHS 环保标准；±6

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  瑞斯特 (RST) RST8C03A2 REVA 集成 N+P互补增强型MOS芯片

  瑞斯特 (RST) RST8C03A2 REVA 为 PDFN3.3×3.3-8 贴片封装集成 N+P 互补增强型 MOS 芯片，单封装集成一路 N 沟道、一路 P 沟道功率管，N 沟道内置肖特基续流二极管，全器件完成 100% 单脉冲雪崩与栅电阻出厂可靠性测试，无铅塑封满足 RoHS 环保规范。器件耐压规格 30V，N 沟道持续电流 8A、P 沟道 7A，N 沟道低导通电阻表现突出，适配 4.5

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  RST7C04JM REVA 是瑞斯特推出 SOP-8 标准化封装互补双增强型 MOS 器件

  RST7C04JM REVA 是瑞斯特推出 SOP-8 标准化封装互补双增强型 MOS 器件，单颗封装内部集成独立 40V N 沟道与 - 40V P 沟道管芯，N 沟道常温 10V 驱动下典型导通电阻仅 22mΩ，4.5V 逻辑驱动为 33mΩ；P 沟道 - 10V 驱动导通电阻 55mΩ，-4.5V 工况 68mΩ，器件全部完成 UIS 雪崩、栅电阻全检，具备可靠抗浪涌能力。两款管芯连续额定电

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  瑞斯特 (RST) RST7C04 REVA 集成单N沟道 + 单P沟道复合增强型MOS器件

  瑞斯特 (RST) RST7C04 REVA 为标准 SOP-8 封装集成单 N 沟道 + 单 P 沟道复合增强型 MOS 器件，内部两路管芯完全独立隔离，N 沟道规格 40V/7A、P 沟道规格 - 40V/-7A，器件通过完整 UIS 雪崩可靠性测试，兼顾低导通阻抗、快速续流、宽温稳定运行特性，可直接构成半桥、同步整流、高低边配对功率拓扑，替代两颗独立分立 MOS，精简外围器件数量。N 沟道在

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  瑞斯特 (RST) RST6D10F REVA 集成双路独立 N沟道功率MOS器件

  瑞斯特 (RST) RST6D10F REVA 为 SOP-8 封装集成双路独立 N 沟道功率 MOS 器件，单管规格 100V 耐压、6A 连续导通电流，两颗 MOS 管相互独立，共用封装空间，可实现双路同步功率控制。器件栅源阈值电压区间 1V~2.5V，适配 4.5V 与 10V 两类常规驱动电平；25℃标准测试环境下，VGS=10V、ID=3.5A 时单管典型导通电阻 95mΩ，VGS=4.

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  瑞斯特 (RST) RST6D04 REVA 集成双独立N沟道增强型MOS器件

  瑞斯特 (RST) RST6D04 REVA 为 SOT-23-6 封装集成双独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单封装内置两组完全对称 NMOS 管芯，遵循 JEDEC TO-178 AB 封装规范，采用无铅塑封工艺，满足 RoHS 环保管控要求。器件极限电气参数标准化，单通道漏源耐压 40V，栅源允许电压 ±20V，25℃环境下单通道连续漏极电流 6.3A，70℃高温降额至 4.7A，300μ

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  瑞斯特 (RST) RST6C04 REVA 集成增强型 N+P互补双沟道功率MOS管

  瑞斯特 (RST) RST6C04 REVA 为 SOP-8 封装集成增强型 N+P 互补双沟道功率 MOS 管，单封装内部集成一组 N 沟道、一组 P 沟道 MOS 芯片，采用沟槽功率半导体工艺制造，器件全参数遵循 40V 中低压功率器件通用设计标准，封装尺寸符合 JEDEC MS-012 AA 规范，无铅镀层且满足 RoHS 环保要求。25℃标准环境下器件极限额定指标统一，N 沟道 VDS 耐

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  瑞斯特 (RST) RST4P06 REVA P沟道增强型功率MOS

  瑞斯特 (RST) RST4P06 REVA 为 SOT-23 标准封装 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面沟槽芯片工艺，主打 60V 耐压、4A 连续导通电流的中小功率开关特性，器件栅源阈值电压区间为 - 1.3V~-2.5V，适配 3.3V、5V 常规逻辑电平驱动。常温 25℃标准测试条件下，VGS=-10V、ID=-3A 时典型导通电阻仅 80mΩ，VGS=-4.5V、ID=-1.9

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  瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA P沟道增强型场效应晶体管

  瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 为 SOT23-3 封装 P 沟道增强型场效应晶体管，依托沟槽 MOS 工艺实现高压开关导通功能，器件额定漏源耐压 VDS=-100V，常温 25℃下连续漏极额定电流 ID=-2A，属于中小功率高压贴片开关器件。该器件栅源阈值电压区间 - 1V~-3V，在 VGS=-10V、ID=-2.5A 工况下典型导通电阻 RDS (ON)=270mΩ，VGS=

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  瑞斯特（RST）1SMA59xxB系列 单向瞬态电压抑制二极管

  1SMA59xxB系列是瑞斯特（RST）推出的表面贴装型单向瞬态电压抑制二极管，采用DO-214AC（SMA）封装，额定峰值脉冲功率为1.5W（25°C环境温度下），齐纳电压标称值容差为±5%。该系列产品基于玻璃钝化芯片结工艺，具备快速响应特性，能够在纳秒级时间内将过压钳位至安全水平，有效保护下游敏感电路免受静电放电（ESD）、雷击感应浪涌及感性负载切换等瞬态过压事件的损害。其电气特性测试遵循JE

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  瑞斯特（RST）E05D2-11UB 双向静电放电（ESD）保护二极管

  E05D2-11UB是瑞斯特（RST）推出的一款采用DFN1006-2L无引脚超小型表面贴装封装的双向静电放电（ESD）保护二极管，专为5V电压域的单条信号线提供瞬态过压防护。其内部采用背对背齐纳二极管拓扑结构，两个引脚之间形成对称的电压钳位路径，可同时抑制正向与负向ESD脉冲，适用于极性不确定的交流信号或双向数据线路。该器件反向工作电压VRWM为5V，在VRWM条件下的反向漏电流典型值低于5nA

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  瑞斯特（RST）E05S9-10UB 双向静电放电（ESD）保护二极管

  E05S9-10UB是瑞斯特（RST）推出的一款采用SOD-923超小型表面贴装封装的双向静电放电（ESD）保护二极管，专为5V电压域的单条信号线提供瞬态过压防护。其内部采用背对背齐纳二极管拓扑结构，两个引脚之间形成对称的电压钳位路径，可同时抑制正向与负向ESD脉冲，适用于极性不确定的交流信号或双向数据线路。该器件反向工作电压VRWM为5V，在VRWM条件下的反向漏电流典型值低于10nA、最大值1

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  瑞斯特（RST）E05T2-41RU 四通道瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列

  E05T2-41RU是瑞斯特（RST）推出的一款采用SOT-23-6L表面贴装封装的四通道瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为5V电压域的多路高速信号线提供集成化静电放电（ESD）与浪涌防护。其内部拓扑结构包含8只低电容导向二极管，形成四组背对背串联的钳位单元：四路I/O信号线（引脚1、3、4、6）分别通过导向二极管对连接至地GND（引脚2），引脚5作为Vcc电源端通过单向二极管连接至各I/O通

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