瑞斯特半导体RST

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  瑞斯特 (RST) MBR30200W 肖特基整流器件

  MBR30200W是瑞斯特(RST)推出的一款30A/200V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达200V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR30100A 肖特基势垒整流器

  MBR30100A是瑞斯特(RST)推出的一款30A/100V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达100V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR20300F 肖特基势垒整流器

  MBR20300F是瑞斯特(RST)推出的一款20A/300V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流10A，总平均整流输出电流20A，峰值重复反向电压(VRRM)达300V，在25℃结温、10A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR20300A 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR20300A是一款采用平面肖特基势垒结构的20A/300V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220金属背板封装，散热性能优异，可直接安装于散热器并通过金属背板实现高效热传导，适用于大电流功率整流应用。封装外形尺寸约为15.87mm×10.06mm×4.90mm，引

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  瑞斯特(RST) MBR20200F 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR20200F是一款采用平面肖特基势垒结构的20A/200V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220F全塑封装（绝缘型），在引脚与散热片之间提供了电气隔离，可直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化了电源系统的热管理设计，同时避免了因绝缘垫片老化带来的热阻增加问题。

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  瑞斯特(RST)MBR30200F 肖特基势垒整流器

  MBR30200F是瑞斯特(RST)推出的一款30A/200V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达200V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR30200E 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR30200E是一款采用平面肖特基势垒结构的30A/200V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-263贴片封装，具有体积小、散热性能优异、适合自动化贴装的特点，可直接焊接于PCB铜箔区域并通过大面积过孔实现高效热传导，适用于高密度大功率整流应用。封装外形尺寸约为8.1

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  瑞斯特(RST) MBR30200A 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR30200A是一款采用平面肖特基势垒结构的30A/200V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220金属背板封装，散热性能优异，可直接安装于散热器并通过金属背板实现高效热传导，适用于大电流功率整流应用。封装外形尺寸约为15.09mm×10.20mm×6.18mm，引

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  瑞斯特(RST)MBR30150W 肖特基势垒整流器

  MBR30150W是瑞斯特(RST)推出的一款30A/150V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达150V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST)MBR30150E 肖特基势垒整流器

  MBR30150E是瑞斯特(RST)推出的一款30A/150V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达150V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR30150F 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR30150F是一款采用平面肖特基势垒结构的30A/150V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220F全塑封装（绝缘型），在引脚与散热片之间提供了电气隔离，可直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化了电源系统的热管理设计，同时避免了因绝缘垫片老化带来的热阻增加问题。

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  瑞斯特(RST)MBR30150A 肖特基势垒整流器

  MBR30150A是瑞斯特(RST)推出的一款30A/150V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达150V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST)MBR30100W 肖特基势垒整流器

  MBR30100W是瑞斯特(RST)推出的一款30A/100V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达100V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.

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  瑞斯特(RST) MBR30100F 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR30100F是一款采用平面肖特基势垒结构的30A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220F全塑封装（绝缘型），在引脚与散热片之间提供了电气隔离，可直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化了电源系统的热管理设计，同时避免了因绝缘垫片老化带来的热阻增加问题。

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  瑞斯特(RST) MBR30100E 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR30100E是一款采用平面肖特基势垒结构的30A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-263贴片封装，具有体积小、散热性能优异、适合自动化贴装的特点，可直接焊接于PCB铜箔区域并通过大面积过孔实现高效热传导，适用于高密度大功率整流应用。封装外形尺寸约为8.1

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  瑞斯特 (RST) MBR40200A 肖特基整流器件

  瑞斯特 (RST) MBR40200A 为 TO-220 直插封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 保护环结构，能够优化芯片边缘电场分布，缓解高压工况下电场集中问题，提升器件高压耐受稳定性。器件依托多数载流子完成导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配高频开关功率电路。核心电气参数匹配规格书标准，器件总平均整流电流

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  瑞斯特 (RST) MBR40200E 肖特基整流器件

  瑞斯特 (RST) MBR40200E 为 TO-263 贴片封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片工艺，芯片集成保护环结构优化芯片边缘电场分布，削弱高压环境下电场集中效应，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配各类高频开关功率回路。核心电气参数遵循规格书标准，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，25

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  瑞斯特 (RST) MBR40150A 平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特 (RST) MBR40150A 是一款采用 TO-220 直插封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于 40A/150V 规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属 - 硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属 overlay 接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220 封装为三引脚设计，引脚 1 和引脚 3 分

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  瑞斯特(RST) MBR40100F肖特基势垒整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR40100F是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的大功率肖特基势垒整流二极管，属于MBR系列中面向中高功率应用场景的代表型号。该器件基于金属-N型半导体接触形成的肖特基势垒结构，区别于传统PN结二极管，其正向导通时仅依赖多数载流子（电子）参与导电，因此具备极短的反向恢复时间（Trr趋近于零）和显著更低的正向压降（VF）。在TO-220F全塑封绝缘封装形式下

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  瑞斯特(RST) MBR40100E 肖特基整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR40100E是一款采用平面肖特基势垒结构的40A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-263贴片封装，具有体积小、散热性能优异、适合自动化贴装的特点，可直接焊接于PCB铜箔区域并通过大面积过孔实现高效热传导，适用于高密度大功率整流应用。封装外形尺寸约为8.1

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