碳化硅功率器件

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  • “中国芯”再突破!爱仕特第四代SiC MOSFET斩获国家级大奖
    11月14日,2025年“中国芯”优秀产品征集结果揭晓,爱仕特自主研发的第四代SiC MOSFET芯片(型号:ASC150N1200MT4)从全国303家企业、410款参赛产品中脱颖而出,获评“优秀技术创新产品” 大奖。 这一奖项的含金量在于,“中国芯”评选在工业和信息化部指导下,由中国电子信息产业发展研究院组织举办,已成为国内集成电路领域最具影响力的行业盛会之一。 爱仕特此次获奖,不仅代表企业自
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  • 银胶vs银浆:一字之差,却是电子焊接的“两种技术路线”!
    在电子封装车间里,常有新手工程师拿着银色膏体问:“这是银胶还是银浆?能通用吗?” 其实,两者虽都含“银”且呈膏状,却因配方逻辑不同,成了适配不同场景的“专用焊料”—— 银胶是“粘结+导电”的多面手,银浆(尤其是烧结型)是“高可靠互连”的专家。作为半导体专业焊料生产厂家,傲牛科技工程师今天从成分到应用,把这两种材料的差异讲透,避免选型踩坑! 一、成分拆解:从“核心配方”看本质不同 先从最核心的配方说
  • 从成本到性能,烧结铜缘何成为汽车电子行业新宠?
    在汽车电子领域,一场悄然的材料变革正在上演,烧结铜正从幕后走向台前,越来越受到企业的热烈追捧。傲牛科技作为一家专业的微焊料领域厂家,专注于各种微焊料的研发和生产,其中包括各类锡膏、烧结铜、烧结银、银胶等产品,从近期市场反馈和需求来看,我们洞察到这一趋势背后的多重驱动因素。 1、成本优势:企业难以拒绝的诱惑 在市场竞争的浪潮中,成本始终是企业决策的关键考量。在烧结材料的选择上,铜相较于银,具有无可比
  • SiC MOSFET高效又安全 选好栅极驱动器很重要
    SiC MOSFET高效又安全,选好栅极驱动器很重要 隔离驱动在新能源应用中扮演了非常重要的角色,将直接或间接影响新能源产品的安全性、可靠性、寿命、效率以及成本等,本期从5个方面解读隔离驱动的重要参数; 1.安规方面 2.时间相关的介电击穿(TDDB) 3.共模瞬态抗扰度(CMTI) 4.传输延时(Tpd) 5.驱动能力(Isink&Isource) 1.安规方面 隔离耐压(Viso) 隔
  • 基于碳化硅的双向PCS设计
    双向储能变流器;T型三电平逆变电路;碳化硅;控制策略,碳化硅MOS,碳化硅模块,SiC,第三代半导体
  • 6家SiC企业竞相布局,将抢占哪些风口?
    近期,碳化硅功率半导体领域进展不断,三菱电机、华润微电子、方正微电子、至信微电子、派恩杰半导体、纳微半导体纷纷推出创新产品。这些新品凭借高效、节能、可靠的性能优势,正加速推动各应用领域的技术升级与能效提升。
    6家SiC企业竞相布局,将抢占哪些风口?
  • 千安级模块 爱仕特携第四代技术平台亮相2025慕尼黑上海电子展
    4月15日,全球电子行业盛会——2025慕尼黑上海电子展盛大开幕! 爱仕特以“碳化硅4.0技术平台”为核心,携1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大“战略新品”亮相N4馆608展位,以极致性能与创新方案,成为全场焦点!这不仅展现了国产碳化硅技术的突破性进展,更标志着第三代半导体进入系统级应用的新纪元。 现场
  • 新增2起SiC合作,聚焦汽车、电源应用
    近日,碳化硅功率器件领域再迎两起标志性合作,进一步凸显该技术在全球范围内的产业化加速趋势:3月28日,金威源在官微宣布,他们已经与杰平方半导体(上海)有限公司正式签订碳化硅战略合作协议,双方企业负责人及相关人员出席了签约仪式。
    新增2起SiC合作,聚焦汽车、电源应用
  • 日本SiC模块新技术:MOS开关速度提升10倍
    我们都知道碳化硅功率半导体有很多的优势,而且已经在汽车、光储充等众多的市场大放异彩,但是,碳化硅潜力还未充分被挖掘和利用,例如受限于现有的驱动器设计,SiC功率器件的开关操作速度极其慢,这导致它固有的节能优势尚未得到充分发挥。最近,日本方面宣布他们已经解决了这个问题,并且展现出很好的效果。
    日本SiC模块新技术:MOS开关速度提升10倍
  • 从6kW到30kW+:车载充电机功率升级的碳化硅之路
    随着电动汽车向高压平台和双向充电方向发展,碳化硅基OBC将成为未来电动汽车充电系统的核心。爱仕特作为碳化硅技术的引领者,将继续致力于为行业提供高效、可靠的解决方案,助力电动汽车产业的快速发展。
  • 聚焦SiC大面积银烧结,该企业透露“关键一招”
    近日,聚砺新材料透露,他们聚焦碳化硅功率模块厂商的大面积银烧结工艺需求,发布了具有高可靠性和稳定性的有压烧结银膏 FC-325LA,样品经1000次循环测试后无空洞、裂纹或分层,性能表现卓越。
    聚焦SiC大面积银烧结,该企业透露“关键一招”
  • 技术及产能差距持续缩小,中国未来或将主导全球SiC产业​!
    近年来,中国新能源汽车市场发展非常迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%,市场占有率已达31.6%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%,同时将占据全球新能源汽车总销量的约60%。
    技术及产能差距持续缩小,中国未来或将主导全球SiC产业​!
  • ​芯联集成获广汽埃安旗下全系车型定点
    TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power Device市场分析报告》显示,尽管纯电动汽车(BEV)销量增速的明显放缓已经开始影响到碳化硅供应链,但作为未来电力电子技术的重要发展方向,碳化硅在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势,未来几年整体市场需求将维持增长态势,预估2028年全球SiCPower Device市场规模有望达到91.7亿美元。
    ​芯联集成获广汽埃安旗下全系车型定点
  • 英飞凌全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动,影响几何?
    近日,英飞凌宣布其位于马来西亚的新工厂(Kulim 3)一期项目正式启动运营,建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。据了解,该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元,将重点生产碳化硅功率半导体,并涵盖氮化镓外延的生产。目前该工厂已经获得了总价值约50亿欧元的设计订单,并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。
    英飞凌全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动,影响几何?
  • 碳化硅大咖齐聚无锡,IPF 2024第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会即将举办
    6月26-28日,IPF 2024第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会将在无锡锡山区长三角工业芯谷会议中心盛大召开。本次大会由InSemi Research、锡山经开区集成电路产业联盟联合主办,由无锡能芯检测实验室、PCIM Asia协办,并由碳化硅芯观察与电动车千人会承办。大会以“穿越周期,韧性增长”为主题,解构碳化硅市场增长确定性与新业态模式、前沿技术趋势以及落地应用进程。目前已经吸引近千人
  • 罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议,扩大碳化硅衬底供应
    罗姆 (东京证交所股票代码: 6963) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布,双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 衬底晶圆多年长期供货协议基础上,继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议,SiCrystal公司将对意法半导体加大德国纽伦堡产的碳化硅衬底晶圆供应力度,预计协议总价不低于2.3亿美元。
  • 碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
    三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器,其基本原理就是SPWM,硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路,桥式输出至负载间串接低通滤波元件,控制回路具有两个信号产生源,一个是固定幅值的三角波(调制波)发生器,一个为正弦波发生器,利用三角波对正弦波进行调制,就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列,调制比不同,一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率)。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路,在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。
    碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
  • 意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
    意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。
    意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
  • 中国车用碳化硅功率模块的成长之路
    在全球汽车电动化的浪潮下,汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件,成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。
    中国车用碳化硅功率模块的成长之路
  • 碳化硅功率器件封装关键技术
    与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度,抗辐照能力得到提升;碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍,因此,其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度,与相同电压等级的硅功率器件相比,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。
    碳化硅功率器件封装关键技术

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