芯耀
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随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域需求的持续高速增长，未来几年全球碳化硅功率半导体市场规模将实现快速增长。据行家说Research预测，2030年全球SiC功率半导体产值将超过100亿美元，而未来产业的发展需要依托上游碳化硅衬底和外延核心材料的持续稳定供应。
今日（12月19日），天域半导体举行了东莞生态园新基地通线仪式，现场汇聚了来自第三代半导体产业链上下游的众多行业代表与重磅嘉宾。
当天上午，天域半导体董事长李锡光、东莞松山湖高新技术产业开发区党工委副书记及管委会主任杨阳、第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博、杭州士兰微电子股份有限公司副董事长范伟宏、山东天岳先进科技股份有限公司董事长宗艳民先后登台发表致辞。
据天域董事长李锡光介绍，今天通线的碳化硅外延新产线，是天域半导体产能升级的关键一步，更是国产替代的重要支撑。这条产线投产后，将与天域总部42万片年产能形成协同，助力东莞生态园基地快速达成新增38万片产能的目标，推动天域总产能向80万片迈进，未来更将剑指200万片/年的宏伟蓝图。
随后，在全场嘉宾的共同见证下，天域半导体董事长李锡光与众多嘉宾代表共同宣告天域半导体东莞生态园新基地碳化硅产线正式通线，标志着企业产能扩张战略迈入实质性落地阶段。
《2025碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》数据显示，2025年全球SiC外延片需求量预计可达250万片（折合6英寸），并预计在2030年达到862万片。
2024-2030年全球SiC外延市场需求预测 来源：行家说Research
市场需求的明确指引，使得产业链协同至关重要。在此趋势下，天域半导体率先深化绑定，与下游器件客户及上游外延伙伴达成了系列战略合作。
通线仪式当天，天域半导体还集中与多家产业链上下游头部企业、银行机构现场达成签约合作。
其中，在下游SiC器件端，天域半导体与士兰微、瞻芯电子、芯粤能、鹏进高科、摩珂达、飞锃半导体、芯塔电子、桑德斯微电子等一众SiC器件领军企业正式签订战略合作协议，深化外延与器件的协同。
在上游供给端，天域半导体宣布与天岳先进、南砂晶圆、天科合达、同光半导体、烁科晶体、晶盛机电、纳设智能、德智新材达成战略合作，进一步夯实上游材料与设备保障。
此外，天域半导体还与中信银行-东莞分行、工商银行-东莞分行、兴业银行-东莞分行、东莞银行-东莞分行、建设银行-东莞分行、农业银行-东莞分行达成签约，将为企业发展注入强劲资金动力。
此次新的碳化硅外延生产线实现通线是天域半导体的新起点，天域下一步将持续扩充产能、迭代技术，携手产业链伙伴共同推动碳化硅材料在新能源汽车、光伏储能等领域的深度应用，为中国第三代半导体产业的高质量发展注入新动能。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
