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领先的第三代半导体碳化硅芯片是什么?
功率半导体的技术和材料创新,致力于提高能量转换效率(理想转换率为100%)。基于SiC材料的功率器件比传统的Si基功率器件具有更高的效率和更低的损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏风电、不间断电源、家用电器和工业控制等领域,具有广阔的应用前景。目前SiC工业发展的瓶颈主要是SiC衬底的高成本(是Si的4~5倍,预计在未来1年内价格将逐渐下降到Si的2倍)。
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2023/09/22
碳化硅芯片
碳化硅需求激增,玩家们花式保供
为了加快电动汽车的普及,玩家们一直在努力提高电动汽车效率和缩短充电时间。在此背景下,碳化硅材料逐渐成为汽车行业的焦点,大部分车企和零部件供应商都在积极保供。
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2023/08/21
碳化硅
碳化硅芯片
麦格纳和安森美达成碳化硅芯片供应协议,为期十年
麦格纳在7月27日表示,将在其电驱动(eDrive)系统中集成安森美的EliteSiC智能电源方案。与标准硅基半导体相比,碳化硅芯片(SiC)将有助于提供更好的冷却效果、更快的加速以及充电时间。因此,麦格纳 eDrive 系统集成安森美 EliteSiC 技术后,将具有更好的散热性能、更快的加速度和充电速度,从而提高能效并增加电动汽车的续航里程。
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2023/07/31
芯片供应
碳化硅芯片
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求,接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。 Die Layout 下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFE
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2023/04/04
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英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™技术,即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,具有非常广泛的产品组合。
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