碳化硅芯片_碳化硅芯片资讯

固态变压器SST主流架构及核心功率器件碳化硅（SiC）决策选型

固态变压器（SST）是一种利用电力电子器件和高频变压器实现电压变换和电气隔离的新一代智能电力设备。它通过将工频交流电转化为高频电，再经过小型高频变压器进行隔离变压，最终还原为工频电。主要优点包括体积重量大幅减小、具备电气隔离和电能调控能力，并且兼容交直流电网。主流拓扑结构为三级式，包含AC-DC整流级、DC-DC隔离级和DC-AC逆变级。整流级采用多电平PWM整流器实现功率因数校正和稳压；隔离级通过双有源桥DAB或谐振LLC变换器实现高频隔离和电压变换；逆变级则将低压直流逆变为工频交流电，支持功率双向流动。针对中压10kV/35kV场景，三级式AC-DC-DC-AC架构是最常见的工程框架，具有强解耦、模块化、容错能力强等特点。具体选型时，应重点关注器件匹配、拓扑选择和工程落地要点，以确保系统的可靠性、成本和供应链稳定性。

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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15小时前

SiC功率模块电力电子

基本半导体：“碳化硅芯片第一股”的AB面

深圳基本半导体股份有限公司启动H股全球发售，成为“中国碳化硅芯片第一股”。尽管其面临高额亏损和产能利用率低等问题，但在“特专科技上市通道”下成功上市。然而，其业务模式和财务状况引发质疑，市场对其未来发展充满不确定性和挑战。

碳化硅内参

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06/30 11:09

基本半导体碳化硅芯片

格力电器碳化硅芯片业务新进展曝光，广汽集团紧急回应

格力电器宣布将在2026年量产光伏储能和物流车用碳化硅芯片，已在家电领域成功应用并取得显著效果。公司拥有先进的碳化硅芯片生产线，具备全自动化和全自主可控能力，已获得多项认证，能够提供高质量的碳化硅芯片。面对行业挑战，格力计划加强合作，推动碳化硅芯片的发展。

化合物半导体市场

1.2万

03/24 09:38

格力电器碳化硅芯片

SiC MOSFET“两粗两细” 引脚｜ TO247-4 再添新选择

爱仕特近期发布的TO247-4S封装碳化硅（SiC）MOSFET，采用创新的“两粗两细”引脚配置，在继承TO247封装经典可靠性与广泛兼容性的同时，有效优化了驱动性能与系统集成度。该封装采用差异化引脚布局——两根粗引脚承载主功率电流，两根细引脚专用于传输驱动信号，在延续传统封装成熟度与易用性的基础上，为高压功率转换系统提供了更精准、更可控的解决方案。其关键创新在于实现了开尔文源极与功率源极的物理

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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1评论

01/29 09:10

开关电源 DC/DC转换器

3300V SiC/Si 混合型三电平拓扑应用技术

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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2025/12/23

SiC MOSFET 电能质量

三安×理想：SiC芯片上车！

11月27日，湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）在长沙隆重举行以《全“芯”力量，共赴理想》为主题的三安碳化硅芯片上车仪式。此次活动不仅见证了湖南三安车规级碳化硅芯片在性能、可靠性与批量交付能力上获得市场顶尖客户的全面认可，也标志着双方自2022年合作以来，战略协同已结出丰硕成果，正式进入新阶段。

行家说三代半

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2025/12/01

SiC芯片碳化硅芯片

单芯100A SiC二极管实现百安通流，直击多管并联核心痛点，打造更简洁、更稳健的高功率系统

单芯100A SiC二极管实现百安通流，直击多管并联核心痛点，打造更简洁、更稳健的高功率系统。

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

1645

2025/09/12

逆变器碳化硅肖特基二极管

单芯100A SiC二极管实现百安通流，直击多管并联核心痛点，打造更简洁、更稳健的高功率系统

深圳碳化硅芯片龙头冲刺港交所！中国唯一，全球第七

又一国产半导体细分领域龙头赴港IPO。5月28日报道，5月27日，深圳第三代半导体功率器件企业基本半导体递表港交所，冲刺“中国碳化硅芯片第一股”。

芯东西

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2025/05/30

碳化硅芯片

2025，中国8英寸碳化硅产线竞逐潮头

近日包括士兰集宏、安意法半导体两条8英寸碳化硅产线迎来最新进展。其中值得注意的是，2025年被业界称作 “8英寸碳化硅元年”，这一年是全球8英寸碳化硅芯片厂试产与量产爬坡的攻坚之年。当下，终端应用降本需求愈发强劲，8英寸碳化硅的价值也随之水涨船高。

全球半导体观察

2036

2025/01/10

碳化硅碳化硅芯片

三安半导体：8英寸碳化硅芯片预计12月投产！

作为SiC产业头部厂商，三安光电的相关动态在业内受到广泛关注。近日，三安光电披露了一系列最新进展，涉及8英寸转型、新衬底工厂通线、成立新公司、政府补助等方方面面。

化合物半导体市场

698

2024/07/04

三安光电碳化硅芯片

领先的第三代半导体碳化硅芯片是什么？

功率半导体的技术和材料创新，致力于提高能量转换效率（理想转换率为100%）。基于SiC材料的功率器件比传统的Si基功率器件具有更高的效率和更低的损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏风电、不间断电源、家用电器和工业控制等领域，具有广阔的应用前景。目前SiC工业发展的瓶颈主要是SiC衬底的高成本(是Si的4~5倍，预计在未来1年内价格将逐渐下降到Si的2倍)。

Keep Tops

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2023/09/22

碳化硅芯片

碳化硅需求激增，玩家们花式保供

为了加快电动汽车的普及，玩家们一直在努力提高电动汽车效率和缩短充电时间。在此背景下，碳化硅材料逐渐成为汽车行业的焦点，大部分车企和零部件供应商都在积极保供。

盖世汽车

568

2023/08/21

SiC 碳化硅

麦格纳和安森美达成碳化硅芯片供应协议，为期十年

麦格纳在7月27日表示，将在其电驱动（eDrive）系统中集成安森美的EliteSiC智能电源方案。与标准硅基半导体相比，碳化硅芯片（SiC）将有助于提供更好的冷却效果、更快的加速以及充电时间。因此，麦格纳 eDrive 系统集成安森美 EliteSiC 技术后，将具有更好的散热性能、更快的加速度和充电速度，从而提高能效并增加电动汽车的续航里程。

盖世汽车

546

2023/07/31

芯片供应碳化硅芯片

揭秘碳化硅芯片的设计和制造

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。 Die Layout 下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFE

与非网编辑

740

2023/04/04

电阻 BOM

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效

英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。

与非网编辑

119

2022/05/10

英飞凌 SiC MOSFET

【资讯】自动驾驶芯片公司奕行智能（EVAS）完成近2亿元天使轮融资

自动驾驶芯片公司奕行智能（EVAS）完成近2亿元天使轮融资；中电科二所研制出山西首片碳化硅芯片；芯钛科技获超亿元融资，加速推进国产化车规级高端MCU产品研发等；速腾聚创完成新一轮战略融资。