离子注入_离子注入资讯

本文介绍了注入剂量的概念及其计算方式，并探讨了其对半导体器件性能的影响。同时，还提到了注入剂量的控制方法，以及即将开展的关于聚焦离子束(FIB)在先进半导体检测中的应用课程。

948

10/27 17:19

离子注入

这次发布的主要是半导体制造里刻蚀清洗、离子注入、掺杂等制造工序里的特气应用，顺便也把光伏和OLED用特气也加上了由于表格非常大，这次的数据也做了一些压缩合并，以确保表格能够在手机上正常显示如果大家发现任何问题，欢迎通过留言或者私信的方式给我反馈，谢谢了

半导体综研

635

08/13 10:00

半导体制造刻蚀设备

Deep N-Well工艺在芯片功能中有什么作用？

在半导体工艺中，DNW（Deep N-Well，深 N 阱）离子注入是一项关键技术，主要用于在 P 型衬底中创建深 N 型阱区。这项技术在 CMOS 集成电路、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺和高压器件制造中尤为重要。以下是 DNW 离子注入的核心作用及其技术细节：

国芯制造

1.1万

08/11 10:45

半导体工艺离子注入

为什么离子注入要7°角？

离子注入是现代半导体制造中最核心的掺杂技术之一，其通过将加速后的离子束注入到硅晶圆等材料中，实现对掺杂浓度与分布的精准控制。在这项技术中，7°角注入几乎成为一个标准工艺设定。

韭菜笔记1907

2284

08/06 16:18

离子注入

为什么在某些离子注入工艺中晶圆需要倾斜一定角度呢？

在半导体制造过程中，离子注入时将晶圆倾斜一定角度（通常为 5°~7°）是一项关键工艺调整，主要目的是解决沟道效应（Channeling Effect）带来的不利影响，确保离子注入的精度和均匀性。以下是具体原因和原理：

国芯制造

4694

06/09 11:20

晶圆离子注入

碳(C)离子注入在 CMOS 器件中有什么作用？

在现代半导体制造中，CMOS 工艺是实现低功耗、高集成度芯片的核心技术。随着芯片尺寸向纳米级缩小，离子注入技术作为精确调控半导体电学性能的关键手段，其重要性愈发凸显。其中，碳离子注入凭借独特的物理化学特性，在改善材料性能、优化器件参数等方面展现出不可替代的作用。

国芯制造

2803

05/29 16:38

CMOS 离子注入

全球半导体离子注入/CMP设备供应商汇总（2025）

继续发布一下半导体设备的供应商数据吧今天在我的数据库里选了半天，还是挑了离子注入和CMP两种设备。这两种设备在技术路径上完全不一样，能够同时提供两种设备的厂商也只有美国的AMAT和我国的华海清科不过由于在半导体前道制造领域的各种设备里，这两类设备的市场都相对较小，导致供应商数量偏少，单独陈列的话显得太单薄，

半导体综研

3709

05/23 09:00

CMP 离子注入

国产半导体设备新动向，离子注入等迎新局

在半导体设备领域，离子注入和超声波技术作为中国半导体设备发展的两大驱动力，正助力半导体产业向更高端、更先进的方向迈进。近期，行业内波澜涌动，传来两大重磅事件：一边是华海清科拟通过收购芯嵛公司加速布局离子注入机，有望攻克离子注入机这一关键设备的潜在壁垒；另一边，半导体超声设备企业骄成超声总部基地开工，预示着在半导体超声应用方面将迈向新台阶。

全球半导体观察

1726

2024/12/25

半导体设备 CMP