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离子注入

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离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并最终停留在固体材料中的这一现象叫作离子注入。

离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并最终停留在固体材料中的这一现象叫作离子注入。收起

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  • 【海翔科技】瓦里安 VARIAN VIISta 810 HP 系列 二手离子注入设备
    一、引言 离子注入机作为半导体制造前段制程的核心精密装备,通过精准掺杂改变半导体材料电学特性,是实现集成电路高集成度、高性能的关键工艺设备。其中高能量离子注入机凭借深层掺杂能力,在阱区形成、隔离层制备等关键工艺中不可或缺。瓦里安(VARIAN)VIISta 900XP 系列作为高能量离子注入机领域的经典机型,凭借稳定的工艺性能与广泛的制程适配性,在二手设备市场保有量极高。海翔科技深耕二手半导体设备
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    本文介绍了注入剂量的概念及其计算方式,并探讨了其对半导体器件性能的影响。同时,还提到了注入剂量的控制方法,以及即将开展的关于聚焦离子束(FIB)在先进半导体检测中的应用课程。
  • 行业知识 | 半导体制造刻蚀、注入、掺杂用特气汇总表
    这次发布的主要是半导体制造里刻蚀清洗、离子注入、掺杂等制造工序里的特气应用,顺便也把光伏和OLED用特气也加上了由于表格非常大,这次的数据也做了一些压缩合并,以确保表格能够在手机上正常显示如果大家发现任何问题,欢迎通过留言或者私信的方式给我反馈,谢谢了
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  • 为什么在某些离子注入工艺中晶圆需要倾斜一定角度呢?
    在半导体制造过程中,离子注入时将晶圆倾斜一定角度(通常为 5°~7°)是一项关键工艺调整,主要目的是解决沟道效应(Channeling Effect)带来的不利影响,确保离子注入的精度和均匀性。以下是具体原因和原理:
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  • 离子注入设备硬核详解
    今天看到一个半导体公司,通过收购资产从原来的CMP主业扩展到了离子注入设备行业。对于半导体行业对上下游以及同行收购整个和启哥是非常支持的,因为我一直认为中国从芯片设计到半导体装备到材料耗材,需要整合出几家大而强的公司才能去和国外同行抗争,如果是小而散的格局,根本无力与欧美传统巨头扳手腕。
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  • 离子注入:硅基集成电路制造中的关键工艺之一
    在现代半导体制造过程中,控制半导体材料的电学特性至关重要。通过掺杂工艺向半导体中引入杂质原子,能够改变材料的导电性,形成如晶体管等基础元件的关键区域。传统的掺杂方法有扩散法和离子注入法,而自20世纪70年代以来,离子注入技术因其高精度、可控性和工艺温度相对较低,逐渐成为主流的杂质掺杂方式。
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  • 晶圆Fab厂离子注入工程师常见面试问题
    国内某知名Fab工程师工作5年的李工分享了离子注入工艺岗位的面试问题:这些问题分成几个主要类别:理论知识、工艺理解与优化、设备操作与维护、故障排查与解决、项目管理与协作,以及前沿技术与趋势。以下是按照这些类别整理的50个问题。
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  • SiC离子注入设备的厂家有哪些?
    学员问:我想咨询一下国内做SiC离子注入设备的厂家有哪些?如下图,目前下图是国内已知的稍大的离子注入设备供应商,相对国外的AMAT,Axcelis相比,实力会差很多。主要体现在:
  • 离子注入后不退火行不行?
    离子注入后都会退火,退火的作用是什么?不退火行不行?离子注入对硅片造成哪些影响?离子注入时,高能的杂质离子加速撞击硅片表面,将其动能转化为热能和位移能,引起硅原子的迁移和重排,破坏了硅的晶格结构,会产生位错、空位等缺陷。
  • 万业企业旗下凯世通:不走寻常路,全面发力集成电路核心装备
    CMOS工艺的发展极大推动了离子注入工艺的发展,也可以说离子注入工艺的不断成熟进一步改善了集成电路产品的质量,尤其是CMOS产品的性能。

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