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IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传收起

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  • 高效·稳定·可靠的中高功率IGBT解决方案
    在新能源、高端工业设备与智能制造加速升级的时代，功率器件正成为系统效率与稳定性的核心变量。无论是逆变焊机、电机驱动、UPS电源、光伏储能逆变器，还是高性能电源模块，一颗高效、安全、可靠的IGBT，都决定着系统能否在高压、大电流、复杂工况下稳定运行。 時科 SKIS50N65-T7 正是在这样的行业需求下诞生的一款性能旗舰级 IGBT。基于先进的场截止（Field-stop）与沟槽栅（Trench
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  • 上海贝岭IGBT BLG05T65FDL7 助力变频冰箱高效运行
    上海贝岭推出的IGBT BLG05T65FDL7在变频冰箱中表现出色，具有低导通压降、强短路能力和优异的温升表现，显著提升了系统的能效和可靠性。该产品适用于多种家电应用，并提供了完整的全栈式芯片解决方案，包括功率器件、栅极驱动、电源管理和存储隔离等模块，助力家电制造商实现高效、节能和智能化的目标。
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  • 研洁等离子清洗设备保障电力电子IGBT模块散热稳定性
    摘要 IGBT铜基板氧化层降低导热胶润湿。研洁真空等离子清洗设备温和还原氧化层并活化表面，散热热阻下降，功率循环寿命提升。 行业痛点 新能源逆变器IGBT模块铜基板经高温存储后氧化膜增厚，导热胶润湿不足，界面热阻升高，功率循环时芯片结温波动加大，早期失效风险上升。 技术方案 研洁真空等离子清洗设备在贴芯片前配置氩氢混合等离子体，温和还原氧化层，再切换氩氧等离子植入羟基，使导热胶润湿更充分，固化后形
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  • IGBT驱动光耦简介
    栅极驱动器是用于提高功率器件栅极驱动电流的功率放大器，尤其在高功率应用中至关重要。随着电力电子器件的需求不断提升，栅极驱动器的设计和性能变得愈发重要。栅极驱动器接收低功耗输入并生成高电流栅极驱动，适用于开关模式电源、通用电源和电机驱动器等场景。栅极驱动器通常采用隔离技术，如磁性隔离（栅极驱动变压器）或光学隔离（光耦合器），以满足安全和功能需求。
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    01/08 07:31
    光耦 IGBT
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  • IGBT/SiC MOSFET 工业级并联设计准则：电流均衡四大核心维度实操指南
    IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案，但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡，可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。工业级设计的关键的是通过 “器件参数匹配、电路拓扑对称、驱动同步控制、热管理均衡” 四大维度，将电流不均衡系数控制在 10% 以内，同时适配两者特性差异，确保高功率场景下的可靠性。
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    2025/12/31
    MOSFET IGBT
  • IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
    作者：安森美 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理想选择，至今仍适配多种应用场景。 本文将深入解读器件结构、损耗计算、并联
    905
    2025/12/29
    IGBT 半导体器件
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  • IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联开关：效率与成本的最优平衡方案
    IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案，通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性，在专用栅极驱动器支持下，实现 “性能接近全 SiC、成本低于全 SiC” 的目标，广泛适配太阳能逆变器、储能系统、充电桩、电驱逆变器等大功率应用。
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    2025/11/18
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  • 华芯微国产汽车芯片MOSFET 驱动器系列（篇一）
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    2025/09/12
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  • 基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究
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  • 上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用
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    2025/08/08
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    上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用
  • JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    在电力电子领域，功率驱动芯片犹如 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增，一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片，成为工程师们的迫切需求。 杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美替代 TF
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    2025/08/01
    MOSFET IGBT
  • 安森美和舍弗勒扩大合作，推出基于EliteSiC的新型插电式混合动力汽车平台
    主驱逆变器解决方案将采用安森美的下一代 EliteSiC，使插电式混合动力电动汽车实现更长的行驶里程和更高的可靠性 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布扩大与领先的驱动技术公司舍弗勒（Schaeffler）合作，双方在一项新的设计中标项目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC 产品系列。安森美的解决方案将整合进舍弗勒的主驱逆变器，用于一家全球领先汽车制造商的先
    496
    2025/07/28
    碳化硅 IGBT
    安森美和舍弗勒扩大合作，推出基于EliteSiC的新型插电式混合动力汽车平台
  • 利用快速开关型IGBT技术提升UPS效率
    您是否致力于最大化单相UPS系统的能效表现？ 德欧泰克半导体推出的DIF075F065是一款100A/650V快开关IGBT（内置反向二极管），专为不间断电源（UPS）系统的高性能功率因数校正（PFC）电路设计。 IGBT技术融合了MOSFET的快速电压控制开关特性与双极晶体管的高电流承载能力，可显著优化PFC效率并降低损耗——这正是当今高能效应用的必备特性。 为何选择DIF075F065？ •
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    2025/07/24
    二极管 IGBT
  • 意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比节能家电市场
    意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT，该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势，特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景，包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。 该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数，可确保30A额定电流下的高效散热表现，在严苛工作环境中保持长期稳定运行。 作为STPOWER产品组合，这是意法半导体第二代IH系列首款16
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    2025/07/16
    意法半导体 IGBT
    意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比节能家电市场
  • JSM23364DSTRPBF700V带使能和故障报告的三相半桥IGBT驱动芯片
    在工业控制、电机驱动、电力电子领域，IGBT 驱动芯片的稳定性与兼容性直接决定了系统的可靠性。当进口芯片面临供货波动、成本攀升等问题时，一款高性能、高兼容的国产替代方案成为行业迫切需求。 今天，杰盛微正式推出JSM23364DSTR—— 作为 IRS23364DSTR 的完美替代型号，它不仅继承了原型号的全部核心性能，更以国产芯片的供应链优势，为工程师们提供稳定可靠的选择。 一、概览 JSM233
    620
    2025/07/15
    IGBT 驱动芯片
  • IGBT的电流是如何定义的
    IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。
    1505
    2025/07/14
    IGBT 电流
    IGBT的电流是如何定义的
  • 基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项
    鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。 图 1 是混合串式逆变器的方框图。常见的稳压直流母线可将各个基本模块互联起来。混合串式逆变器包含以下子块： 用于执行最大功率点跟踪的单向 DC/DC 转换器。
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    2025/07/11
    IGBT 终端设备
    基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项
  • 利用先进散热解决方案提升EV充电效率
    电动汽车（EV）与燃油汽车一样历史悠久，但直到近期才成为主流。随着电动汽车技术的重大进步和政府的大力支持，电动汽车的需求也在日益激增。欧盟2035年禁止使用内燃汽车[1]，以及2025年每60公里设置一个快速充电站的强制规定[2]，进一步凸显了这一需求激增的趋势。随着电动汽车成为主要的交通方式，电池续航里程和更快的充电速度将成为全球经济运行的关键。要增强这些电动汽车充电系统，就需要在各个领域实现技
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    2025/06/25
    电动汽车 贸泽电子
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  • 本土功率器件上市公司营收top10 | 2024年
    2024年，全球功率器件市场整体呈萎靡态势。然而，中国市场受益于本土新能源汽车、光伏储能、数据中心等领域的需求增长，市场规模仍呈现上涨态势。本土厂商整体实力显著提升，不断加大研发投入，加快技术创新与产品迭代，逐步突破高端领域瓶颈，国产化进程显著加快。 一年一统计，本期与非网聚焦本土功率器件上市公司，详尽梳理头部上市公司的2024年营业收入规模和企业动态。往期可参考《本土功率器件上市公司营收top1
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    2025/06/19
    SiC MOSFET
    本土功率器件上市公司营收top10 | 2024年

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