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IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传收起

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    IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案，通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性，在专用栅极驱动器支持下，实现 “性能接近全 SiC、成本低于全 SiC” 的目标，广泛适配太阳能逆变器、储能系统、充电桩、电驱逆变器等大功率应用。
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  • 基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究
    SiC功率器件的应用要求对SiC半导体器件本身结构性能及工作特性等有系统认识和研究，其相关工作在国内才刚起步。通过搭建双脉冲实验平台，对SiC功率器件驱动工作特性进行实验研究，进行双脉冲测试， 实现530 A大电流驱动关断实验。与IGBT模块的双脉冲测试结果对比，SiC功率器件比IGBT器件开关速度更快，开关损耗更小，续流管反向特性好，反向恢复电流更小。此外，针对SiC功率器件关断时的涌浪电压问题
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  • 上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用
    当今世界的主要能源来源还是化石能源，而化石能源在使用后会排出大量的污染物，严重影响到人类的健康问题。太阳能因其取之不尽用之不竭且无环境污染等优点，已经成为人类追求新能源的首选；太阳能的应用非常广泛，其中最主要的发电应用有光热发电、光伏发电等；在太阳能的多种应用中，光伏发电是目前世界上最为普遍的一种方式。 光伏逆变器是太阳能发电系统的心脏，它将太阳能电池板产生的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流
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    IGBT 光伏逆变器
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  • JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    在电力电子领域，功率驱动芯片犹如 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增，一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片，成为工程师们的迫切需求。 杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美替代 TF
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  • 安森美和舍弗勒扩大合作，推出基于EliteSiC的新型插电式混合动力汽车平台
    主驱逆变器解决方案将采用安森美的下一代 EliteSiC，使插电式混合动力电动汽车实现更长的行驶里程和更高的可靠性 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布扩大与领先的驱动技术公司舍弗勒（Schaeffler）合作，双方在一项新的设计中标项目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC 产品系列。安森美的解决方案将整合进舍弗勒的主驱逆变器，用于一家全球领先汽车制造商的先
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    碳化硅 IGBT
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    二极管 IGBT
  • 意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比节能家电市场
    意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT，该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势，特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景，包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。 该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数，可确保30A额定电流下的高效散热表现，在严苛工作环境中保持长期稳定运行。 作为STPOWER产品组合，这是意法半导体第二代IH系列首款16
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    意法半导体 IGBT
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  • JSM23364DSTRPBF700V带使能和故障报告的三相半桥IGBT驱动芯片
    在工业控制、电机驱动、电力电子领域，IGBT 驱动芯片的稳定性与兼容性直接决定了系统的可靠性。当进口芯片面临供货波动、成本攀升等问题时，一款高性能、高兼容的国产替代方案成为行业迫切需求。 今天，杰盛微正式推出JSM23364DSTR—— 作为 IRS23364DSTR 的完美替代型号，它不仅继承了原型号的全部核心性能，更以国产芯片的供应链优势，为工程师们提供稳定可靠的选择。 一、概览 JSM233
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  • IGBT的电流是如何定义的
    IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。
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    IGBT 电流
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  • 基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项
    鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。 图 1 是混合串式逆变器的方框图。常见的稳压直流母线可将各个基本模块互联起来。混合串式逆变器包含以下子块： 用于执行最大功率点跟踪的单向 DC/DC 转换器。
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  • 利用先进散热解决方案提升EV充电效率
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    06/25 12:26
    电动汽车 贸泽电子
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  • 本土功率器件上市公司营收top10 | 2024年
    2024年，全球功率器件市场整体呈萎靡态势。然而，中国市场受益于本土新能源汽车、光伏储能、数据中心等领域的需求增长，市场规模仍呈现上涨态势。本土厂商整体实力显著提升，不断加大研发投入，加快技术创新与产品迭代，逐步突破高端领域瓶颈，国产化进程显著加快。 一年一统计，本期与非网聚焦本土功率器件上市公司，详尽梳理头部上市公司的2024年营业收入规模和企业动态。往期可参考《本土功率器件上市公司营收top1
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    06/19 10:00
    SiC MOSFET
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  • 透视7家SiC/IGBT上市企业薪酬秘密
    前段时间，众多与碳化硅相关的功率半导体上市企业发布了2024年财报，在这些上市企业中，各自的薪酬水平如何？他们之间的薪酬有何差异？基于此，本期“产业透视”选取了7家在A股上市的SiC/IGBT相关器件/模块企业，分别是士兰微、芯联集成、中车时代半导体、斯达半导体、华润微、宏微科技、扬杰科技，将从人均薪酬、研发人员薪酬、销售人员薪酬和高管薪酬等维度入手，对其人员结构和职工薪酬进行分析。
    2327
    06/05 09:15
    SiC IGBT
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  • 晶圆代工企业案例分析——芯联集成
    在晶圆代工领域，有一家与晶合集成类似，成立不久但发展迅速的厂商，仅用7年时间，公司成了为国内规模最大、技术最先进的MEMS晶圆代工厂，位列全球MEMS 晶圆代工厂第五名。其核心技术和产品布局聚焦功率半导体、模拟 IC 与 MCU、传感器及 AI 领域，形成了覆盖设计、制造、封装的全链条能力，它就是——芯联集成。 根据 Chip Insights 发布的《2024 年全球专属晶圆代工排行榜》，公司已
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    06/04 10:01
    SiC MOSFET
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  • 意法半导体在 2025 年东南亚国际半导体展会展示边缘人工智能和自动化解决方案
    服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 参加了 5 月 20 日至 22 日的2025年东南亚半导体展会（展位号 L1901）。 在展会上，意法半导体展出了 10 多款激动人心的展品，包括能够识别手势的边缘人工智能传感器、个人电子及家电无线连接解决方案​，以及与益登科技(EDOM)合作开发的汽车动力电池
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    意法半导体 IGBT
  • PPS注塑IGBT功率模块外壳高性能解决方案
    IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为现代电力电子领域的“CPU”，是能源变换与传输的核心器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、电动汽车及新能源装备等战略性产业。其外壳材料需具备耐高低温、尺寸稳定、耐漏电起痕等苛刻性能，以确保模块在复杂环境下的可靠运行。聚苯硫醚（PPS）凭借优异的性能，通过注塑成型工艺为IGBT外壳提供了高性能解决方案。 一、PPS注塑IGBT功率模块外壳具有以下应用优势 电气性能优异
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    05/20 09:26
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  • 固晶锡膏如何征服高功率封装 一文破解高密度封装的散热密码
    固晶锡膏是专为芯片固晶设计的锡基焊料，通过冶金结合实现高强度、高导热连接，对比传统银胶与普通锡膏，具备超高导热（60-70W/m・K）、高强度（剪切强度40MPa+）、精密填充（间隙5-50μm）等优势。分高温型（SnAgCu）、中温型（SnBi）、高导型，适用于功率半导体、LED 显示、汽车电子、先进封装等场景，解决高功率散热、振动耐受、精密间隙填充等难题。选型需结合芯片耐温、间隙精度、环境要求，以金属级连接提升器件可靠性与性能上限，成为高端封装的关键材料。
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    05/16 15:36
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  • 意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能
    意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器 (ADC) 和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。 STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高
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    意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

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