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N沟道MOSFET

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  • SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L
    在开关电源、UPS、功率因数校正（PFC）等电力电子领域，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRF640 作为一款经典的 200V N 沟道 TO-220 封装 MOSFET，被广泛应用于各类中高压电源场景。但随着技术迭代与市场对性能要求的提升，工程师们开始寻求更高效、更可靠的替代方案。今天，我们就为大家介绍杰盛微（JSMICRO SEMICOND
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    10/27 08:21
    封装 N沟道MOSFET
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    在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等中低压电力电子系统中，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRFR3410 作为一款经典 100V N 沟道 MOSFET，在市场中应用广泛，但随着终端设备对大电流、低损耗、高可靠性的需求升级，寻找性能更优、性价比更高的替代方案成为众多工程师与采购的核心诉求。 今天，我们要为大家重
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    国产芯片 N沟道MOSFET
  • 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！
    在当下电子行业，供应链波动、原厂器件供货紧张等问题，时常让硬件研发与采购团队陷入 “寻替代” 的困境。尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。而杰盛微（JSMSEMI）自主研发的JSM2302，凭借与 IRS2302 高度兼容的性能、更优的电气特性及稳定的供应链，成为了众多工程师眼中的 “替代优选”。今
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    09/25 11:41
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    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。
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    2024/04/25
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