JSM30N10C 100V N沟道 MOSFET TO-220 封装

JSM30N10C是JSMSEMI生产的100V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装，核心特性包括低固有电容、优秀开关特性、扩展安全工作区及100% 雪崩测试验证；关键电参数为BVDSS=100V、连续漏极电流 ID=30A（Tc=25℃，Tc=100℃时降至 12A）、导通电阻 RDS (on) 最大 35mΩ（VGS=10V、ID=5A）、典型栅极电荷 Qg=31nC；热特性方面结壳热阻RθJC=2.27℃/W，工作及存储温度范围为 -55~150℃，同时具备明确的开关特性（如开通延迟 td (on) 典型 13.8nS）、动态电容及漏源二极管参数，配套有 EAS、栅极电荷、开关时间等测试电路及详细 TO-220 封装尺寸。可替代 IRF540。#国产芯片 #杰盛微 #芯片 #工程师选型指南# MOSFET