MRFE6VP5600HR6、MRFE6VP5600HSR6侧向N沟道宽带射频功率MOSFET

射频功率场效应晶体管、高强度N-沟道、增强型侧向MOSFET，这些高强度器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子激励器）、广播（模拟和数字）、航空航天和无线电/陆地移动应用而设计。它们具有无与伦比的输入和输出设计，可在1.8至600 MHz的宽频段范围内使用。

特点

• 无与伦比的输入和输出设计，可在宽频段范围内使用

• 该器件可以单端或推挽配置使用

• 最大50 VDD操作

• 从30 V到50 V范围进行特征化，扩展功率范围

• 适合线性应用，并配以适当的偏置

• 集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作

• 通过串联等效大信号阻抗参数进行特征化

• 符合RoHS标准

• 带卷筒带和卷盘。R6后缀= 150个装置，56毫米带宽，13英寸卷筒。 有关R5带卷筒选项，请参见第12页。