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12/26 11:15 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSM9N20F 是杰盛微半导体推出的200V N 沟道 MOSFET，采用 TO-220F 封装，具备低导通电阻（最大 0.4Ω@VGS=10V）、优异开关特性（总栅极电荷典型值 22nC）、宽工作温度范围（结温 - 55~+150°C）等核心优势，关键参数包括漏源电压 200V、最大漏极电流 9A（Tj=25°C）、单脉冲雪崩能量 160mJ，通过 100% 雪崩测试，适用于需要高效开关性能的电力电子应用场景。#杰盛微 #芯片 #工程师选型指南#二极管#国产芯片

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