JSM9N20C 200V N沟道MOSFET TO-220 封装

JSM9N20C 是杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的200V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装（引脚定义：1 脚 = Gate、2 脚 = Drain、3 脚 = Source），核心参数包括漏源电压（VDSs）200V、漏极电流（ID）9.0A@Tj=25℃（5.7A@Tj=100℃）、静态漏源导通电阻（RDS (on)）最大值 0.4Ω@VG=10V、ID=4.5A、总栅极电荷（Qg）典型值 22nC；具备低本征电容、优秀开关特性（导通延迟 Td (on) 典型 11ns、关断延迟 Td (off) 典型 60ns）、100% 雪崩测试、扩展安全工作区等优势，热特性方面结到壳热阻（RJC）最大值 1.74℃/W、结到环境热阻（RJA）最大值 62.5℃/W，工作结温最高 150℃，存储温度范围 - 55~150℃，适用于高频开关电源、电机驱动等对效率和可靠性有要求的场景。可替代 IRF630 #国产芯片 #杰盛微 #芯片 #工程师选型指南# MOSFET