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13小时前作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSM9N20C 是杰盛微半导体推出的200V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装，核心优势包括低导通电阻（RDS (on) 最大 0.4Ω@VG=10V）、优异开关特性（总栅极电荷 Typ.22nC）、宽工作温度范围（结温 - 55~+150℃），关键参数为漏源电压 200V、最大漏极电流 9A（25℃），经 100% 雪崩测试，具备低本征电容和扩展安全工作区，适用于需要高效开关的电力电子应用。#杰盛微 #芯片 #工程师选型指南#二极管#国产芯片

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