JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

Channel: 杰盛微半导体JSMSEMI
Description: JSMSEMI 杰盛微半导体的JSM9N20D是一款200V N沟道 MOSFET，采用TO-252 封装（器件标识为 JSM9N20D），具备快速开关、100% 雪崩测试验证、dv/dt 能力提升等核心特性，连续漏极电流达9A、脉冲漏极电流36A，导通电阻（VGS=10V 时）典型值0.25Ω，适用于开关模式电源（S

12/23 08:51 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSMSEMI 杰盛微半导体的JSM9N20D是一款200V N沟道 MOSFET，采用TO-252 封装（器件标识为 JSM9N20D），具备快速开关、100% 雪崩测试验证、dv/dt 能力提升等核心特性，连续漏极电流达9A、脉冲漏极电流36A，导通电阻（VGS=10V 时）典型值0.25Ω，适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等场景，工作结温与存储温度范围为 **-55~+150℃**，兼具可靠的电气性能与热性能。#杰盛微 #芯片 #工程师选型指南#二极管#国产芯片