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NAND Flash

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Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。收起

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    铠侠及西部数据率先提升产能利用率,带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%
    在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。 TrendForce集邦咨询进一步表示,为应对下半年旺季需求,加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位,本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品,有望在今年实现获利,并进一步带动2024年NAND Flash产
  • 西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓
    西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓
    3月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。
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    2023年第四季原厂Enterprise SSD产业营收达23.1亿美元,成长态势将延续至今年第一季
    2023年第三季供应商大幅减少产出,使得Enterprise SSD价格有撑,第四季合约价的反弹吸引买家积极购货,加上服务器品牌商需求也随着2024年企业资本支出展望优于去年,进而扩大订单动能,带动第四季Enterprise SSD采购容量增加。随着其他终端产品进入销售旺季带动需求增加,加上原厂NAND Flash库存水位持续降低,其中部分容量出现供应不及,进而推升第四季Enterprise SS
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    2023年第四季NAND Flash产业营收季增24.5%,预期第一季将续增两成
    2023年第四季NAND Flash产业营收达114.9亿美元,季增24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温,加上零部件市场因追价而扩大订单动能,位元出货较去年同期旺盛;同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法,且启动策略备货带动。 展望今年第一季,在供应链库存水位已大幅改善以及价格仍处于上涨的态势下, 客户为避免供货短缺及成本垫高的风险, 持续增加采购订单。因此, 尽管第一
  • AI需求高涨,2024年Server DRAM单机平均搭载容量年增预估17.3%,领先其他应用
    AI需求高涨,2024年Server DRAM单机平均搭载容量年增预估17.3%,领先其他应用
    2024年市场持续聚焦AI议题,供应商也陆续推出AI高端芯片,随着运算速度的提升,TrendForce集邦咨询表示,2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用,如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长,又以服务器领域成长幅度最高,Server DRAM单机平均容量预估年增17.3%;Enterprise SSD则预估年增13.2%。 首先从智能手机来看,由于手机芯片商主要
  • 闪存迈入280层时代?这远远不是终点
    闪存迈入280层时代?这远远不是终点
    又一存储大厂闪存层数迎来新突破!近期外媒报道,在今年2月即将召开的国际固态电路峰会ISSCC上,三星电子将推出下一代 V9 QLC NAND解决方案,闪存层数将达到280层。据悉,三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb,最大传输率可达3.2 Gbps,比目前最好的QLC产品(2.4 Gbps)高出了一截,甚至可以满足未来PCIe 6.0方案的需求。
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    自从NAND Flash进入3D时代,3D NAND从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层,成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。 近日,FORESEE XP2200系列PCIe SSD推出M.2 2280规格,产品搭载主流232层3D TLC闪存颗粒,并采用基于12nm工艺的4通道高性能主控芯片,支持HMB主机高速缓冲技术,能够提供高达2400
  • 供应商主导价格优势,预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%
    供应商主导价格优势,预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%
    尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。 值得注意的是,NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高,需求脚步却跟不上,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一
  • 预估明年第一季在手机品牌持续备料的带动下
    预估明年第一季在手机品牌持续备料的带动下
    2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均价季涨幅将扩大至18~23%。同时,不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下,进一步垫高涨幅。 观察2024年第一季中国智能手机OEM的生产规划仍稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。 TrendForce集邦咨询进一步指出,过去智能手机市场是最早反映经济下行
  • 2023年第三季NAND Flash产业营收环比增长2.9%,预估第四季成长将逾两成
    2023年第三季NAND Flash产业营收环比增长2.9%,预估第四季成长将逾两成
    第三季NAND Flash市场变化主要转折点为三星(Samsung)积极减产的决策。此前买方认为终端需求能见度仍低,担忧市场旺季不旺,因此保持低库存、缓提货的采购策略。而随着供给龙头业者大幅减产,买方出于对供应将显著减少的预期心理因素,采购态度转趋积极。第三季季底时NAND Flash的合约议价方向已朝向止跌甚至涨价发展,促使第三季NAND Flash位元出货量环比增长3%,整体合并营收来到92.29亿美元,环比增长幅度约2.9%。展望第四季,NAND Flash产品将量价齐涨,预估全产品平均销售单价涨幅将来到13%,整体NAND Flash产业营收环比增长幅度预估将逾两成。
  • 半导体存储器的产业链划分、主要生产基地、分类、性能及应用范围对比
    半导体存储器的产业链划分、主要生产基地、分类、性能及应用范围对比
    NAND Flash:存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成,擦除以“页”为单位,具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点,广泛应用于固态硬盘(SSD)、手机、平板、服务器、USB 驱动器和存储卡等。NOR Flash:存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接,在按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,具有芯片内执行、读取速度快的特点,应用于可穿戴设备、移动终端等。
  • 存储涨价,苦日子真的要过去了?
    存储涨价,苦日子真的要过去了?
    大容量存储涨价尤其明显,大家猜测是华为Mate 60系列强势回归的关系。恰逢行业惯例金九银十的节点,近期PC、智能手机这类消费电子出货量的改善或带来了需求。
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    2023/10/27
  • 预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨,涨势或将延续至明年第一季
    第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。
  • 供应商扩大减产,第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%
    供应商扩大减产,第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%
    由于供应商严格控制产出,NAND Flash第四季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且服务器领域对Enterprise SSD需求回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。
  • 第四季DRAM合约价将转为上涨,季涨幅预估3~8%
    第四季DRAM合约价将转为上涨,季涨幅预估3~8%
    自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨,以DRAM来看,预估第四季合约价季涨幅约3~8%,而此波涨势能否延续需观察供应商是否持续坚守减产策略,以及实际需求回温的程度,其中最关键的是通用型服务器领域。
  • 第二季NAND Flash营收环比增长7.4%,预期第三季将成长逾3%
    第二季NAND Flash营收环比增长7.4%,预期第三季将成长逾3%
    第二季NAND Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。
  • NAND Flash第四季价格有望止跌回升,预估将持平或上涨0~5%
    NAND Flash第四季价格有望止跌回升,预估将持平或上涨0~5%
    据TrendForce集邦咨询调查供应商库存水位,以三星来看,若要在年底前有效降低库存,依赖终端应用客户加大备货力道,实则是缓不济急,唯有严谨的控制产能才是让供需回到合理的最佳方式。而三星大幅减产,预期可能让部分以三星主力供应产品价格反弹向上,有望带动第四季NAND Flash整体位元出货量,并逐步收敛供应商亏损缺口,同时将有助于模组厂改善未来获利情况。
  • 原厂成功拉涨Wafer合约价,现货市场出现短期涨势
    原厂成功拉涨Wafer合约价,现货市场出现短期涨势
    TrendForce集邦咨询认为,由于卖方目前仍握有Wafer等相关NAND Flash产品涨价的主导权,短期市场价格波动在所难免。而第四季韩厂仍将加大NAND Flash减产规模,意图维稳价格,但对照实际终端需求,买方仍保守甚至偏悲观看待后续需求展望,即便采购价格被迫提高,仍难刺激订单量上升,故本次Wafer现货市场价格涨势能否延续仍待观察。
  • 历经2023年低基期,预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%
    历经2023年低基期,预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%
    预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗,通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱,有鉴于2023年基期已低,加上部分存储器产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。不过,尽管需求位元有回升,明年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是仰赖供应商对于产能有所节制,若供应商产能控制得宜,存储器均价则有机会反弹。
  • 三星带头,NAND Flash“涨声”响起!
    8月17日,据Digitime报道称,国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。值得注意的是,8月初,业内就传出消息称,三星已通知客户,打算将512Gb NAND Flash晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。而这似乎也与最新的“模组厂将配合原厂报价调高8~10%”的传闻相呼应。

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