中国储存，这四家公司正在逆袭

第一家：长鑫存储

最近一段时间，#长鑫科技 炒得火热，自7月27日上市以来，市值暴涨，成为A股最大IPO，话题度拉满。

除了资本的炒作，长鑫自身的硬实力才是这次上市就爆火的内在原因。DRAM我们都不陌生，是电脑里的内存，也是服务器、手机等设备最重要的存储器之一。曾经，这个市场几乎被三星、SK海力士和美光三家公司牢牢控制，知道#长鑫存储 出现。

2016年成立于合肥的长鑫存储，直接把目标对准DRAM。公司采用IDM模式，从设计、研发到制造、销售都自己做，目前已经形成了DDR4、DDR5以及LPDDR4X、LPDDR5/5X等产品体系，硬生生地在众多豪强中咬下了一块肉。当然，长鑫距离三星、SK海力士、美光这样的全球巨头仍有差距，尤其是在产能规模、先进制程、HBM等高端产品方面，还需要继续追赶。

第二家：长江存储

如果长鑫解决的是DRAM，那么#长江存储 解决的，就是另一座大山：NAND Flash。手机里的闪存、SSD里的存储芯片，大量都属于NAND Flash。这个市场同样长期由三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光等巨头占据。长江存储成立于2016年，同样选择了一条非常激进的路线：直接挑战3D NAND。它的Xtacking技术路线，引起了全球存储行业的注意。

3D NAND的核心竞争力之一，就是堆多少层，层数越高，在相同面积下可以塞进更多存储单元，提高存储密度并降低单位Bit成本。长江存储曾率先推进232层3D NAND产品，引起行业轰动。更重要的是，长江存储没有简单复制传统路线，而是发展了自己的Xtacking架构，通过存储单元阵列与外围电路的晶圆级连接，提高性能、密度和制造效率。这也是为什么长江存储能够在成立时间并不长的情况下，快速追上全球NAND先进水平。当然，长江存储今天依然要面对产能、设备、供应链以及全球市场竞争等多重压力。

第三家：兆易创新

前面两家公司走的是大制造路线。而#兆易创新 选择了另一条路——存储芯片设计。兆易创新成立于2005年，最早就是从存储器切入。2008年，公司推出中国大陆首颗8M SPI NOR Flash，此后逐渐建立起SPI NOR Flash、SLC NAND Flash以及利基型DRAM等产品矩阵。

发展到今天，兆易创新已经不是一家单纯的Flash公司。它同时布局MCU、传感器、模拟芯片等业务，但存储仍然是公司的核心基本盘。2025年，兆易创新实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归母净利润16.48亿元，同比增长49.47%。其中，存储芯片业务收入达到65.66亿元，同比增长26.41%。

第四家：普冉半导体

普冉半导体 成立于2016年，总部位于上海张江，2021年登陆科创板。公司的核心产品是NOR Flash和EEPROM，同时向MCU和模拟芯片拓展。很多人可能会觉得：NOR Flash、EEPROM容量不大，不值得关注。其实容量小，不代表市场小。手机、可穿戴设备、物联网设备、汽车电子、工业控制、光伏、安防等大量电子产品，都需要这种存储器。比如设备开机需要保存程序，汽车电子需要保存配置参数，工业设备需要记录关键数据，这些场景都离不开存储芯片。

普冉的优势，就是围绕低功耗、高可靠性的非易失性存储器持续深耕。2025年，公司存储系列芯片实现营业收入17.87亿元，同比增长26.10%，全年出货量达到71.83亿颗，同比增长6.06%。

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