SiC MOSFET

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2025/12/23

SiC MOSFET 电能质量

碳化硅MOS产品特性介绍及驱动设计

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2025/12/15

新能源 DCDC

EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析

作者：安森美本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。电源应用和拓扑这些主流应用的功率范围从 ~10kW 到 ~5MW 不等。它们高度依赖电源开关和栅极驱动器来实现高效可靠的运行。光伏电动汽车 (EV) 充电 HEV/EV 主驱逆变器电机

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2025/12/04

MCU pcb

Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY

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2025/12/03

SiC Vishay

Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块

碳化硅MOS新型负压关断驱动设计

基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

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2025/12/02

SiC MOSFET SiC功率模块

高压碳化硅MOS能承受两电平母线的高电压还需要三电平吗

高压碳化硅MOS能承受两电平母线高电压vs三电平研究

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2025/11/26

SiC MOSFET SiC功率模块

SiC MOS功率模块的并联均流技术

采用多芯片并联的方法可提高 sic MOSFET 功率模块的应用电流等级，但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致，这将影响功率模块的可靠性建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型，分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度，使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流，计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响，结果表明，功率模块的瞬态均流能力受

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2025/11/20

电机驱动 DCDC

IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联开关：效率与成本的最优平衡方案

IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案，通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性，在专用栅极驱动器支持下，实现 “性能接近全 SiC、成本低于全 SiC” 的目标，广泛适配太阳能逆变器、储能系统、充电桩、电驱逆变器等大功率应用。

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2025/11/18

IGBT 开关

单一企业SiC出货超1000万颗，SiC MOS新赛道驶出快车

碳化硅（SiC）正迅速渗透消费电子快充市场，以其高性价比优势打破高压场景局限，推动PD快充向更高效率、更小体积方向发展。多家知名充电配件品牌已导入SiC MOSFET方案，显示出巨大市场潜力。英嘉通半导体凭借其在SiC与GaN双技术路径上的布局，成为连接技术升级与市场应用的关键参与者，提供高性能解决方案，助力快充技术进步。

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2025/11/18

SiC 碳化硅

碳化硅MOS特性产品介绍及驱动研究

碳化硅MOSFET因其独特的性能优势，如宽带隙、高击穿电场强度、快速开关速度等，在电力电子、光伏逆变器和高频电子等领域广泛应用。本文介绍了碳化硅MOSFET的基本特性和主要应用场景。 **碳化硅MOSFET的主要特点：** - **宽带隙**：提供更高的工作温度和更低的导通电阻。 - **高击穿电场强度**：增强器件的耐压能力和可靠性。 - **快速开关速度**：适合高频操作，减少开关损耗。 - **低导通电阻**：在高温下保持较低的导通电阻，利于节能和散热。 - **快速恢复性能**：体二极管恢复速度快，减少开关损耗。 **应用场景：** - **电力电子**：提高器件的功率密度和效率。 - **光伏逆变器**：改善系统性能和稳定性。 - **高频电子**：适用于高频开关应用，简化被动元件设计。 **驱动电路设计要点：** - 使用驱动能力较强的驱动芯片。 - 减少驱动电路寄生电感的影响。 - 采用负压关断以避免噪声干扰。 - 配备退饱和保护、故障信号反馈等功能。 **结论：** 碳化硅MOSFET凭借其卓越的性能，成为现代电子设备的理想选择，尤其在高频和高功率应用中展现出显著优势。合理设计驱动电路是充分发挥其潜力的关键。

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2025/11/17

碳化硅 SiC MOSFET

芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台重点覆盖新能源和AI数据中心电源

继SiC MOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后，AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。近日，芯联集成（688469.SH）发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心

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2025/11/17

新能源汽车碳化硅

1.25亿元收购已完成，又一巨头加速进军SiC

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry收购SK Powertech，加速碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术研发，预计2025年底推出1200V SiC MOSFET工艺，2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。韩国政府长期政策扶持与龙头企业密集动作，构建完善的第三代半导体产业体系，目标到2030年将SiC功率半导体技术自给率提升至20%。

化合物半导体市场

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2025/11/13

SiC SiC MOSFET

芯联集成董事长、总经理赵奇：公司全年营收将超80亿

芯联集成（688469.SH）2025 年三季报电话交流会上传出重磅信号：公司前三季度实现营业收入54.22亿元，同比增长近20%。公司董事长、总经理赵奇明确表示，受益于新能源、AI、机器人等赛道的需求增长，芯联集成全年营收将达到80亿元到83亿元，同比增幅达23%-28%，为2026年公司冲击百亿营收奠定坚实基础。“ 目前可以看到，公司的汽车功率模块、激光雷达和消费类MEMS传感器等产品需求旺盛

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2025/10/31

SiC MOSFET 模拟IC

分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器设计

1、分立器件并联高功率密度SiC控制器设计 1.1 控制器电气架构设计该系统选择了 SiC MOSFET 双管并联的方法，主回路原理如图 1 所示。采用的是常用的三相全桥的电路结构拓扑，为了扩大通流能力，6 路开关管均采用了 SiC MOSFET 管并联的形式，并联的管子数量为 2，封装为 TO247-4。整个系统共采用了 12只 SiC MOSFET 管。母线电压正极 UDC+与母线电压负极

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2025/10/14

电机控制电机驱动

罗姆：第5代SiC MOS今年投产，将采用8吋产线

近年来，业界厂商加速向8英寸SiC技术转型。最近，“行家说三代半”注意到，行业巨头罗姆半导体也明确表示，其第五代SiC MOSFET产品将采用8英寸衬底制造，并计划在今年推进该技术实现商业化：

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2025/09/24

SiC MOSFET

7家SiC企业亮相新技术：3.3kV、单管100A等

近日，“行家说三代半”发现，罗姆半导体、基本半导体、方正微电子、至信微电子、爱仕特、澎芯半导体、NoMIS Power等多家SiC企业相继推出新产品，主要集中在SiC MOSFET、SiC 模块上：罗姆半导体：推出二合一SiC模块 9月16日，罗姆半导体在官网宣布，他们开发了二合一SiC模压模块“DOT-247”，其不仅保留了广泛采用的“TO-247”封装的多功能性，同时还实现了高设计灵活性和高

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2025/09/17

SiC MOSFET

搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团（总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”）宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。

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2025/09/10

汽车零部件罗姆

新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装

新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件 TO247-4引脚IMZA封装第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V/53mΩ，TO247-4引脚IMZA封装，确保安装兼容性并可轻松替换现有系统设计，为更经济高效、紧凑、易设计且可靠的系统提供领先的解决方案。该器件在硬开关操作和软开关拓扑中均能表现出更优异的性能，适用于所有常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC组合拓扑

英飞凌

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2025/09/09

SiC MOSFET

三安：SiC MOS实现2大关键突破

近日，“行家说三代半”注意到湖南三安接连公布了两个碳化硅关键技术进展：一是首代沟槽栅技术平台正式发布、二是积极布局铜基正面金属化（FSM）工艺，详情如下：发布首代沟槽栅平台：关键性能指标卓越 8月27日，湖南三安正式发布首代高性能 Trench MOSFET技术平台成果，标志着其在碳化硅功率器件领域实现又一重大技术突破。湖南三安透露，本次发布的Trench MOSFET实验批次在关键性能指标上