SiC MOSFET

• AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比

  本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。

  安森美半导体

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  02/27 09:12

  转换器 SiC MOSFET
• 英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I产品系列，这是一系列支持光耦仿真器输入的高性能隔离栅极驱动器IC。该系列器件与现有光耦仿真器和光耦合器引脚兼容，具备高共模瞬态抗扰度（CMTI）、强大的输出级，以及比现有解决方案更精准的时序特性。这使得工程师能够无缝迁移到碳化硅（SiC）

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  02/11 14:00

  物联网 英飞凌

  
• 2家企业采用SiC，又一增量市场静悄悄打开

  尽管SiC MOSFET价格下降，却推动LED照明电源行业采用新技术。两家电源企业率先引入碳化硅技术，标志着800亿美元增量市场开启。碳化硅在LED照明中的应用有助于提升效率和小型化，满足电源企业需求。

  行家说三代半

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  01/23 15:37

  SiC SiC MOSFET
• 这家SiC企业发力，4款车规级沟槽MOS量产

  三菱电机宣布将于1月21日起提供四款全新沟槽型SiC MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器及光伏逆变器设计，能够降低功率损耗并保持性能。该产品将在多个市场推广，并展示了其对全球先进功率半导体裸芯片市场需求的快速响应。

  行家说三代半

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  01/19 08:34

  SiC MOSFET
• 告别“野蛮生长”：碳化硅行业迎来价值回归，1000万颗车规芯片背后的生存逻辑

  深圳爱仕特科技有限公司（以下简称：爱仕特）成立于2017年，是专注于SiC MOSFET芯片研发及功率模块生产的国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人。公司依托6英寸晶圆工艺，实现650V-3300V全系列产品量产，应用于新能源汽车、光伏储能等领域。公司建有万级车规级生产基地，2023年完成超3亿元A+轮融资。

  芯片揭秘

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  01/14 17:44

  碳化硅 SiC MOSFET

  
• 芯联集成增资至83.8亿，或锁定8英寸SiC MOSFET扩产

  芯联集成完成新一轮工商变更，注册资本增至约83.8亿元人民币，主要用于强化碳化硅等第三代半导体业务布局，并通过发行股份及支付现金的方式收购芯联越州集成电路制造有限公司72.33%股权。此外，公司还完成了第一期股票期权激励计划的行权登记，累计新增股份2244.42万股。芯联集成的核心业务涵盖先进晶圆级封装、电子元器件及光学元器件研发制造，是国内重要的功率半导体代工企业。

  化合物半导体市场

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  01/06 15:27

  SiC MOSFET

  
• 3300V SiC/Si 混合型三电平拓扑应用技术

  3300V SiC/Si 混合型三电平拓扑应用技术

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/12/23

  SiC MOSFET 电能质量
• 碳化硅MOS产品特性介绍及驱动设计

  碳化硅MOS产品特性介绍及驱动设计

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/12/15

  新能源 DCDC
• EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析

  作者：安森美 本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。 电源应用和拓扑 这些主流应用的功率范围从 ~10kW 到 ~5MW 不等。 它们高度依赖电源开关和栅极驱动器来实现高效可靠的运行。 光伏 电动汽车 (EV) 充电 HEV/EV 主驱逆变器 电机

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  2025/12/04

  MCU pcb

  
• Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块

  薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY

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  2025/12/03

  SiC Vishay

  
• 碳化硅MOS新型负压关断驱动设计

  基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/12/02

  SiC MOSFET SiC功率模块
• 高压碳化硅MOS能承受两电平母线的高电压还需要三电平吗

  高压碳化硅MOS能承受两电平母线高电压vs三电平研究

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/11/26

  SiC MOSFET SiC功率模块
• SiC MOS功率模块的并联均流技术

  采用多芯片并联的方法可提高 sic MOSFET 功率模块的应用电流等级，但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致，这将影响功率模块的可靠性 建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型，分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度，使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流，计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响，结果表明，功率模块的瞬态均流能力受

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/11/20

  电机驱动 DCDC
• IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联开关：效率与成本的最优平衡方案

  IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案，通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性，在专用栅极驱动器支持下，实现 “性能接近全 SiC、成本低于全 SiC” 的目标，广泛适配太阳能逆变器、储能系统、充电桩、电驱逆变器等大功率应用。

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  2025/11/18

  IGBT 开关
• 单一企业SiC出货超1000万颗，SiC MOS新赛道驶出快车

  碳化硅（SiC）正迅速渗透消费电子快充市场，以其高性价比优势打破高压场景局限，推动PD快充向更高效率、更小体积方向发展。多家知名充电配件品牌已导入SiC MOSFET方案，显示出巨大市场潜力。英嘉通半导体凭借其在SiC与GaN双技术路径上的布局，成为连接技术升级与市场应用的关键参与者，提供高性能解决方案，助力快充技术进步。

  行家说三代半

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  2025/11/18

  SiC 碳化硅

  
• 碳化硅MOS特性产品介绍及驱动研究

  碳化硅MOSFET因其独特的性能优势，如宽带隙、高击穿电场强度、快速开关速度等，在电力电子、光伏逆变器和高频电子等领域广泛应用。本文介绍了碳化硅MOSFET的基本特性和主要应用场景。 **碳化硅MOSFET的主要特点：** - **宽带隙**：提供更高的工作温度和更低的导通电阻。 - **高击穿电场强度**：增强器件的耐压能力和可靠性。 - **快速开关速度**：适合高频操作，减少开关损耗。 - **低导通电阻**：在高温下保持较低的导通电阻，利于节能和散热。 - **快速恢复性能**：体二极管恢复速度快，减少开关损耗。 **应用场景：** - **电力电子**：提高器件的功率密度和效率。 - **光伏逆变器**：改善系统性能和稳定性。 - **高频电子**：适用于高频开关应用，简化被动元件设计。 **驱动电路设计要点：** - 使用驱动能力较强的驱动芯片。 - 减少驱动电路寄生电感的影响。 - 采用负压关断以避免噪声干扰。 - 配备退饱和保护、故障信号反馈等功能。 **结论：** 碳化硅MOSFET凭借其卓越的性能，成为现代电子设备的理想选择，尤其在高频和高功率应用中展现出显著优势。合理设计驱动电路是充分发挥其潜力的关键。

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/11/17

  碳化硅 SiC MOSFET
• 芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台 重点覆盖新能源和AI数据中心电源

  继SiC MOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后，AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。 近日，芯联集成（688469.SH）发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。 该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心

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  2025/11/17

  新能源汽车 碳化硅

  
• 1.25亿元收购已完成，又一巨头加速进军SiC

  韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry收购SK Powertech，加速碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术研发，预计2025年底推出1200V SiC MOSFET工艺，2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。韩国政府长期政策扶持与龙头企业密集动作，构建完善的第三代半导体产业体系，目标到2030年将SiC功率半导体技术自给率提升至20%。

  化合物半导体市场

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  2025/11/13

  SiC SiC MOSFET

  
• 芯联集成董事长、总经理赵奇：公司全年营收将超80亿

  芯联集成（688469.SH）2025 年三季报电话交流会上传出重磅信号：公司前三季度实现营业收入54.22亿元，同比增长近20%。公司董事长、总经理赵奇明确表示，受益于新能源、AI、机器人等赛道的需求增长，芯联集成全年营收将达到80亿元到83亿元，同比增幅达23%-28%，为2026年公司冲击百亿营收奠定坚实基础。“ 目前可以看到，公司的汽车功率模块、激光雷达和消费类MEMS传感器等产品需求旺盛

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  2025/10/31

  SiC MOSFET 模拟IC
• 分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器设计

  1、分立器件并联高功率密度SiC控制器设计 1.1 控制器电气架构设计 该系统选择了 SiC MOSFET 双管并联的方法，主回路原理如图 1 所示。采用的是常用的三相全桥的电路结构拓扑，为了扩大通流能力，6 路开关管均采用了 SiC MOSFET 管并联的形式，并联的管子数量为 2，封装为 TO247-4。整个系统共采用了 12只 SiC MOSFET 管。母线电压正极 UDC+与母线电压负极 

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  2025/10/14

  电机控制 电机驱动

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