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SiC MOSFET

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  • 顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。 新产品通过采
    270
    07/09 14:03
    ROHM SiC MOSFET
    顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
  • 1200V vs 1700V SiC MOSFET横评：英飞凌/Wolfspeed/ST/比亚迪半导
    description: SST（固态变压器）拓扑确定后，SiC MOSFET的电压等级选择直接决定系统的效率、成本和可靠性。本文深度横评英飞凌、Wolfspeed、ST、比亚迪半导体四大厂商的1200V与1700V SiC MOSFET产品，涵盖导通损耗计算、开关频率分析、热阻封装对比和选型决策树，附Python代码实战，为SST设计者提供可落地的器件选型指南。 1. 引言：拓扑确定后，器件选型
    1294
    07/08 16:41
    SiC MOSFET 固态变压器
  • 20家企业集体涨价，又两家国内功率半导体厂商二轮调价
    2026年以来，多家芯片厂商集体启动新一轮涨价，特别是功率半导体领域。士兰微宣布全品类产品涨价15%，主要受成本与供需双重驱动。芯联集成则上调晶圆代工价格15%-25%，反映行业整体成本压力。全球功率半导体行业迎来集体涨价热潮，国内外厂商同步共振。
    1645
    07/03 15:09
    功率半导体 IGBT
  • 全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
    本文介绍了沟槽栅SiC MOSFET的动态雪崩测试原理及其两种主要测试类型——单脉冲雪崩耐量（EAS）和重复雪崩耐量（EAR）。通过实验展示了单脉冲雪崩测试的步骤和失效机制，以及重复雪崩测试对器件参数稳定性的评估。文章强调了不同测试条件下器件的雪崩能力表现，并对比了单脉冲和重复雪崩耐量的区别。最后，指出合理选择器件并配合电路设计对于提高系统可靠性的重要性。 关键词：SiC MOSFET，动态雪崩测试，单脉冲雪崩耐量，重复雪崩耐量，可靠性测试
    885
    06/25 13:14
    SiC MOSFET 雪崩二极管
  • 芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"
    芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。 此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源这一高成长赛道的集中体现，也标志着公司在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，
    554
    06/22 09:06
    数据中心 生成式AI
    芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"
  • 英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
    碳化硅（SiC）MOSFET的短路特性被广泛误解为“天生扛不住短路”。实际上，SiC MOSFET可以通过特殊单元结构设计来提高其短路耐受能力，甚至接近传统IGBT的水平。然而，为了实现超低导通电阻，SiC MOSFET通常需要牺牲一定的短路能力。 SiC MOSFET在短路过程中经历三个阶段：电流迅速上升至峰值；结温升高导致电流下降；最终关闭器件。常见的失效模式包括热失控引发的封装爆炸和顶层金属熔化导致的栅源短路。 英飞凌通过优化器件元胞结构和严格的测试，实现了CoolSiC™ MOSFET在工业与车载等高可靠场景下的稳定短路能力，标称短路耐受时间为2~3微秒。这表明SiC MOSFET的短路特性是可以管理和控制的，关键是合理选择和使用器件，而不是盲目追求长时短路耐受。
    976
    06/18 11:06
    SiC MOSFET
  • Wolfspeed/英飞凌/中车/安世等披露新SiC合作
    SiC技术在多个领域取得进展，通用电气与Wolfspeed合作推动高压碳化硅方案商用，英飞凌与西门子联合开发固态断路器，广州地铁与株洲中车采用国产碳化硅器件，安世半导体与多家企业达成车规SiC战略合作，紫荆半导体与长晶科技布局车规级SiC功率器件，忱芯科技交付SiC MOSFET测试系统。
    1941
    06/15 22:47
    SiC SiC MOSFET
  • 深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
    碳化硅（SiC）MOSFET面临栅极开关不稳定性（GSI）挑战，英飞凌通过深入研究和技术创新，有效控制GSI，确保CoolSiC™ MOSFET在高频开关场景下的长期稳定性和可靠性。GSI的核心表现是阈值电压漂移，远超DC BTI测试结果，严重影响实际应用中的参数稳定性。英飞凌通过优化工艺和结构，显著降低了GSI引起的导通电阻增加和损耗上升，确保器件在各种应用场景下的高效运行。
    903
    06/13 09:25
    SiC MOSFET
    深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
  • 新技术！SiC MOS双极退化难题有解了？
    名古屋工业大学提出一种新离子注入技术，通过高能离子注入抑制堆垛层错，显著提升SiC MOSFET的长期可靠性。此技术利用氢或氦离子穿透外延层并诱导点缺陷，阻止基面位错扩展，从而防止双极退化。实验结果显示，注入后的二极管在高电应力下仍保持良好性能，堆垛层错扩展被显著抑制。这项技术适用于多种SiC功率器件，并有望降低成本和筛选成本，促进SiC器件广泛应用。
    684
    06/09 23:12
    SiC SiC MOSFET
  • 出货量破千万颗，SiC MOS为何能攻入PD快充？
    SiC MOS在PD快充赛道商业化加速，多家终端厂商导入并实现批量出货，推动成本下降和技术进步，有望在未来继续扩大市场份额。
    1246
    06/03 17:23
    SiC MOSFET PD快充
  • 如何评估SiC MOSFET栅氧化层的使用寿命
    英飞凌通过马拉松应力测试精确预测SiC MOSFET的栅氧寿命，这种方法以贴近实际的应用条件、大样本量和长时间测试为核心，通过线性E模型校准非本征加速参数，实现全寿命周期的可靠性预测。测试结果显示，经过筛选的器件在实际工作条件下表现出极高的可靠性，甚至超过20年的产品寿命。
    863
    1评论
    05/29 10:53
    SiC MOSFET
  • 仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
    本文介绍了碳化硅（SiC）MOSFET栅氧化层可靠性的重要性及其面临的挑战，特别是非本征缺陷的影响。通过工艺优化、创新筛选技术和沟槽结构设计，英飞凌成功提升了SiC MOSFET的栅氧可靠性，使其接近硅基器件的水平，并在实际应用中展现出更好的性能和更低的失效率。
    1944
    05/24 08:55
    SiC MOSFET
    仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
  • 东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功
    473
    05/21 10:07
    生成式AI SiC MOSFET
    东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
  • 深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
    SiC MOSFET因其高频、高效、高温的优势，在新能源汽车、光伏储能等领域迅速发展。然而，基于SiC的MOSFET需要进行不同于Si器件的额外可靠性试验，主要包括栅极可靠性、高压环境可靠性、短路与动态特性和湿度专属测试等方面。英飞凌通过制定专门的测试标准，如GSS测试、DRB测试和AC-HTC测试，来全面评估SiC MOSFET的可靠性，确保其在复杂环境下仍能保持稳定性能。
    993
    05/13 17:28
    SiC MOSFET
  • 如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率
    英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品，采用扩散焊工艺降低结壳热阻，导通电阻范围从7mΩ至78mΩ。G2相比G1在硬开关应用中提升了效率和结温表现，尤其在Boost、同步整流Boost、Buck-Boost和两电平逆变器拓扑中表现出色。G2在软开关应用如LLC、CLLC和DAB拓扑中同样展现出优势，特别是在温度依赖性的RDSON特性上。设计建议包括使用小于500ns的死区时间和较小的驱动电阻，以及使用-5V作为关断Vgs以减小开关损耗。
    763
    05/02 08:55
    SiC MOSFET
  • SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
    本文介绍了SiC MOSFET的体二极管及其关键特性，包括反向恢复电荷小和导通压降较高。文中详细解释了体二极管的形成机制和特性，并讨论了如何选择合适的死区时间以避免器件损坏。最后，文章提供了死区时间选择的方法和步骤，包括初步设置、逐步优化以及全工况验证，以确保系统的稳定性和可靠性。
    2535
    04/23 11:26
    SiC MOSFET
  • ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（T
    754
    04/21 15:17
    电动汽车 ROHM
    ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
  • SiC MOSFET的并联设计要点
    英飞凌碳化硅应用技术大会即将开幕，聚焦前沿技术，探讨零碳未来。重点介绍SiC MOSFET在高电流应用场景下的并联应用技巧，包括器件参数一致性、功率回路布局及驱动电路优化设计，以实现电流均匀分布和消除芯片间振荡。特别强调英飞凌SiC MOSFET在导通电阻和阈值电压上的优异表现及其对并联应用的支持。
    2757
    04/16 15:53
    SiC MOSFET 并联电路
  • 沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
    对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。
    1607
    04/09 11:34
    SiC MOSFET 固态变压器
    沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
  • 碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
    碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中的应用日益广泛，特别是SiC JFET系列器件因其出色的性能优势受到关注。本文深入探讨了SiC CJFET的动态特性和应用灵活性，包括其极低的导通电阻、显著的开关损耗优势以及独特的栅极驱动特性。此外，还介绍了SiC Combo JFET的应用灵活性，提供了多种控制选项和高电流能力。这些技术革新不仅提高了电源设计的效率，也为工业与服务器电源带来了新的解决方案。
    1011
    04/09 11:33
    碳化硅 SiC MOSFET

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