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SiC MOSFET

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  • 出货量破千万颗，SiC MOS为何能攻入PD快充？
    SiC MOS在PD快充赛道商业化加速，多家终端厂商导入并实现批量出货，推动成本下降和技术进步，有望在未来继续扩大市场份额。
    558
    06/03 17:23
    SiC MOSFET PD快充
  • 如何评估SiC MOSFET栅氧化层的使用寿命
    英飞凌通过马拉松应力测试精确预测SiC MOSFET的栅氧寿命，这种方法以贴近实际的应用条件、大样本量和长时间测试为核心，通过线性E模型校准非本征加速参数，实现全寿命周期的可靠性预测。测试结果显示，经过筛选的器件在实际工作条件下表现出极高的可靠性，甚至超过20年的产品寿命。
    491
    1评论
    05/29 10:53
    SiC MOSFET
  • 仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
    本文介绍了碳化硅（SiC）MOSFET栅氧化层可靠性的重要性及其面临的挑战，特别是非本征缺陷的影响。通过工艺优化、创新筛选技术和沟槽结构设计，英飞凌成功提升了SiC MOSFET的栅氧可靠性，使其接近硅基器件的水平，并在实际应用中展现出更好的性能和更低的失效率。
    1238
    05/24 08:55
    SiC MOSFET
    仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
  • 东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功
    406
    05/21 10:07
    生成式AI SiC MOSFET
    东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
  • 深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
    SiC MOSFET因其高频、高效、高温的优势，在新能源汽车、光伏储能等领域迅速发展。然而，基于SiC的MOSFET需要进行不同于Si器件的额外可靠性试验，主要包括栅极可靠性、高压环境可靠性、短路与动态特性和湿度专属测试等方面。英飞凌通过制定专门的测试标准，如GSS测试、DRB测试和AC-HTC测试，来全面评估SiC MOSFET的可靠性，确保其在复杂环境下仍能保持稳定性能。
    694
    05/13 17:28
    SiC MOSFET
  • 如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率
    英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品，采用扩散焊工艺降低结壳热阻，导通电阻范围从7mΩ至78mΩ。G2相比G1在硬开关应用中提升了效率和结温表现，尤其在Boost、同步整流Boost、Buck-Boost和两电平逆变器拓扑中表现出色。G2在软开关应用如LLC、CLLC和DAB拓扑中同样展现出优势，特别是在温度依赖性的RDSON特性上。设计建议包括使用小于500ns的死区时间和较小的驱动电阻，以及使用-5V作为关断Vgs以减小开关损耗。
    489
    05/02 08:55
    SiC MOSFET
  • SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
    本文介绍了SiC MOSFET的体二极管及其关键特性，包括反向恢复电荷小和导通压降较高。文中详细解释了体二极管的形成机制和特性，并讨论了如何选择合适的死区时间以避免器件损坏。最后，文章提供了死区时间选择的方法和步骤，包括初步设置、逐步优化以及全工况验证，以确保系统的稳定性和可靠性。
    1933
    04/23 11:26
    SiC MOSFET
  • ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（T
    582
    04/21 15:17
    电动汽车 ROHM
    ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
  • SiC MOSFET的并联设计要点
    英飞凌碳化硅应用技术大会即将开幕，聚焦前沿技术，探讨零碳未来。重点介绍SiC MOSFET在高电流应用场景下的并联应用技巧，包括器件参数一致性、功率回路布局及驱动电路优化设计，以实现电流均匀分布和消除芯片间振荡。特别强调英飞凌SiC MOSFET在导通电阻和阈值电压上的优异表现及其对并联应用的支持。
    2088
    04/16 15:53
    SiC MOSFET 并联电路
  • 沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
    对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。
    1272
    04/09 11:34
    SiC MOSFET 固态变压器
    沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
  • 碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
    碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中的应用日益广泛，特别是SiC JFET系列器件因其出色的性能优势受到关注。本文深入探讨了SiC CJFET的动态特性和应用灵活性，包括其极低的导通电阻、显著的开关损耗优势以及独特的栅极驱动特性。此外，还介绍了SiC Combo JFET的应用灵活性，提供了多种控制选项和高电流能力。这些技术革新不仅提高了电源设计的效率，也为工业与服务器电源带来了新的解决方案。
    840
    04/09 11:33
    碳化硅 SiC MOSFET
  • 赛晶半导体：用于SST应用的2300V SiC MOSFET
    赛晶半导体将于4月10日在深圳举行的“800VDC数据中心能源变革——储能与第三代半导体协同发展论坛”上发表关于2300V SiC MOSFET在固态变压器应用中的主题报告。报告将详细介绍赛晶亚太半导体自主研发的2.3kV SiC MOSFET器件及其技术优势，并总结设计理念与产业化进展，展望其在高压电力电子领域的应用前景。
    701
    04/07 21:53
    SiC MOSFET
  • 国产10kV SiC实现量产交付，该企业攻克了哪些难题？
    安海半导体成功攻克万伏级SiC技术壁垒，实现6.5kV、10kV SiC MOSFET的研发量产，并与多家终端企业达成合作，首批订单将于本月正式交付，标志着国产高压SiC功率器件迈入规模化应用新阶段。
    622
    04/03 14:30
    SiC MOSFET SiC技术
  • 碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
    碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中发挥着重要作用。本文介绍了三种替代Si和SiC MOSFET的方案：SiC JFET、SiC Combo JFET和SiC Cascode JFET。详细探讨了它们的特点、工作原理及其在不同应用场景中的优势。特别强调了SiC JFET的低导通电阻、温度自监测能力和开关灵活性，以及SiC Combo JFET的独立栅极控制和过驱动功能，还有SiC Cascode JFET的高效性和适用于高频开关应用的能力。文章还提供了具体的电路图和计算公式，帮助工程师更好地理解和应用这些技术。
    814
    04/03 10:01
    碳化硅 SiC MOSFET
    碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
  • SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨
    在设计DCDC或DCAC电路时，桥臂直通保护面临挑战，尤其是对于SiC MOSFET器件，其短路耐受时间较传统IGBT短。本文通过实验测试，研究了驱动芯片的退饱和功能（DESAT）在桥臂直通保护中的应用，并探讨了门极电压、母线电压和短路时间等因素的影响。结果显示，合理的短路保护响应时间和适当的门极电压选择能够有效降低短路损耗和过压尖峰，提高系统的可靠性。
    1422
    04/02 10:32
    SiC MOSFET
  • 英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点
    英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，全面提升SiC MOSFET性能，适用于光伏、储能、电动汽车充电等领域。G2系列电压等级全面，导通电阻细分为7mΩ至350mΩ，满足不同功率需求。芯片采用非对称沟槽栅结构，优化动态及静态性能，实现更低的开关损耗和热阻。G2具备出色的可靠性设计，支持过载运行，并提供多样化封装形式，适应多种应用场景。
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    03/27 10:06
    SiC MOSFET
  • AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比
    本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。
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    02/27 09:12
    转换器 SiC MOSFET
  • 英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I产品系列，这是一系列支持光耦仿真器输入的高性能隔离栅极驱动器IC。该系列器件与现有光耦仿真器和光耦合器引脚兼容，具备高共模瞬态抗扰度（CMTI）、强大的输出级，以及比现有解决方案更精准的时序特性。这使得工程师能够无缝迁移到碳化硅（SiC）
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    02/11 14:00
    物联网 英飞凌
    英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用
  • 2家企业采用SiC，又一增量市场静悄悄打开
    尽管SiC MOSFET价格下降，却推动LED照明电源行业采用新技术。两家电源企业率先引入碳化硅技术，标志着800亿美元增量市场开启。碳化硅在LED照明中的应用有助于提升效率和小型化，满足电源企业需求。
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    01/23 15:37
    SiC SiC MOSFET
  • 这家SiC企业发力，4款车规级沟槽MOS量产
    三菱电机宣布将于1月21日起提供四款全新沟槽型SiC MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器及光伏逆变器设计，能够降低功率损耗并保持性能。该产品将在多个市场推广，并展示了其对全球先进功率半导体裸芯片市场需求的快速响应。
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    01/19 08:34
    SiC MOSFET

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