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SiC MOSFET

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  • 如何理解SiC MOSFET额定直流电流与峰值电流 —— SiC MOSFET数据手册解析之IDDC,IDM
    SiC MOSFET额定电流IDDC是基于热阻、导通电阻和最大结温的计算值，并非实测；实际开关工况含开关损耗，可用电流通常远低于IDDC。不同厂家热阻取值不同，IDDC不宜直接横向比较。峰值电流IDM本质上受结温限制，短脉冲电流尖峰若未使结温超限，一般可被容忍。
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    10/28 21:11
    SiC MOSFET 直流电流
  • 超10家企业卡位，超结SiC MOSFET量产还有多远？
    超结SiC MOSFET成功率器件新热点，国内企业取得工艺突破，海外大厂预计2027至2031年量产。爱仕特、东微、天域认为，超结通过P/N电荷补偿降低导通电阻，但仍需突破Multi-EPI/深沟槽外延、电荷平衡、可靠性、良率与成本等瓶颈。业内预计明后年或2027至2028小批量量产，2028至2030放量；超结不会取代平面和沟槽，将按场景长期共存，企业正从材料、器件与工艺协同推进落地。
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    10/15 21:04
    SiC MOSFET
  • 如何评估与应对宇宙射线对 SiC MOSFET可靠性的影响
    文章解析SiC MOSFET宇宙射线失效：地面中子辐射随海拔增强，高偏置电场触发单粒子烧毁，失效率指数上升。提升抗辐射需提高击穿电压，但会增大导通损耗；实际FIT应通过加速辐射测试，并结合工作电压、海拔和阻断时间定制评估。
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    10/13 10:08
    SiC MOSFET
  • 东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性
    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流（DC）额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。
    233
    09/24 10:08
    SiC MOSFET 东芝
    东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性
  • SiC MOS收入增长近600%！这家企业凭什么脱颖而出？
    基本半导体（9971.HK）交出登陆港交所后的首份财报，营业收入稳定增加，整体毛利率率先实现转正，工业级SiC模块及SiC MOSFET收入大幅增长。在全球化布局下，基本半导体在汽车、工业、AI数据中心等多个领域取得实质性突破，产品迭代和结构调整助力毛利率转正。
    699
    09/01 15:23
    SiC SiC MOSFET
  • 碳化硅的"无人区"里，终于立起了中国坐标！
    深圳平湖实验室成功研制出20kV SiC MOSFET，标志着中国首次进入超高压功率半导体领域，并在全球同类器件中处于领先地位。这项突破不仅提升了中国在超高压器件方面的技术水平，也为下游应用如固态变压器、高压直流输电等提供了强有力的支持，有助于推动整个产业向更高电压等级发展。
    1730
    09/01 15:16
    碳化硅 SiC MOSFET
  • SiC器件准静态C-V测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
    电容-电压（C-V）测量是半导体材料与器件工艺表征的重要手段，广泛应用于 MOS 器件分析。借助 C-V 测试数据，可提取氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等多项关键器件参数。 传统准静态 C-V 测试大多依靠源测量单元（SMU）输出步进电压、采集响应电流完成测试，该方案在硅基 MOS 器件测试中表现良好。但针对碳化硅（SiC）MOS
    292
    08/21 12:05
    半导体材料 SiC MOSFET
    SiC器件准静态C-V测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
  • SiC MOSFET三引脚与四引脚差异
    两颗相同硅片的器件在同一电路中表现差异的原因在于封装的不同导致散热、信号传输和长期性能的变化。数据手册仅描述了器件特性，而实际表现受封装影响显著。例如，DIF170SIC049的四引脚设计解决了栅极驱动信号在共用连接时的损耗问题，展示了封装对器件性能的关键作用。
    486
    08/21 07:47
    SiC MOSFET 硅片
    SiC MOSFET三引脚与四引脚差异
  • DIF170SIC049｜1700V SiC MOSFET 四引脚方案，解决三引脚封装开关速度瓶颈
    SiC MOSFET DIF170SIC049采用四引脚结构，解决传统三引脚封装中的开关电流干扰问题，提高开关速度并降低开关损耗。
    308
    08/10 07:53
    SiC MOSFET
    DIF170SIC049｜1700V SiC MOSFET 四引脚方案，解决三引脚封装开关速度瓶颈
  • 不同器件建模与优化对SiC MOSFET在极端工况下Tvj计算的影响与分析
    在新能源汽车应用中，SiC MOSFET器件面临极端工作条件，如主动短路（ASC）和浪涌电流冲击，导致芯片表面金属层熔化。文章基于SPICE和PLECS对SiC MOSFET器件进行建模与优化，特别是针对ASC工况的增强版SPICE模型和PLECS模型的热阻在线更新功能，取得了良好效果。通过对比3D有限元热仿真、增强版SPICE仿真和PLECS仿真，展示了优化模型的高精度仿真能力。特别强调在线热阻更新对于极限工况下芯片温度仿真的重要性。 --- **关键词：** SiC MOSFET, ASC工况, 热阻模型, PLECS仿真, 3D有限元仿真
    466
    08/03 09:21
    SiC MOSFET
  • SST 系列：可靠性与寿命预测——电容会死、器件会老，MTBF 怎么算？
    摘要： 在 AI 数据中心 7×24 小时不间断运行场景下，SST 固态变压器的可靠性不再是"锦上添花"，而是"生死线"。本文深度解析电解电容寿命模型、SiC MOSFET 老化机制、热循环疲劳分析、MTBF 计算方法，以及加速寿命测试与预测性维护的工程实践。附 Python 寿命估算代码 + 实际案例数据。 description: SST固态变压器可靠性与寿命预测深度解析：电解电容寿命模型、S
    2057
    07/24 15:13
    SiC MOSFET 固态变压器
  • 瞻芯到底在下一盘什么棋？
    瞻芯电子宣布3.3kV SiC MOSFET量产出货，标志着国产高压SiC在中高压领域的突破。3.3kV电压等级处于车规级与IGBT性能之间，具有显著的系统架构优势，能够大幅缩小体积和重量，降低损耗。瞻芯此次不仅提供了完整的器件和驱动解决方案，还在10kV SiC MOSFET研发方面取得进展，逼近材料理论极限。尽管面临材料、工艺和封装的挑战，国产高压SiC的发展前景广阔，有助于新型电力系统和AI算力基础设施的进步。
    1388
    07/21 09:37
    SiC MOSFET
    瞻芯到底在下一盘什么棋？
  • 该企业完成7亿元融资，SiC MOS已批量上车
    芯聚能和芯粤能完成D轮融资，融资总额超7亿元人民币。两家公司已成功突破碳化硅芯片应用量产上车，构建完整的碳化硅车规主驱产业链。芯粤能已签约超过250家客户，其芯片已通过多项认证并进入多个终端应用领域。芯聚能则广泛应用于多家汽车品牌，车规产品表现优异。此次融资将进一步推动两家公司在碳化硅功率半导体赛道的发展。
    1262
    07/18 12:08
    SiC SiC MOSFET
  • 顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。 新产品通过采
    505
    07/09 14:03
    SiC MOSFET ROHM
    顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
  • 1200V vs 1700V SiC MOSFET横评：英飞凌/Wolfspeed/ST/比亚迪半导
    description: SST（固态变压器）拓扑确定后，SiC MOSFET的电压等级选择直接决定系统的效率、成本和可靠性。本文深度横评英飞凌、Wolfspeed、ST、比亚迪半导体四大厂商的1200V与1700V SiC MOSFET产品，涵盖导通损耗计算、开关频率分析、热阻封装对比和选型决策树，附Python代码实战，为SST设计者提供可落地的器件选型指南。 1. 引言：拓扑确定后，器件选型
    2995
    07/08 16:41
    SiC MOSFET 固态变压器
  • 20家企业集体涨价，又两家国内功率半导体厂商二轮调价
    2026年以来，多家芯片厂商集体启动新一轮涨价，特别是功率半导体领域。士兰微宣布全品类产品涨价15%，主要受成本与供需双重驱动。芯联集成则上调晶圆代工价格15%-25%，反映行业整体成本压力。全球功率半导体行业迎来集体涨价热潮，国内外厂商同步共振。
    2613
    07/03 15:09
    功率半导体 IGBT
  • 全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
    本文介绍了沟槽栅SiC MOSFET的动态雪崩测试原理及其两种主要测试类型——单脉冲雪崩耐量（EAS）和重复雪崩耐量（EAR）。通过实验展示了单脉冲雪崩测试的步骤和失效机制，以及重复雪崩测试对器件参数稳定性的评估。文章强调了不同测试条件下器件的雪崩能力表现，并对比了单脉冲和重复雪崩耐量的区别。最后，指出合理选择器件并配合电路设计对于提高系统可靠性的重要性。 关键词：SiC MOSFET，动态雪崩测试，单脉冲雪崩耐量，重复雪崩耐量，可靠性测试
    1374
    06/25 13:14
    SiC MOSFET 雪崩二极管
  • 芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"
    芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。 此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源这一高成长赛道的集中体现，也标志着公司在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，
    745
    06/22 09:06
    数据中心 生成式AI
    芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"
  • 英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
    碳化硅（SiC）MOSFET的短路特性被广泛误解为“天生扛不住短路”。实际上，SiC MOSFET可以通过特殊单元结构设计来提高其短路耐受能力，甚至接近传统IGBT的水平。然而，为了实现超低导通电阻，SiC MOSFET通常需要牺牲一定的短路能力。 SiC MOSFET在短路过程中经历三个阶段：电流迅速上升至峰值；结温升高导致电流下降；最终关闭器件。常见的失效模式包括热失控引发的封装爆炸和顶层金属熔化导致的栅源短路。 英飞凌通过优化器件元胞结构和严格的测试，实现了CoolSiC™ MOSFET在工业与车载等高可靠场景下的稳定短路能力，标称短路耐受时间为2~3微秒。这表明SiC MOSFET的短路特性是可以管理和控制的，关键是合理选择和使用器件，而不是盲目追求长时短路耐受。
    1155
    06/18 11:06
    SiC MOSFET
  • Wolfspeed/英飞凌/中车/安世等披露新SiC合作
    SiC技术在多个领域取得进展，通用电气与Wolfspeed合作推动高压碳化硅方案商用，英飞凌与西门子联合开发固态断路器，广州地铁与株洲中车采用国产碳化硅器件，安世半导体与多家企业达成车规SiC战略合作，紫荆半导体与长晶科技布局车规级SiC功率器件，忱芯科技交付SiC MOSFET测试系统。
    1867
    06/15 22:47
    SiC SiC MOSFET

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