SiC MOSFET

• SiC MOSFET的并联设计要点

  英飞凌碳化硅应用技术大会即将开幕，聚焦前沿技术，探讨零碳未来。重点介绍SiC MOSFET在高电流应用场景下的并联应用技巧，包括器件参数一致性、功率回路布局及驱动电路优化设计，以实现电流均匀分布和消除芯片间振荡。特别强调英飞凌SiC MOSFET在导通电阻和阈值电压上的优异表现及其对并联应用的支持。

  英飞凌

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  04/16 15:53

  SiC MOSFET 并联电路
• 沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

  对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。

  英飞凌

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  04/09 11:34

  SiC MOSFET 固态变压器

  
• 碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

  碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中的应用日益广泛，特别是SiC JFET系列器件因其出色的性能优势受到关注。本文深入探讨了SiC CJFET的动态特性和应用灵活性，包括其极低的导通电阻、显著的开关损耗优势以及独特的栅极驱动特性。此外，还介绍了SiC Combo JFET的应用灵活性，提供了多种控制选项和高电流能力。这些技术革新不仅提高了电源设计的效率，也为工业与服务器电源带来了新的解决方案。

  安森美半导体

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  04/09 11:33

  碳化硅 SiC MOSFET
• 赛晶半导体：用于SST应用的2300V SiC MOSFET

  赛晶半导体将于4月10日在深圳举行的“800VDC数据中心能源变革——储能与第三代半导体协同发展论坛”上发表关于2300V SiC MOSFET在固态变压器应用中的主题报告。报告将详细介绍赛晶亚太半导体自主研发的2.3kV SiC MOSFET器件及其技术优势，并总结设计理念与产业化进展，展望其在高压电力电子领域的应用前景。

  行家说三代半

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  04/07 21:53

  SiC MOSFET
• 国产10kV SiC实现量产交付，该企业攻克了哪些难题？

  安海半导体成功攻克万伏级SiC技术壁垒，实现6.5kV、10kV SiC MOSFET的研发量产，并与多家终端企业达成合作，首批订单将于本月正式交付，标志着国产高压SiC功率器件迈入规模化应用新阶段。

  行家说三代半

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  04/03 14:30

  SiC MOSFET SiC技术
• 碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案

  碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中发挥着重要作用。本文介绍了三种替代Si和SiC MOSFET的方案：SiC JFET、SiC Combo JFET和SiC Cascode JFET。详细探讨了它们的特点、工作原理及其在不同应用场景中的优势。特别强调了SiC JFET的低导通电阻、温度自监测能力和开关灵活性，以及SiC Combo JFET的独立栅极控制和过驱动功能，还有SiC Cascode JFET的高效性和适用于高频开关应用的能力。文章还提供了具体的电路图和计算公式，帮助工程师更好地理解和应用这些技术。

  安森美半导体

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  04/03 10:01

  碳化硅 SiC MOSFET

  
• SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

  在设计DCDC或DCAC电路时，桥臂直通保护面临挑战，尤其是对于SiC MOSFET器件，其短路耐受时间较传统IGBT短。本文通过实验测试，研究了驱动芯片的退饱和功能（DESAT）在桥臂直通保护中的应用，并探讨了门极电压、母线电压和短路时间等因素的影响。结果显示，合理的短路保护响应时间和适当的门极电压选择能够有效降低短路损耗和过压尖峰，提高系统的可靠性。

  英飞凌

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  04/02 10:32

  SiC MOSFET
• 英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

  英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，全面提升SiC MOSFET性能，适用于光伏、储能、电动汽车充电等领域。G2系列电压等级全面，导通电阻细分为7mΩ至350mΩ，满足不同功率需求。芯片采用非对称沟槽栅结构，优化动态及静态性能，实现更低的开关损耗和热阻。G2具备出色的可靠性设计，支持过载运行，并提供多样化封装形式，适应多种应用场景。

  英飞凌

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  03/27 10:06

  SiC MOSFET
• AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比

  本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。

  安森美半导体

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  02/27 09:12

  转换器 SiC MOSFET
• 英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I产品系列，这是一系列支持光耦仿真器输入的高性能隔离栅极驱动器IC。该系列器件与现有光耦仿真器和光耦合器引脚兼容，具备高共模瞬态抗扰度（CMTI）、强大的输出级，以及比现有解决方案更精准的时序特性。这使得工程师能够无缝迁移到碳化硅（SiC）

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  02/11 14:00

  物联网 英飞凌

  
• 2家企业采用SiC，又一增量市场静悄悄打开

  尽管SiC MOSFET价格下降，却推动LED照明电源行业采用新技术。两家电源企业率先引入碳化硅技术，标志着800亿美元增量市场开启。碳化硅在LED照明中的应用有助于提升效率和小型化，满足电源企业需求。

  行家说三代半

  900

  01/23 15:37

  SiC SiC MOSFET
• 这家SiC企业发力，4款车规级沟槽MOS量产

  三菱电机宣布将于1月21日起提供四款全新沟槽型SiC MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器及光伏逆变器设计，能够降低功率损耗并保持性能。该产品将在多个市场推广，并展示了其对全球先进功率半导体裸芯片市场需求的快速响应。

  行家说三代半

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  01/19 08:34

  SiC MOSFET
• 告别“野蛮生长”：碳化硅行业迎来价值回归，1000万颗车规芯片背后的生存逻辑

  深圳爱仕特科技有限公司（以下简称：爱仕特）成立于2017年，是专注于SiC MOSFET芯片研发及功率模块生产的国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人。公司依托6英寸晶圆工艺，实现650V-3300V全系列产品量产，应用于新能源汽车、光伏储能等领域。公司建有万级车规级生产基地，2023年完成超3亿元A+轮融资。

  芯片揭秘

  1830

  01/14 17:44

  碳化硅 SiC MOSFET

  
• 芯联集成增资至83.8亿，或锁定8英寸SiC MOSFET扩产

  芯联集成完成新一轮工商变更，注册资本增至约83.8亿元人民币，主要用于强化碳化硅等第三代半导体业务布局，并通过发行股份及支付现金的方式收购芯联越州集成电路制造有限公司72.33%股权。此外，公司还完成了第一期股票期权激励计划的行权登记，累计新增股份2244.42万股。芯联集成的核心业务涵盖先进晶圆级封装、电子元器件及光学元器件研发制造，是国内重要的功率半导体代工企业。

  化合物半导体市场

  1371

  01/06 15:27

  SiC MOSFET

  
• 3300V SiC/Si 混合型三电平拓扑应用技术

  3300V SiC/Si 混合型三电平拓扑应用技术

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

  2182

  2025/12/23

  SiC MOSFET 电能质量
• 碳化硅MOS产品特性介绍及驱动设计

  碳化硅MOS产品特性介绍及驱动设计

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

  2220

  2025/12/15

  新能源 DCDC
• EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析

  作者：安森美 本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。 电源应用和拓扑 这些主流应用的功率范围从 ~10kW 到 ~5MW 不等。 它们高度依赖电源开关和栅极驱动器来实现高效可靠的运行。 光伏 电动汽车 (EV) 充电 HEV/EV 主驱逆变器 电机

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  2025/12/04

  MCU pcb

  
• Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块

  薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY

  与非网编辑

  721

  2025/12/03

  SiC Vishay

  
• 碳化硅MOS新型负压关断驱动设计

  基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

  3777

  2025/12/02

  SiC MOSFET SiC功率模块
• 高压碳化硅MOS能承受两电平母线的高电压还需要三电平吗

  高压碳化硅MOS能承受两电平母线高电压vs三电平研究

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

  1211

  2025/11/26

  SiC MOSFET SiC功率模块

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