瑞斯特半导体RST

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  瑞斯特(RST) TTC5200 高耐压NPN外延硅功率晶体管

  瑞斯特(RST) TTC5200是一款采用TO-3PL金属封装的高耐压NPN外延硅功率晶体管，专为高保真音频输出放大与通用功率放大应用设计，其互补型号为TTA1943 PNP管。该器件引脚配置为1-Base、2-Collector、3-Emitter，集电极-基极击穿电压BVCBO为230V，集电极-发射极击穿电压BVCEO为230V，发射极-基极击穿电压BVEBO为5V，集电极连续电流IC为15

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  瑞斯特(RST) MBR1045E 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR1045E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于10A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。 TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二

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  瑞斯特(RST) MBR3045E 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR3045E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。 TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二

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  瑞斯特(RST) MBR3060E 平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR3060E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。 TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二

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  瑞斯特(RST) S9014 NPN型小功率贴片三极管

  瑞斯特(RST) S9014是一款采用外延平面工艺制造的NPN型小功率贴片三极管，采用标准SOT-23封装，丝印标识为J6。该器件属于小信号通用晶体管范畴，专为低噪声放大应用设计，具有优异的hFE线性度、低噪声系数和低集电极-发射极饱和压降的技术特点。 其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为50V，集电极-发射极击穿电压VCEO为45V，发射极-基极击穿电压VEBO为5V，连续集电极电

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  瑞斯特(RST) TIP35C TO-3PN金属封装的大功率NPN硅晶体管

  瑞斯特(RST) TIP35C是一款采用TO-3PN金属封装的大功率NPN硅晶体管，专为高保真音频输出放大与通用功率放大应用设计，其互补型号为TIP36C PNP管。该器件引脚配置为1-Base、2-Collector、3-Emitter，集电极-基极击穿电压BVCBO为100V，集电极-发射极击穿电压BVCEO为100V，发射极-基极击穿电压BVEBO为5V，集电极连续电流IC为25A，25°C

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  瑞斯特(RST) TIP41C NPN平面工艺制造的中功率三极管

  瑞斯特(RST) TIP41C是一款采用NPN平面工艺制造的中功率三极管，采用标准TO-220封装，专为高电压、快速开关及低饱和压降应用设计。该器件具有高击穿电压、快速开关速度和低饱和电压的技术特点，其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为100V，集电极-发射极击穿电压VCEO为100V，发射极-基极击穿电压VEBO为5V，连续集电极电流IC为6A，脉冲集电极电流可达10A，基极电流I

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  瑞斯特MMBT3904 NPN通用小信号晶体管

  MMBT3904是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN通用小信号晶体管，采用SOT-23表面贴装封装，丝印标识为1AM，对应hFE分档L档（100~200）和H档（200~300）。该器件是经典2N3904晶体管的表面贴装版本，专为通用放大和高速开关应用而设计，具有高增益、低饱和压降和优异的高频特性。其封装尺寸紧凑（典型外形约2.9mm×1.3mm×1.0mm），引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射

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  瑞斯特(RST) MBR2060F 肖特基势垒整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR2060F是一款20A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-220F全塑封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为60V，平均整流输出电流IO（总计）为20A，每臂10A，正向电压降VF在IF=10A时典型值为0.7V、最大值为0.74V，反向漏电流IR在VR=60V、TJ=25°C时最大为0.05mA（

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  瑞斯特(RST) MBR4060F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR4060A 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060A是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的双共阴极肖特基势垒整流器，额定参数为40A平均整流电流、60V峰值重复反向电压，内部集成两个独立的肖特基二极管管芯，共用中间引脚作为公共阴极，两侧引脚分别为两个阳极，形成对称的双二极管结构。平面肖特基工艺通过在硅外延层表面形成金属-半导体势垒接触，相比传统台面（Mesa）结构具有更优的表面钝化效果和更高的长期

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  瑞斯特(RST) MBR4060E 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极

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  瑞斯特(RST) MBR4045F 肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4045F是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的双共阴极肖特基势垒整流器，额定参数为40A平均整流电流、45V峰值重复反向电压，内部集成两个独立的肖特基二极管管芯，共用中间引脚作为公共阴极，两侧引脚分别为两个阳极，形成对称的双二极管结构。平面肖特基工艺通过在硅外延层表面形成金属-半导体势垒接触，相比传统台面（Mesa）结构具有更优的表面钝化效果和更高的长期

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  瑞斯特(RST) MBR4045E 肖特基势垒整流二极管

  瑞斯特(RST) MBR4045E是一款40A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-263表面贴装封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为45V，平均整流输出电流IO（总计）为40A，每臂20A，正向电压降VF在IF=20A时典型值为0.58V、最大值为0.62V，反向漏电流IR在VR=45V、TJ=25°C时最大为0.05m

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  瑞斯特(RST) MBR4060W 采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR4060W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6045A 采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220A封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管

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  瑞斯特(RST) MBR6045E 采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-263封装为表面贴装D2PAK三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极

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  瑞斯特(RST) MBR6045F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6045W平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6045W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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  瑞斯特(RST) MBR6060F 采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器

  瑞斯特(RST) MBR6060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220F封装为全塑封三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳

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