JSM40P10C 100V P沟道 MOSFET

Channel: 杰盛微半导体JSMSEMI
Description: JSM40P10C 是杰盛微推出的100V P 沟道 MOSFET，采用TO-220-3L 封装（引脚为 G 脚、T 脚、S 脚，器件丝印与型号一致），核心特性包括快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的 dv/dt 能力；主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）、DC-DC 转

10/30 08:36 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSM40P10C 是杰盛微推出的100V P 沟道 MOSFET，采用TO-220-3L 封装（引脚为 G 脚、T 脚、S 脚，器件丝印与型号一致），核心特性包括快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的 dv/dt 能力；主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）、DC-DC 转换器及电机控制领域。其关键参数为：漏源电压（V_DSS）-100V、连续漏极电流（I_D）-40A、脉冲漏极电流（I_DM）-140A、漏源导通电阻（R_DS (on)）典型 33mΩ（V_GS=10V、I_D=24A），工作及存储结温范围 **-55~+150℃，功率耗散（T_C=25℃）达200W**，同时具备低导通损耗、高电流承载能力及稳定的体二极管特性。