OpenLight推出首款800G DR8光子集成电路设计推进全球数据中心互连行业

/美通社/ -- 为提供更高水平的性能和可扩展性，加速数据通信应用光子集成电路（PIC）的设计，OpenLight今天宣布推出首款针对数据中心互连的800G DR8 PIC设计。OpenLight使用全球首个开放式硅光子晶圆厂平台（由Tower Semiconductor提供的集成激光器）制造和测试了这些晶圆。

OpenLight 800G DR8 PIC设计

800G DR8 PIC设计为客户提供易于使用、经过验证的方法来快速启动收发器的生产设计。在片上激光器集成和基于InP的高速调制器方面，OpenLight所取得的成就让为PIC购买和安装多余的激光器变得没有必要，让复杂设计的处理具有极大的高速性能和成本扩展性。800G DR8 PIC设计基于Tower Semiconductor的硅光子生产工艺（PH18DA），并采用相关电路模型和可用的测试数据集，对该PIC设计进行了完全的验证。

"随着每用户用户数和设备数不断增加，对带宽和更高数据速率的需求只会呈数倍增加。我们看到硅光子的采用在增加，并相信我们同类首创的800G DR8 PIC设计和可用的测试样品，将帮助客户快速设计光学收发器模块，让新兴数据通信需求实现更快上市时间。" OpenLight首席运营官Thomas Mader博士表示， "与Tower一起，我们能够始终如一地提供可扩展的设计解决方案，支持行业向800G以上的集成激光器数据中心迈进。"

"我们与OpenLight合作继续为Tower的现有开放式晶圆厂产品增加新的、经过硅验证的IP，使客户能够加速开发具有全集成激光器的下一代硅光子产品。" Tower Semiconductor模拟事业部高级副总裁兼总经理Marco Racanelli博士表示， "该工艺技术和PDK可供Tower客户使用，并可定期安排穿梭运行，而像此处宣布的800G参考设计等更高阶IP，则可通过我们的合作伙伴OpenLight获取。"

800G DR8 PIC示例套件现已提供，并配有设计文件，可根据需要进行定制。还可提供高速测试数据。