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英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

2023/10/10
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。

在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封装具有较高的爬电距离。TO-247的4引脚封装(标准封装:IKZA,Plus封装:IKY)在提高性能方面表现出众,因为它不仅能降低开关损耗,还提供了额外的优势,如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性,TRENCHSTOP IGBT7 H7简化了设计,最大限度减少了并联器件的需求。

此外,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能,可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试,特别是HV-H3TRB,符合工业应用标准,因此非常适合户外应用。IGBT专为满足环保以及高效能源应用的需求而设计,相较于前几代产品有显著改进。因此,TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太阳能和储能系统等中的NPC1拓扑的理想补充。

供货情况

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7现已接受订购。此外还可提供通过认证的样品。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
TSM-103-01-L-SV-P-TR 1 Samtec Inc Board Connector, 3 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT
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OSTVN02A150 1 On-Shore Technology Inc Barrier Strip Terminal Block, 6A, 1 Row(s), 1 Deck(s),
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US1M-E3/61T 1 Vishay Intertechnologies DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal Diode

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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。收起

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