2项SiC新技术：8吋衬底、CMP效率提升500%

近日，国内2家企业/团队宣布取得SiC新突破，涉及8吋复合衬底、无损抛光装备等。

青禾晶圆：突破8吋SiC衬底制备

前天，世纪金芯宣布成功制备了8吋SiC单晶（.点这里.）；4月11日，青禾晶圆也在官微宣布，他们突破了8英寸SiC键合衬底制备。

据介绍，青禾晶圆通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得了重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。

公开资料显示，青禾晶元成立于2020年7月，致力于使用先进异质集成技术来提高碳化硅良率、降低成本。

据“行家说三代半”此前报道，2022年6月，青禾晶元拟投资9.9亿元在天津高新区建设国内首条复合SiC衬底生产线；同年12月，青禾晶元的复合SiC衬底产线首台设备搬入启动仪式在渤龙湖科技园举行。据36氪称，该公司新型键合集成衬底量产示范线于2023年5月19日正式通线，规划产能3万片/年，满产后预计单条产线营收过亿元。

截至目前，青禾晶元已经完成晶圆键合设备、Chiplet设备及功率模块键合设备等多款设备的开发及量产；SiC、POI等键合集成衬底材料规模化量产。

苏州大学：推出电场+化学机械抛光装备

4月10日，据腾讯网消息，近期，苏州大学一支超精密抛光团队将电场引入传统的化学机械抛光（CMP）工艺中，研发出国内外首台电化学机械抛光（ECMP）装备，并已于2023年完成了第三代产品。

松山湖材料实验室检测报告显示，该设备可帮助SiC、GaN实现高效、无损抛光，具有很高的应用价值。

据介绍，通过对第三代半导体材料进行加工实验，半导体材料的表面粗糙度可降至0.22nm以下，达到纳米级加工的标准，抛光加工的效率可以提升到现有CMP技术的5倍，提升芯片企业的生产效益130%—160%。同时，该工艺可有效提升32%的磨料利用率，显著降低抛光液成本70%以上（约4.6万/吨）。

研发团队负责人彭洋表示，“超精密抛光是半导体芯片制造中最为关键的制程之一，直接决定了芯片表面质量。在研究初期，我们实地走访了国内众多的芯片制造厂商，了解到传统的化学机械抛光技术存在抛光效率低、抛光液消耗成本高昂的问题。我们团队将现有的化学机械抛光技术和电场进行良好复合，成功实现了第三代难加工半导体的无损超精密抛光。”

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。