• 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

为什么TSV工艺要整面电镀而不用干膜盖住只镀孔?

2024/04/17
1506
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

知识星球(星球名:芯片制造与封测社区)里的学员问: TSV镀铜工艺中,为什么不用干膜直接阻挡不需要镀铜的地方,只把孔露出来?如果只镀孔,不久不用考虑后面除去面铜的步骤了。

TSV工艺的成熟工艺,是需要整个面进行电镀,也就是在整个面上铺上种子层,再镀孔内及晶圆表面。很少见到只镀孔的,因此也不建议另辟蹊径,只镀孔是有很多问题的。

用干膜盖住部分区域进行电镀有哪些问题?

1,干膜去除难度大:干膜以固体薄膜形式,可以直接贴合到衬底上。在紫外光照射下,干膜中的光敏部分会发生化学变化,变得可溶于特定的显影剂中,而未曝光的部分则保持不溶。但是干膜曝光之后的清除过程很难,因此TSV工艺后无法有效地将表面的干膜除去。

2,孔内填充更困难:全面镀铜可以确保整个孔内表面都被铜覆盖,特别是孔的底部。如果遮住部分区域,电流过分集中在孔内,容易产生空洞等异常。

3,TSV药水可解决晶圆面铜过厚的问题。目前高端的药水可以实现面铜的厚度很薄,大大降低了工艺难度。

欢迎加入我的半导体制造知识社区,答疑解惑,上千个半导体行业资料共享,内容比文章丰富很多很多,适合快速提升个人能力,介绍如下:      《欢迎加入作者的芯片知识社区!》

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
EZADT33AAAJ 1 Panasonic Electronic Components RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.0001uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP
暂无数据 查看
BAT46WJ,115 1 NXP Semiconductors BAT46WJ - Single Schottky barrier diode SOD 2-Pin
$0.09 查看
BSS84,215 1 NXP Semiconductors BSS84 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
$0.3 查看

相关推荐