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  • 韬(τ)定律时代,中国半导体迎来四大机遇
    2026年5月25日,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在IEEE国际电路与系统研讨会上,正式发表「韬(τ)定律」——以"时间缩微”替代传统“几何缩微”,作为半导体演进的新指导原则。 对一个被“卡脖子”叙事缠绕多年的半导体产业而言,这一刻值得认真对待——但更需要冷静读懂:“τ定律”的真正价值,不在于替中国半导体宣告“追上来了”,而在于揭示了一条更现实的突围路径。这一点,恰恰是今天讨论中国半导体机
  • 为什么TSV电镀面铜越薄越好?
    面铜是在TSV电镀过程中,在晶圆表面沉积的一层多余的铜,最终需要通过CMP完全磨掉。面铜越厚,CMP研磨时间越长,成本增加;同时,厚度越大,CMP均匀性越差,容易出现碟形凹陷等问题;此外,厚面铜会导致晶圆应力和翘曲增加,影响后续工艺精度。因此,面铜越薄越好,以降低CMP时间和成本,并保持良好的工艺性能。
  • 意法半导体开始量产先进硅光技术平台,满足人工智能基础设施的云光互联需求
    服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(纽约证券交易所代码:STM) 宣布,其先进的PIC100硅光技术平台现已进入大规模量产阶段,帮助超大规模云服务商实现数据中心和人工智能集群的光纤互连。随着人工智能运算量激增,PIC100的800G和1.6T收发器让数据中心互联实现更高的带宽、更低的延迟和更好的能效。 意法半导体质量、制造和技术部总裁Fabio Gualandris表示:“继
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  • 国内封装关键技术TSV和混合键合产业进展
    本文探讨了TSV(硅通孔)与混合键合(Hybrid Bonding)在3D异构集成中的作用及其在国内封装产业的应用现状。TSV技术由长电科技、通富微电、华天科技等企业掌握,已实现量产应用。混合键合技术由长江存储、物元半导体等企业推动,其中长江存储的Xtacking架构在全球存储领域率先应用混合键合技术。国内多家设备制造商也在混合键合设备领域取得突破,促进了国产替代进程。总体来看,中国在TSV和混合键合技术上已具备国际竞争力,有望在未来AI算力爆发中占据核心战略位置。
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  • TSV填孔方式:Bottom-up与Conformal
    本文介绍了晶圆镍铁合金电镀液及其应用,重点阐述了TSV电镀填充方式的两种主要方法:Bottom-Up Filling 和 Conformal Filling 的区别与特点。Bottom-Up Filling 自下而上填充,适用于高密度、高性能3D集成;Conformal Filling 均匀包覆填充,适用于中低深宽比通孔或MEMS器件。两者对比表现在沉积方向、填充形态、导电性能等方面。此外,还提到了一个半导体制造与先进封装技术社区的信息。
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    2025/11/12
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